Ловушка - захват
Cтраница 3
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомби-нировать. Рекомбинация возможна только после ионизации ловушки захвата или после освобождения носителя заряда. [31]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомбинировать. [32]
Уровни, лежащие выше электронного демаркационного уровня, являются в основном уровнями ловушек захвата электронов. Вероятность их заполнения меньше 50 %, что соответствует большой вероятности ( более 50 %) переброса электронов с этих уровней в зону проводимости в результате тепловой генерации. Аналогично уровни, лежащие ниже дырочного демаркационного уровня, являются в основном уровнями ловушек захвата дырок. [33]
Наиболее важные ограничения фотомагнитоэлектрического эффекта как метода измерения времени жизни связаны с наличием ловушек захвата, концентрация которыу в соединениях А3В5 и А2В6 значительно больше, чем в элементарных полупроводниках, а также с влиянием приповерхностной области пространственного заряда. [34]
Ловушки захвата и рекомбинации представляют собой разные по природе дефекты поверхности, причем ловушек захвата количественно больше. [35]
Дефект, способный захватывать свободные носители заряда с последующим их освобождением, называется ловушкой захвата. [36]
Дефект, способный захватывать свободные носители заряда с последующим их освобождением, называется ловушкой захвата. [37]
К мелким уровням относятся и так называемые уровни прилипания, пли, как еще говорят, ловушки захвата. [38]
 |
Изменение тока в ди. [39] |
Ток абсорбции связан с поглощением носителей заряда объемом диэлектрика: часть носителей встречает на своем пути ловушки захвата - дефекты решетки, захватывающие и удерживающие носители. [40]
Наличие ловушек позволяет понять, например, влияние подсветки: если вещество освещать длинноволновым светом, приводящим к фотоионизации ловушек захвата, то световая проводимость возрастает. [41]
 |
Пояснение скачкооб - транзистора в режиме насыщения. [42] |
Избыточные шумы вызваны неравномерностью процессов генерации и рекомбинации носителей заряда, а также процессами захвата и освобождения носителей заряда ловушками захвата. Все эти процессы наиболее интенсивно происходят на поверхности полупроводника. [43]
Все эти условия необходимы при измерении постоянных времени для однозначности получаемых результатов, так как постоянные времени зависят от концентрации ловушек захвата и от скорости их заполнения и опустошения, что, в свою очередь, изменяется при изменении освещенности, температуры и других условий, в которых работает фоторезистор. Оба эти фактора приводят к уменьшению времени жизни носителей заряда и соответственно к уменьшению постоянных времени фоторезистора. [44]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомбинировать. [45]
Страницы: 1 2 3 4