Ловушка - захват
Cтраница 4
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомби-нировать. Рекомбинация возможна только после ионизации ловушки захвата или после освобождения носителя заряда. [46]
При фиксированных напряжениях смещения и для данной частоты coi величина Rn достигает максимума при tf 1 / соь Так как величина т сильно зависит от температуры, а константа пропорциональности имеет слабую температурную зависимость ( по крайней мере в тех случаях, когда уровни ловушек захвата попадают на собственный уровень Ферми), то из этого следует, что при изменении температуры величина Rn должна иметь один или несколько максимумов в зависимости от числа различных центров захвата носителей ( ловушек), присутствующих в образце. [47]
Таким образом, дефекты с энергией Е, могут быть ловушками захвата электронов и дырок. Роль ловушек захвата могут играть атомы доноров и акцепторов. Характерной особенностью ловушек захвата является то, что они в основном взаимодействуют только с одной зоной - зоной проводимости или валентной зоной. Для того чтобы дефект привел к рекомбинации пары свободных носителей заряда, он должен взаимодействовать с обеими зонами. [48]
Таким образом, дефекты с энергией Et могут быть ловушками захвата электронов и дырок. Роль ловушек захвата могут играть атомы доноров и акцепторов. Характерной особенностью ловушек захвата является то, что они в основном взаимодействуют только с одной зоной - зоной проводимости или валентной зоной. [49]
Полупроводник имеет электропроводность р-типа, поэтому диффузия носителей заряда определяется диффузией электронов. Кроме того, ловушки захвата отсутствуют, а уровень возбуждения низкий. [50]
Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. Эти атомы служат ловушками захвата, если они способны захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением, и рекомбина-ционными ловушками, если на них происходит нейтрализация захваченных носителей заряда. Как правило, рекомбинационные ловушки характеризуются более глубокими энергетическими уровнями. [51]
 |
Схемы расположения уровней ловушек захвата ( ЛЗ и рекомбинацией. [52] |
Кроме рекомбинационных ловушек, в запрещенной зоне полупроводника существуют уровни, которые могут захватывать только один какой-либо тип носителей. Такие уровни называют ловушками захвата. Носитель заряда, находящийся на таком уровне, через некоторое время освобождается и снова участвует в электропроводности. Этот процесс может повторяться. [53]
Кроме рекомбинационных ловушек, в запрещенной зоне Полупроводника существуют уровни, которые могут захватывать только один какой-либо тип носителей. Такие уровни называются ловушками захвата. Носитель, находящийся на таком уровне, через некоторое время освобождается и снова участвует в электропроводности. Этот процесс может повториться. [54]
Кроме рекомбинационных ловушек, в запрещенной зоне полупроводника существуют уровни, которые могут захватывать только один какой-либо тип носителей. Такие уровни называют ловушками захвата. Носитель заряда, находящийся на таком уровне, через некоторое время освобождается и снова участвует в электропроводности. Этот процесс может повторяться. [55]
 |
Спектральная зависимость. [56] |
Рассмотрим в качестве иллюстрации один пример. Пусть в полупроводнике имеются ловушки захвата, лежащие ниже уровня Ферми. При равновесии квазиуровни Ферми Fn, F p, FM, совпадают. Если при этом концентрация доноров велика, то уровень Ферми лежит вблизи Ес, поэтому ловушка захвата заполнена электронами. [57]
Страницы: 1 2 3 4