Лужение - вывод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Закон Сигера: все, что в скобках, может быть проигнорировано. Законы Мерфи (еще...)

Лужение - вывод

Cтраница 2


Для получения качественных паяных соединений производят лужение выводов корпуса микросхемы припоями и флюсами тех же марок, что и при пайке. При замене микросхем в процессе настройки и эксплуатации РЭА производят пайку различными паяльниками с предельной температурой припоя 250 С, предельным временем пайки не более 2 с и минимальным расстоянием от тела корпуса до границы припоя по длине вывода 1 3 мм.  [16]

Для получения качественных паяных соединений производят лужение выводов корпуса микросхемы припоями и флюсами тех же марок, что и при лайке. При замене микросхем в процессе настройки и эксплуатации РЭА производят пайку различными паяльниками с предельной температурой припоя 250 С, предельным временем пайки не более 2 с и минимальным расстоянием от тела корпуса до границы припоя по длине вывода 1 3 мм.  [17]

Для получения качественных паяных соединений производят лужение выводов корпуса микросхемы припоями и флюсами тех же марок, что и при пайке. При замене микросхем в процессе настройки и эксплуатации РЭА производят пайку различными паяльниками с предельной температурой припоя 250 С, предельным временем пайки не более 2 с и минимальным расстоянием от тела корпуса до границы припоя по длине вывода 1 3 мм.  [18]

Для получения качественных паяных соединений производят лужение выводов корпуса микросхемы припоями и флюсами тех же марок, что и при пайке. При замене микросхем в процессе настройки и эксплуатации РЭА производят пайку различными паяльниками с предельной температурой припоя 250 С, предельным временем пайки не более 2 с и минимальным расстоянием от тела корпуса до границы припоя по длине вывода 1 3 мм.  [19]

Конструкция микросхемы допускает трехкратное воздействие групповой пайки и лужения выводов горячим способом без применения теплоотвода при температуре групповой пайке не более 265 С в течение не более 4 с.  [20]

Конструкция микросхем допускает трехкратное воздействие групповой пайки и лужение выводов горячим способом без применения теплоотвода. Групповая пайка осуществляется при температуре не свыше 265 С в течение не более 4 с, ручная пайка - при температуре паяльника не более 360 С, время пайки не более 4 секунд с применением теплоотвода.  [21]

22 Полуавтомат формовки и лужения осевых выводов радиоэлементов. [22]

На рис. 153 показан полуавтомат для формовки и лужения осевых выводов радиоэлементов. Он состоит из направляющего лотка 3 ( рис. 153, а), транспортирующего диска 7, ванны 10 с припоем, флюсователя 8, формующего механизма и привода.  [23]

Для получения качественных паяных соединений, как правило, предварительно производят лужение выводов корпуса микросхемы. Лужение рекомендуется производить припоями и флюсами тех же марок, что и пайку.  [24]

Для получения качественных паяных соединений, как правило, предварительно производят лужение выводов корпуса микросхемы. Лужение рекомендуется производить припоями и флюсами тех же марок, что и пайку.  [25]

При производстве РЭА широко используются групповые методы выполнения отдельных технологических операций, например лужение выводов микросхем способом окунания в расплавленный припой или пайка методом волны припоя. Режимы этих операций ( температура расплавленного припоя, время контакта припоя с выводами корпуса, площадь зоны контакта вывода с припоем), выбранные без учета характеристик теплопередачи конкретных типов корпусов микросхем, могут привести к их разрушению. На рис. 6.6 схематично показаны отдельные элементы конструкции микросхемы, которые подвергаются тепловому воздействию и участвуют в передаче тепла. При контакте с расплавленным припоем вдоль вывода микросхемы создается перепад температуры, вызывающий передачу тепла.  [26]

Паз ( пропил) на жале паяльника позволяет увеличить количество припоя, удерживаемое жалом, что облегчает лужение выводов элементов.  [27]

Линия состоит из 5 функционально независимых автоматов: распаковки микросхем из тары спутника-носителя; формовки выводов микросхем; лужения выводов микросхем; комплектации микросхем; пайки выводов предварительно приклеенных на плату микросхем.  [28]

29 Типовой технологический процесс общей сборки и монтажа РЭА. [29]

Путем внешнего осмотра и сравнения с образцами проверяют тип, номинальное значение, маркировку, длину, форму изгиба и качество лужения выводов, отсутствие царапин, сколов, трещин корпуса и повреждения надписей, резких изгибов и надломов выводов навесных радиодеталей, подготовленных к монтажу.  [30]



Страницы:      1    2    3