Магнетосопротивление

Cтраница 1

Магнетосопротивление у облученных образцов уменьшается до нуля а коэффициент Холла становится положительным. На рис, 3.20 представлена зависимость Rx и р облученных образцов от температуры предварительной обработки. В этом случае легко рассчитать концентрацию дырочных носителей заряда. [1]

Магнетосопротивление в этом случае отрицательно при малых магнитных полях. В этом случае кривая имеет параболический вид и не указывает на существование отрицательного магнетосопротивления. Дальнейшим подтверждением того, что отрицательное Магнетосопротивление в InSb п-типа возникает при повреждении кристаллической решетки, служит тот факт, что в тщательно приготовленном образце, не проявляющем отрицательного магниторезистивного эффекта, последний возникает после такой его деформации, которая приводит к образованию большой плотности дислокаций. [2]

Магнетосопротивлением, или магнитнорезистивным эффектом, называется изменение сопротивления полупроводника под действием магнитного поля. [3]

Магнетосопротивлением, или магнитнорезистивным эффектом, называют изменение сопротивления полупроводника под действием магнитного поля. [4]

Температурные зависимости сопротивления NHaBr для различных давлений.| Зависимости электросопротивления ( а и магнетосопротивления ( b NI-UBr от магнитного поля при различных давлениях. [5]

Исследовано магнетосопротивление бромида аммония при комнатной температуре в диапазоне давлений 28 - 50 ГПа. [6]

Коэффициент магнетосопротивления растет с предпочтительной ориентацией и в образце R-7 становится в 2 раза большим. Это отражает соответствующее увеличение времени релаксации и тем самым подтверждает близкую взаимосвязь между магнетосопротивлением и подвижностью. [7]

Измерения магнетосопротивления также согласуются с представлением озоне проводимости имеющей вблизи минимума сферическую форму. Гликсман [22] установил, что в арсениде галлия л-типа с концентрацией электронов 4 - Ю17 слг3 при комнатной температуре наблюдается изотропное поперечное магнетосопротивле-ние и весьма небольшое продольное. [8]

Схема измерения линейного двулучепреломления в гиротропном кристалле с помощью циркулярно поляризованного света и вращающегося анализатора. [9]

Измерения магнетосопротивления в импульсных СМП уступают по чувствительности экспериментам, проводимым в статических полях, что, вообще говоря, характерно для любых измерений в импульсных полях. Поэтому для увеличения полезного сигнала необходимо пропускать через образец значительно больший электрический ток. [10]

Исследование магнетосопротивления и геометрического резистивного эффекта проводится с помощью низкоомного потенциометра Р-306, который обеспечивает высокую точность измерения напряжений. Компенсационный метод измерения позволяет работать при очень малых токах в измерительной цепи. Образцы смонтированы на специальных держателях и могут поочередно подключаться к измерительной цепи с помощью разъема. [11]

Существование конечного продольного магнетосопротивления очень убедительно указывает на необходимость более тщательного изучения процессов переноса с учетом несферичности поверхностей Ферми. [12]

Рассмотрим теперь магнетосопротивление в неограниченном веществе. [13]

Рассмотрим теперь Магнетосопротивление в неограниченном веществе. [14]

Малая величина магнетосопротивления в направлении, параллельном оси с, составляет лишь около 5 % величины, соответствующей направлению, перпендикулярному оси с кристалла, что подтверждает такое допущение. Подвижность электронов, рассчитанная из магнетосопротивления в предположении эллипсоидного характера изоэнергетических поверхностей, точно совпадает с величиной холловской подвижности. [15]

Страницы: 1 2 3 4