Магнетосопротивление
Cтраница 3
 |
Зависимость тер - Д. УХ пов У еродных материалов. В случае мо-эдс от температуры об - у объемное электрическое сопротивление работки. уменьшается, хотя и с разной скоростью во. [31] |
Появляются такие свойства, как магнетосопротивление и магнитная восприимчивость, а также эффект Холла. Изучение электрических свойств, в свою очередь, дает полезную информацию о структуре УВ. Резкое увеличение электропроводности связано с процессом ароматизации углерода и образованием базисных плоскостей ( стадия карбонизации) 1, в дальнейшем по мере совершенствования структуры ( стадия графитации) происходит более плавный спад электрического сопротивления. [32]
Измерения температурных зависимостей постоянной Холла и магнетосопротивления при ЯсЯ0 и ЯзЯ0 дают информацию об отношении концентраций носителей и их подвижлостей при раал. [33]
Компоненты тензора Л11Ц и Л1122 определяют продольное и поперечное магнетосопротивление. [34]
Величина o 7ft / связана с магнетосопротивлением. [35]
Это соответствует тому общему положению, что магнетосопротивление возникает только тогда, когда имеются группы электронов разной энергии, которые по-различному рассеиваются. [36]
Аномальное магнетосопротивлевие, В ряде веществ наблюдается значительное магнетосопротивление при № Я0, знак которого может быть как положительный, так и отрицательный. Такими веществами являются, напр. [38]
К показало [73, 88, 89, 93], что классическая теория магнетосопротивления для сильных магнитных полей в данном случае неприменима. Даже при 1 6 К и 26 лэ ( ( % 3) магнетосопротивление Ар / р0 не обнаруживает насыщения. Пропорциональность величин Ар / Ро и Я2 сохраняется только в слабых полях. [39]
К показало [73, 88, 89, 93], что классическая теория магнетосопротивления для сильных магнитных полей в данном случае неприменима. Даже при 1 6 К и 26 кэ ( % Я 3) магнетосопротивление Ар / р0 не обнаруживает насыщения. Пропорциональность величин Ар / Ро и № сохраняется только в слабых полях. [40]
Из табл. 13 видно, что коэффициент магнетосопротивления в неограниченном полупроводнике в слабом поле превосходит Я в ограниченном образце в зависимости от р в несколько раз, например, при р / 2 в 11 раз. Это различие увеличивается по мере возрастания поля. На рис. 67 приведена зависимость магнетосопротивления в InSb от формы образца. Рисунок показывает, что компенсирующее холлово поле играет тем большую роль, чем меньше отношение ширины к длине образца. [41]
Вследствие этого в эксперименте должно наблюдаться возрастание продольного магнетосопротивления кристалла при усилении магнитного поля вплоть до перехода вещества в диэлектрическое состояние. При В В2 ( В2 - индукция поля, при которой происходит схло-пывание магнитных подрешеток) осуществляется обратный переход - из автолокализованного состояния в делокализованное и соответственно из непроводящего состояния в проводящее. В большинстве антиферромагнетиков В2 100 - г 1000 Тл, что делает вполне реальной экспериментальную проверку гипотезы. [42]
При малых полях ( Я 3 кгс) магнетосопротивление в основной плоскости в ПГ л-типа имеет квадратичную зависимость от поля, что дает возможность вычислять подвижности носителей с использованием классических методик. Форма кривой подвижностеи показывает, что в поликристаллическом графите с высокой ориентацией механизмы рассеяния на решетке имеют значение даже при температурах ниже 77 К. [43]
Осцилляции действительно наблюдались при измерении эффекта Холла, магнетосопротивления) и поглощения звука; в этих случаях их обычно называют осцилляциями де Гааза - Шубникова. [44]
Величина аах, определенная из (49.51), описывает адиабатическое магнетосопротивление. [45]
Страницы: 1 2 3 4