Cтраница 2
При высоких полях магнетосопротивление осажденных углей следует зависимости от Я1 78, характерной для монокристаллов и поликристаллических графитов, независимо от температуры осаждения. В осажденных материалах величина Др / ро, которая может превышать 50 % при 25 кгс, по-видимому, тесно связана со степенью предпочтительной ориентации и, таким образом, представляет независимый показатель структурной анизотропии углеродного осадка. В целом отрицательные магнетосопротивления, наблюдаемые в слабографитизи-рованных ПГ, подтверждают измерения Мрозовского на термообработанных углеродных сажах. [16]
Итак, исследуя магнетосопротивление очень чистых монокристаллов при низких температурах в зависимости от ориентации относительно магнитного и электрического полей, можно получить сведения о топологии поверхностей Ферми. [17]
Физической причиной эффекта магнетосопротивления является распределение носителей заряда по скоростям и анизотропия времени релаксации и эффективных масс носителей, когда изоэнерге-тические поверхности несферичны. [18]
Физической причиной эффекта магнетосопротивления является распределение носителей заряда по скорости и анизотропия времени релаксации и эффективной массы носителей, когда изоэнер-гетические поверхности несферичны. [19]
Физической причиной эффекта магнетосопротивления является распределение носителей заряда по скоростям и анизотропия времени релаксации и эффективных масс носителей, когда изоэнерге-тические поверхности несферичны. [20]
В случае монополярной проводимости магнетосопротивление возрастает согласно квадратичному закону при малых полях и обнаруживает насыщение при больших, в то время как R. Сопротивление диска Корбино пропорционально Я2, но в этом случае насыщения не наблюдается. [21]
Аналогично может быть вычислено магнетосопротивление полупроводника со смешанной проводимостью. [22]
Поэтому к результатам измерений магнетосопротивления следует относиться очень осторожно всегда, когда не очевидно, что геометрические эффекты исключены. Мы ранее отмечали, что если имеется только один тип носителей, а время релаксации не зависит от энергии, то коэффициент Холла, и удельное сопротивление не зависят от магнитного поля. Единственными эффектами, зависящими от поля, будут эффекты, геометрические по своей природе. В случае смешанной проводимости существует сильная зависимость RH и р ит поля. [23]
С ростом поля коэффициент магнетосопротивления (45.7) уменьшается, что означает замедление роста сопротивления. [24]
В связи с проблемой магнетосопротивления полупроводников уместно остановиться на примесной проводимости яа примере арсенида галлия GaAs. При темпе ратуре жидкого гелия в большинстве кристаллов носители тока движутся по примесным состояниям. [25]
Назовите вещества, в которых магнетосопротивление особенно велико. [26]
В, в сильных полях магнетосопротивление достигает насыщения. [27]
Рассмотрим в заключение этого параграфа магнетосопротивление в неограниченном веществе при наличии носителей заряда нескольких типов. [28]
В, в сильных полях магнетосопротивление достигает насыщения. [29]
Рассмотрим в заключение этого параграфа магнетосопротивление в неограниченном веществе при наличии носителей заряда нескольких типов. [30]