Свободная маска

Cтраница 1

Свободная маска представляет собой тонкий экран с отверстиями, очертания и расположения которых соответствуют желаемой конфигурации напыляемой пленки. Свободную маску укрепляют в маскодержателе, который обеспечивает ее плотный прижим и фиксированное положение по отношению к подложке. Испаряемое вещество осаждается только на незакрытых маской местах подложки. [1]

Свободные маски из молибдена, тантала и вольфрама, полученные рассмотренным выше способом, обладают высокой термостойкостью. [2]

Свободная маска - тонкий, изготовляемый и существующий отдельно от подложки экран с отверстиями, конфигурация и расположение которых соответствуют заданной конфигурации и расположению элементов микросхем. [3]

Свободные маски из молибдена, тантала, вольфрама, полученные этим способом, обладают исключительно высокой термостойкостью. Это обеспечивает их многократное использование ( до 1000 раз) в процессах напыления с жесткими условиями. [4]

Напыление через свободную маску. [5]

Свободная маска выполняется в виде пластины с отверстиями и предназначается для многократного использования. Напыляемые элементы получаются достаточно четкими, если маска плотно прижата к подложке и имеет малую толщину. Применение свободной маски ограничивается сложностью схемы. [6]

Напыление через свободную маску. [7]

Свободные маски изготовляют из бе-риллиевой бронзы, нержавеющей стали и других материалов. Весьма перспективными материалами являются тантал и молибден. Маски, изготовленные из этих материалов, инертны к напыленным материалам, долговечны и обладают высокими механическими свойствами. [8]

Метод свободной маски применяется при нанесении пленок термическим испарением в вакууме. [9]

Применение свободных масок, изготовленных по любому методу, имеет ряд принципиальных ограничений. С усложнением технологии изготовления маски увеличиваются затраты на ее создание, тогда как число напылений, которое можно произвести через такую маску, сокращается до 3 - 5 из-за быстрого их износа. [10]

Метод свободной маски - метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью свободной маски участков подложки от потока частиц напыляемого вещества. [11]

Метод свободной маски применяется при нанесении пленок термическим испарением в вакууме. Свободная маска представляет собой тонкий экран с отверстиями, очертания и расположение которых соответствуют необходимой конфигурации напыляемой пленки. Свободную маску укрепляют в маскодержателе, который обеспечивает плотный контакт маски и ее фиксированное положение по отношению к подложке. Осаждение испаряемого вещества происходит только на незакрытых маской местах подложки. [12]

Способ свободной маски основан на экранировании подложки с помощью экрана из тонкой металлической фольги или другого материала, в котором тем или иным способом сделаны прорези и отверстия требуемой формы. Очертания и расположение этих прорезей и отверстий соответствуют требуемой конфигурации напыляемой пленки. Для того чтобы маска фиксировалась и плотно прижималась к подложке, используют специальные маскодержатели. Испаряемое вещество конденсируется только на тех местах подложки, которые не закрыты маской. [13]

Схема изготовления трехслойных биметаллических масок. [14]

Целесообразность применения свободных масок в значительной мере определяется сложностью топологии микросхемы, геометрическими размерами элементов и экономической эффективностью метода. [15]

Страницы: 1 2 3 4