Свободная маска

Cтраница 4

Первый способ - одинарное селективное травление ( или одинарная фотолитография) - применяют для изготовления ИМС, проводники которых могут быть выполнены с помощью свободных масок; для получения прецизионных и малых резисторов применяют фотолитографию. Сущность этого способа заключается в том, что на подложку напыляют сплошной резистивный слой, а сверху этого слоя через свободную маску - проводники, контактные площадки. Затем наносят фоторезист и производят фотопечать, совмещая с контактными площадками изображения концов резисторов на фотошаблоне. После проявления на заготовке места будущих резисторов остаются защищенными фоторезистом. Для травления незащищенных участков применяют травитель, который хорошо растворяет резистивный слой, но не действует на материал контактных площадок и проводников. После травления образуется готовая схема, содержащая резисторы, проводники и контактные площадки. На рис. 33 показана схема одинарного селективного травления. [46]

При напылении через узкие щели, ширина которых приближается к толщине маски, начинает сказываться краевой эффект. Уменьшение размеров элементов и повышение плотности их расположения на поверхности подложки, разница в коэффициентах линейного расширения подложки, маски и ма-скодержателя увеличивают трудности точного последовательного совмещения и также ограничивают применение свободных масок. [47]

При напылении через узкие щели, ширина которых приближается к толщине маски, начинает сказываться краевой эффект. Уменьшение размеров элементов и повышение плотности их расположения на поверхности подложки, разница в коэффициентах линейного расширения подложки, маски и маскодержателя увеличивают трудности точного последовательного совмещения и также ограничивают применение свободных масок. [48]

Метод свободной маски применяется при нанесении пленок термическим испарением в вакууме. Свободная маска представляет собой тонкий экран с отверстиями, очертания и расположение которых соответствуют необходимой конфигурации напыляемой пленки. Свободную маску укрепляют в маскодержателе, который обеспечивает плотный контакт маски и ее фиксированное положение по отношению к подложке. Осаждение испаряемого вещества происходит только на незакрытых маской местах подложки. [49]

Свободная маска выполняется в виде пластины с отверстиями и предназначается для многократного использования. Напыляемые элементы получаются достаточно четкими, если маска плотно прижата к подложке и имеет малую толщину. Применение свободной маски ограничивается сложностью схемы. [50]

Плотность расположения запоминающих ячеек на 1 см2 достигает 1 000 - 1 500 шт. Вполне понятно, что для изготовления подобного рода тонкопленочных элементов непригоден метод свободной маски, и их можно получить только путем применения избирательного фотохимического травления. [51]

Общий размер масок в свою очередь определяется возможностями электронолитографического или фотолитографического получения рисунков с высоким разрешением на больших площадях, а также возможностью изготовления плоских жестких подложек-депжателей для непрочных фотошаблонов из кремния. Например, можно сделать подложку-держатель из бериллиевой фольги, обычно применяемой для создания свободных масок. Чтобы использовать возможности рентгенографии, надо совмещать изображения в разных слоях с точностью не хуже L / 5, что в настоящее время не реализуется. Поэтому применять рентгенолитографию целесообразно для одного слоя. Например, получены датчики поверхностных акустических волн с шириной электрода 0 6 мкм и неровностью края 0 2 мкм на площади 1X3 мм. [52]

Оригиналы, изготовленные с применением клейкой ленты, являются позитивными. Поэтому применяют двойную съемку. Полученный фотошаблон служит для изготовления масок, обеспечивающих избирательную защиту отдельных участков подложки при технологической обработке. Различают контактные и свободные маски. [53]

Описанным выше методом создаются контактные маски и на поверхности тонких пленок при создании структур пленочных ИМС и тонкопленочных коммутирующих плат. Особенность фотолитографии при создании многослойных тон ко пленочных структур заключается в том, что выполняется последовательное травление слоев через создаваемые всякий раз новые контактные маски из фоторезиста. При этом на каждом этапе травления очередного слоя материал последующего слоя не должен подвергаться воздействию травителя. В пленочной технологии применяют также свободные маски в виде пластин с отверстиями, предназначенные для многократного использования. [54]

Первые две операции предназначены для защиты подложки от разрушения плавиковой кислотой во время операции фотогравирования тантала. Окисление производится прогреванием на воздухе при температуре 500 - 600 С. Но окислы могут быть нанесены также реактивным распылением тантала. Защитный слой не создается, если применяются свободные маски, а также при получении рисунка схемы сквозным окислением. [55]

Тан-таловый тонкопленочный резистор. [56]

В результате растворения нижнего слоя металла освобождается лежащий поверх него тантал. После травления тантал остается только на участке подложки, ограниченной областью А. Поскольку для растворения меди и алюминия используются слабые травители, то подложка не разрушается. Описанным методом получаются четкие и резкие края рисунка, так как здесь используется очень тонкая свободная маска, которая почти без зазора прилегает к подложке. [57]

В Альтенберге в Мейссенском округе в рудниках обнаруживается черная рудничная пыль помфоликс 14, разъедающая раны и язвы до костей. Она вызывает также ржавление железа; поэтому там в постройках применяют исключительно деревянные гвозди. Далее, там встречается определенный вид кадмия, разъедающий мокрые ноги и руки рудокопов, а также приносящий вред легким и глазам. Поэтому рудокопам следует надевать не только сапоги из сыромятной кожи, но также рукавицы до локтей, а на лицо - свободные маски, благодаря которым пыль не попадает в дыхательное горло, легкие и глаза. [58]

Схематическое изображение тон - ИЗ фОЛЬГИ ТОЛЩИНОЙ В НбСКОЛЬКО. [59]

Поэтому в контактной маске удается получить рисунок наносимой пленки. При последующем осаждении металла через такую маску трудно обеспечить плотное прилегание ее в пластине. При этом размеры наносимой пленки отличаются от размеров отверстий в маске. Поэтому метод свободной маски применяют для получения тонких. [60]

Страницы: 1 2 3 4