Свободная маска

Cтраница 2

Существуют различные виды свободных масок и соответственно способы их изготовления. [16]

При использовании метода свободной маски на поверхность пластины накладывают защитную маску из тонкой фольги, имеющую окна, конфигурация которых соответствует рисунку наносимых пленок. Если пластину с прижатой к ней маской поместить в установку для осаждения металла, тонкая пленка будет осаждаться только на те части поверхности, которые не закрыты маской. [17]

Вакуумное распыление через свободную маску в общем случае обеспечивает повторение конфигурации маски с точностью 50 мкм. [18]

Способ контактной маски отличается от способа свободной маски тем, что при его использовании маска изготовляется и существует только непосредственно на подложке и не может быть от нее отделена. Существуют две разновидности способа контактной маски: однопле-ночная и двухпленочная. При использовании однопле-ночной контактной маски ( рис. Л-13 а) сначала на подложке создают рельефный рисунок из фоторезиста. Затем на фоторезист напыляют требуемый материал, например хром, и подложку опускают в растворитель для фоторезиста. Последний, растворяясь, увлекает за собой лежащую на нем металлическую пленку, которая остается только на тех местах, где она осаждалась непосредственно на подложку. Способ однопленочной контактной маски иногда называют взрывной или обратной фотолитографией. [19]

Заданную конфигурацию пленок получают несколькими способами: свободной маски, контактной маски, химического травления и др. Выбор того или иного из них зависит от способа нанесения и свойств напыляемого материала, требований к точности и воспроизводимости, производительности и других факторов. [20]

Для создания необходимого рисунка пленки применяют фотолитографию или метод свободной маски. [21]

Условия формирования тонкопленочных элементов при их нанесении с применением свободной маски далеки от идеальных. Это связано с тем, что теплопроводность маски и подложки различна и на открытых участках подложки возникает определенный градиент температуры. [22]

Схема расположения подложки и маски. [23]

На рис. 29, а-ж изображена схема фотохимического способа изготовления монометаллических свободных масок. [24]

Схема термовакуумного осаждения тонких пленок. [25]

Электролитическое осаждение в микроэлектронной технологии применяется для покрытия ( никелирования) биметаллических свободных масок и при наращивании толщины пленок с целью увеличения их проводимости, например, при создании структур СВЧ ИС. [26]

Как отмечалось ранее, наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске. Наличие зазора между подложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к образованию зоны размытости рисунка. Причем размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля ее вырезов. С уменьшением же толщины снижается жесткость маски и увеличивается ее провисание под подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости. Кроме того, вследствие неодинаковости коэффициентов линейного расширения материалов маски и подложки в процессе осаждения происходит разогрев и взаимное смещение маски и подложки. Все эти факторы ограничивают применение метода свободной маски областью получения простых по конфигурации элементов микросхемы, требования к точности параметров которых невысоки. [27]

Как уже отмечалось, одним из самых распространенных методов получения рисунка микросхем является метод свободной маски, который базируется на использовании специальных металлических трафаретов. [28]

Метод свободной маски - метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью свободной маски участков подложки от потока частиц напыляемого вещества. [29]

Для придания пленкам определенной конфигурации для формирования на их основе пассивных элементов применяют четыре основных способа: свободной маски; контактной фотолитографии; контактной маски; трафаретной печати. [30]

Страницы: 1 2 3 4