Контактная маска

Cтраница 2

Принцип негативных и позитивных светочувствительных слоев. [16]

Полученный таким образом рельеф ( контактная маска) служит затем защитным слоем при селективном травлении или металлизации поверхности подложки в открытых местах, что дает возможность перенести рельефное изображение на подложку. Степень соответствия элементов изображения имеющимся на шаблоне, использованном при экспонировании, служит мерой качества литографического процесса в целом. [17]

Напыление через свободную маску. [18]

Изготовление и в особенности точное совмещение контактных масок в условиях высоких температур - задача довольно сложная, что является недостатком метода. Зона размытости образуется, например, за счет отражения атомов испаряемого вещества от стенок выреза маски. [19]

Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( прямой вариант.| Схема получения тонкопленочных элементов с применением контактной маски ( косвенный вариант. [20]

ИМС; б - сплошной слой материала контактной маски; в - нанесение негативного фоторезиста; г - экспонирование; д - проявление; е - травление или растворение открытых участков материала контактной маски; ж - готовая контактная маска на подложке; з - нанесение слоя материала тонкоплеиочного элемента; и - готовый тонкопленочный элемент на подложке; / - подложка; 1 - материал контактной маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напыленный материал. [21]

Зернистая структура фоторезиста не позволяет получить правильного края контактной маски перед травлением. Могут иметь место случайные отклонения размеров порядка 0 5 мкм. [22]

Зависимость времени удаления фоторезиста от толщины его слоя при различных напряжениях на индукторе ( давление 1 мм рт. ст.. расход кислорода 0 0184 л / мин. обработка одной подложки.| Метод обратной фотолитографии. [23]

Выше уже отмечались преимущества метода обратной фотолитографии ( метода контактной маски) ( рис. 74), в котором рисунок, обратный по отношению к рисунку трафарета, образуется непосредственно на поверхности подложки. [24]

ИМС последовательно используются - несколько фо тошаблонов и соответствующих им контактных масок. Каждая последующая маска должна формироваться на поверхности подложки так, чтобы она по возможности точно совмещалась с предыдущими слоями в пределах всей подложки. Это обеспечивается, во-первых, точностью исполнения фотооригинала. Если погрешность в масштабе оригинала составляет t 0 25 мм, то после пересъема с 500-кратным уменьшением погрешность уменьшенного изображения будет порядка - 0 5 мкм. [25]

Заданную конфигурацию пленок получают несколькими способами: свободной маски, контактной маски, химического травления и др. Выбор того или иного из них зависит от способа нанесения и свойств напыляемого материала, требований к точности и воспроизводимости, производительности и других факторов. [26]

Травление электрохимическое - удаление материала подложки с участков, не защищенных контактной маской, с применением электрохимических процессов. [27]

Травление плазмохимическое - удаление материала подложки с участков, не защищенных контактной маской, с применением химически активных частиц, образующихся в плазменном разряде. [28]

Ионное травление - удаление материала подложки с участков, не защищенных контактной маской, с применением ионов инертных газов, образующихся в ионном разряде. [29]

Последовательность изготовления однопленочной ( а и двухпленочной ( б контактных масок. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5