Контактная маска

Cтраница 4

Технологический маршрут получения пленочного элемента с использованием контактной маски. [46]

Метод обратной, или, как его иногда называют, взрывной, фотолитографии ( рис. 2.3) отличается от предыдущего тем, что сначала на подложке формируется контактная маска, затем наносится материал пленочного элемента, после чего производится удаление контактной маски. При этом возможны два варианта нанесения пленки на контактную маску. Первый вариант - сначала пленка осаждается как на контактную маску, так и на свободные от нее участки подложки. Метод реализуется при термовакуумном напылении, ионном распылении, осаждении из парогазовой смеси. [47]

ИМС; б - сплошной слой материала контактной маски; в - нанесение негативного фоторезиста; г - экспонирование; д - проявление; е - травление или растворение открытых участков материала контактной маски; ж - готовая контактная маска на подложке; з - нанесение слоя материала тонкоплеиочного элемента; и - готовый тонкопленочный элемент на подложке; / - подложка; 1 - материал контактной маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напыленный материал. [48]

Маска - это трафарет, обеспечивающий избирательную защиту отдельных участков подложки при технологической обработке. Контактная маска - это рельефный слой, предназначенный для однократного использования. [49]

Контактная маска в отличие от свободной не имеет микрозазора между подложкой ИМС и маской в процессе напыления, так как является неотъемлемой частью подложки. Маска изготавливается из тонкой пленки непосредственно на поверхности подложки ИМС. [50]

Контактная маска в отличие от свободной не имеет микрозазора между подложкой ИМС и маской в процессе напыления, так как являетя неотъемлемой частью подложки. Маску изготавливают из тонкой пленки непосредственно на поверхности подложки ИМС. [51]

Схематическое изображение тон - ИЗ фОЛЬГИ ТОЛЩИНОЙ В НбСКОЛЬКО. [52]

Поэтому в контактной маске удается получить рисунок наносимой пленки. При последующем осаждении металла через такую маску трудно обеспечить плотное прилегание ее в пластине. При этом размеры наносимой пленки отличаются от размеров отверстий в маске. Поэтому метод свободной маски применяют для получения тонких. [53]

Материал контактной маски ( медь, алюминий, никель, окись висмута, фоторезист) должен выдерживать условия нанесения материала тонкой пленки, не испаряясь и не взаимодействуя химически с этим материалом, обладать малым коэффициентом диффузия, легко удаляться с подложки способами, не влияющими на свойства материала тонкой пленки. В зависимости от материала контактной маски существуют две разновидности этого метода. Далее обработкой полученной заготовки в растворителе для фоторезиста удаляют участки материалов тонкой пленки, лежащих на слое фоторезиста. [54]

Способ контактной маски отличается от способа свободной маски тем, что при его использовании маска изготовляется и существует только непосредственно на подложке и не может быть от нее отделена. Существуют две разновидности способа контактной маски: однопле-ночная и двухпленочная. При использовании однопле-ночной контактной маски ( рис. Л-13 а) сначала на подложке создают рельефный рисунок из фоторезиста. Затем на фоторезист напыляют требуемый материал, например хром, и подложку опускают в растворитель для фоторезиста. Последний, растворяясь, увлекает за собой лежащую на нем металлическую пленку, которая остается только на тех местах, где она осаждалась непосредственно на подложку. Способ однопленочной контактной маски иногда называют взрывной или обратной фотолитографией. [55]

Второй маршрут изготовления микрополосковых схем с применением гальванического усиления основан на другом принципе подачи потенициала на все рабочие элементы микросхемы. Затем формируют защитный рельеф и создают фоторезистивную контактную маску. Чтобы исключить боковое разрастание проводников, целесообразно lie - пользовать слои фоторезиста значительной толщины, близкой к толщине проводящего слоя при гальваническом наращивании. Таким образом, контактирование в этом случае осуществляют по сплошному напыленному слою меди, а гальванические слои осаждают в окна на фоторезисте по пробельным участкам. После гальванического усиления рабочих участков и нанесения на них антикоррозийного покрытия удаляют фоторезистивную контактную маску, растворяя ее, и стравливают тонкий слой меди с адгезионным подслоем. Иногда поверхности дополнительно очищают плазмохимическим способом. Для формирования контактной маски толщиной более 2 мкм используют сканирование электронным лучом. [56]

На подложку наносят пленку легко травящегося металла ( А1, Си и др.) и на нем формируют фоторезистивную маску, соответствующую негативному изображению будущего рисунка резисторов. После травления металла и удаления фоторезиста получают контактную маску, на которую наносят резистивную пленку. [57]

Второй ( косвенный) вариант заключается в том, что на подложку для микросхемы наносят сплошной слой материала контактной маски и с помощью обычного фотолитографического процесса получают требуемую конфигурацию маски. Далее удаляют фоторезист и на подложку с контактной маской наносят слой материала тонкопленочного элемента. При последующей обработке в травителе, селективном по отношению к максирую-щему материалу, последний вытравливается, и материал тонкопленочного элемента, лежащий над ним, отрывается от подложки. [58]

Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью фоторезистивной маски.| Последовательность получения тонкопленочного элемента с помощью металлической маски. [59]

Следующий этап - напыление пленки требуемого материала 3, который осаждается на открытые части подложки и маску. При опускании подложки в состав с травителем материал контактной маски растворяется и одновременно удаляется нанесенная на нем пленка напыляемого материала микросхемы. Поскольку для растворения материала контактной маски требуются слабые травители, то подложка не разрушается. Этот метод дает четкие и резкие края рисунка 4 схемы вследствие отсутствия зазора между маской и подложкой. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5