Контактная маска

Cтраница 3

После этого удаляют оставшуюся часть фоторезиста и получают подложку с нанесенной на нее контактной маской. При напылении пленки следующего, требуемого для работы микросхемы материала он осаждается как на открытые части подложки, так и на маску. [31]

Метод селективного травления - метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью контактной маски участков подложки от удаляющего ( травящего) воздействия. [32]

В настоящее время наиболее широко применяют избирательный локальный эпитаксиальный рост с использованием SiO2 - контактных масок с эпитаксиально-планарной технологией. [33]

Интересной модификацией данного способа является практическое использование эффекта подтравливания элементов схем с последующим применением метода контактной маски. [34]

Другим сдерживающим моментом является существующая и нока лишь в незначительной степени подвергающаяся изменению технология переноса изображения с защитной контактной маски на подложку с применением химических методов травления, окисления, электроосаждения. Химическое травление снижает разрешаю щую способность методов записи изображений и зачастую сводит к нулю применение новых высокоразрешающих систем воспроизведения изображения. Поэтому разработка и применение ионно-плазменных методов травления и легирования являются одним из необходимых моментов, которые будут определять возможность практической реализации предельной разрешающей способности различных систем воспроизведения изображений. [35]

Второй ( косвенный) вариант заключается в том, что на подложку для микросхемы наносят сплошной слой материала контактной маски и с помощью обычного фотолитографического процесса получают требуемую конфигурацию маски. Далее удаляют фоторезист и на подложку с контактной маской наносят слой материала тонкопленочного элемента. При последующей обработке в травителе, селективном по отношению к максирую-щему материалу, последний вытравливается, и материал тонкопленочного элемента, лежащий над ним, отрывается от подложки. [36]

Метод контактной маски ( отслаивание, взрывная фотолитография, обратная фотолитография) - метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью контактной маски участков подложки от нанесения материала элементов микросхем. [37]

Для придания пленкам определенной конфигурации для формирования на их основе пассивных элементов применяют четыре основных способа: свободной маски; контактной фотолитографии; контактной маски; трафаретной печати. [38]

Подложка может быть и диэлектрической ( стекло, ситалл, керамика) с нанесенными на ее поверхность слоями того или иного материала, из которого методами контактной маски, селективного травления или наращивания формируются пленочные компоненты. [39]

Технологический маршрут получения пленочного элемента с использованием контактной маски. [40]

Метод обратной, или, как его иногда называют, взрывной, фотолитографии ( рис. 2.3) отличается от предыдущего тем, что сначала на подложке формируется контактная маска, затем наносится материал пленочного элемента, после чего производится удаление контактной маски. При этом возможны два варианта нанесения пленки на контактную маску. Первый вариант - сначала пленка осаждается как на контактную маску, так и на свободные от нее участки подложки. Метод реализуется при термовакуумном напылении, ионном распылении, осаждении из парогазовой смеси. [41]

Схема фотонаборной установки. [42]

Для получения заданной конфигурации ( рисунка) компонентов ИМС и межсоединений применяют ряд методов, из которых наибольшее распространение получили методы свободной ( или механической) маски, контактной маски и селективного травления. [43]

ИМС; б - сплошной слой материала контактной маски; в - нанесение негативного фоторезиста; г - экспонирование; д - проявление; е - травление или растворение открытых участков материала контактной маски; ж - готовая контактная маска на подложке; з - нанесение слоя материала тонкоплеиочного элемента; и - готовый тонкопленочный элемент на подложке; / - подложка; 1 - материал контактной маски; S - фоторезист; 4 - фото - Шаблон; 5 - напыленный материал. [44]

Страницы: 1 2 3 4 5