Cтраница 1
Эффективная масса дырок определялась также из термоэлектрических измерений [54], и значение 0 18 tno, полученное при комнатной температуре, находится в видимом согласии с результатами циклотронного резонанса. Однако формулы, использованные при вычислениях величины эффективной массы из значений термоэлектродвижущей силы, были получены в предположении, что при комнатной температуре преобладает акустическое рассеяние, для которого время релаксации обратно пропорционально квадратному корню из энергии. В действительности же при этих температурах преобладает, по-видимому, полярное рассеяние, и время релаксации не зависит от энергии ( см. гл. [1]
Поэтому эффективная масса дырок, соответствующая различным уровням валентной зоны кремния и германия ( см. рис. 3.13, 3.14), должна быть различной. [2]
Теперь рассмотрим эффективную массу дырок. [3]
В соединениях III-V эффективная масса дырок часто намного превышает эффективную массу электронов. [4]
Различные типы полупроводников. [5] |
У некоторых полупроводников эффективная масса дырок очень велика по сравнению с эффективной массой электронов проводимости, и поэтому основной вклад в электрические свойства дают электроны проводимости. [6]
Внутри кристалла антрацена эффективная масса дырки была определена методом циклотронного резонанса ( разд. Несмотря на соответствие между кривой двумерной плотности состояний, изображенной на рис. 2.4.19, и экспериментальт ной кривой, показанной на рис. 2.4.21 6, нельзя не учитывать неизбежного присутствия локализованных ловушек, обусловленных примесями на поверхности и смещенными молекулами. [7]
Температурная зависимость удельной проводимости для антимонида индия с различным. [8] |
В тех случаях, когда эффективная масса дырок значительно превышает эффективную массу электронов, подвижность электронов может уменьшиться из-за электронно-дырочных столкновений. [9]
Он носит название обратного тензора эффективной массы дырок. [10]
Тогда под т следует понимать эффективную массу дырки m / i. Обычно она больше эффективной массы электрона в зоне проводимости, и, следовательно, акцепторные уровни по сравнению с донорными уровнями расположены более глубоко в запрещенной зоне. [11]
Существует некоторая неопределенность в отношении величины эффективной массы дырок в InSb. [12]
Гликсман и Вайзер [23] пытались определить величину эффективной массы дырок в фосфиде индия с помощью электрических измерений на материале р-типа. По температурной зависимости коэффициента Холла они установили, что для акцепторов энергия активации равна примерно 0 05 эв. [13]
Сг - постоянная, зависящая от температуры и эффективной массы дырки, Е - энергия, соответствующая верхней границе валентной зоны. [14]
А - постоянная, величина которой зависит от эффективных масс дырок и электронов. ДЕ, если этот график представляет собой прямую. [15]