Cтраница 3
Поэтому следует ожидать, что экситонная связь выгоднее гибридной в случае адсорбции атома с не слишком низким потенциалом ионизации на полупроводнике с достаточно узкой запрещенной зоной, малым сродством к электрону и малой эффективной массой дырки. [31]
С понижением температуры вклад в проводимость, обусловленный носителями примесной зоны, начинает возрастать по сравнению с вкладом носителей в валентной зоне; коэффициент Холла проходит через максимум, после которого прекращается быстрое возрастание сопротивления с понижением температуры ( фиг. Вследствие меньшей величины эффективной массы дырок в InSb проводимость, обусловленная примесной зоной, проявляется в нем при меньших концентрациях примесей, чем в германии. Патли [42] обнаружил проводимость, обусловленную примесной зоной, в образце с концентрацией избыточных акцепторов 2 - 1014 см-3, но не наблюдал такой проводимости ни в одном из образцов, в которых она составляла 6 - Ю13 см-3. При концентрациях акцепторов выше примерно 1015 см 3 примесная зона расширяется, а при концентрациях порядка 1017 см-3 сливается с валентной зоной ( фиг. [32]
Если в уравнении (3.23) вместо т взять эффективную массу электрона тп, то эта зависимость описывает распределение энергетических уровней в нижней части зоны проводимости. Если вместо т взять эффективную массу дырки тр, то формула (3.23) описывает распределение энергетических уровней в верхней части валентной зоны. [33]
Легко заметить высокую степень симметрии между состояниями п - и р-типа. Если не учитывать различия в эффективных массах дырок и электронов и различия в энергиях ионизации верхних и нижних состояний, то имеет место почти полная симметрия. [34]
Для полупроводника с положительной запрещенной зоной одновременное вырождение электронов и дырок невозможно. Но если эффективная масса электронов значительно меньше эффективной массы дырок, то уровень Ферми может оказаться в зоне проводимости, в результате чего в собственном узкозонном полупроводнике электронный газ окажется вырожденным. Такое состояние реализуется, например, в теллуриде ртути, для которого термическая ширина запрещенной зоны ( но не параметр Кейна Eg) равна нулю. [35]
При повышении температуры вырождение одного из газов может быть снято. Наиболее вероятно снятие вырождения для дырочного газа, поскольку эффективная масса дырок больше эффективной массы электронов, и быстрее заполняется зона проводимости. [36]
Ферми в собственном полупроводнике располагается посередине запрещенной зоны. С повышением температуры он поднимается обычно несколько вверх, так как эффективная масса дырок, как правило, больше эффективной массы электронов, располагающихся в зоне проводимости. Для большинства собственных полупроводников при обычных температурах это смещение столь мало, что им пренебрегают. [37]
Показать, что при учете взаимодействия электронов двух разных энергетических полос эффективная масса дырки, соответствующая нижней полосе, и эффективная масса электрона, соответствующая краю верхней полосы, будут равны по величине. [38]
В формулах (1.104) и (1.105) верхний знак соответствует электронам, нижний - дыркам. В случае дырочной проводимости ti и mi - время релаксации и эффективная масса дырок, начало отсчета для и л соответствует потолку валентной зоны, а величина энергии растет по мере углубления в зону. [39]
Здесь и и ир - подвижности электронов и дырок, различные по величине вследствие различия в эффективных массах и временах свободных пробегов ( см. стр. В большинстве случаев, хотя и не всегда, дело обстоит так, что эффективная масса электронов меньше эффективной массы дырок, а следовательно, подвижность электронов в этих случаях превышает подвижность дырок. [40]
Так как знак заряда дырки противоположен знаку заряда электрона, то для возникновения тока дырок, эквивалентного току, создаваемому коллективным движением электронов, знак эффективной массы дырок должен быть противоположен знаку эффективной массы электронов, располагающихся у вершины валентной зоны. Как известно, такие электроны обладают отрицательной эффективной массой. Поэтому эффективная масса дырок должна быть положительной. [41]
Структура энергетических зон InAs в настоящее время точно не известна. К, падает до 0 035 т при комнатной температуре. Очень мало сведений имеется и об эффективной массе дырок. [42]
ОЗГ 220 кДж / моль; сублимируется без разложения; ур-ние температурной зависимости давления пара: 1 % р ( Па) - 10600 / Т 12 27, температурный коэф. Вт / ( см - К); полупроводник обычно р-типа, эффективная масса дырок вдоль осей а, Ь, с та-ть 0 2т, тс 1 0 т ( т0 - масса своб электрона); температурный коэф. [43]
Глубокие уровни не выделены с точки зрения оптического поглощения относительно какой-либо из разрешенных зон, и по своему характеру переходы валентная зона - глубокий уровень и глубокий уровень - зона проводимости принципиально не различаются. Очевидно, для описания мелких акцепторных состояний в водоро-доподобное уравнение Шредингера нужно подставлять эффективную массу дырок в валентной зоне. [44]
Глубокие уровни не выделены с точки зрения оптического поглощения относительно какой-либо из разрешенных зон и по своему характеру переходы валентная зона - глубокий уровень и глубокий уровень - зона проводимости принципиально не различаются. Очевидно, для описания мелких акцепторных состояний в водородоподобное уравнение Шредингера нужно подставлять эффективную массу дырок в валентной зоне. [45]