Эффективная масса - дырка
Cтраница 2
Масса тп электрона в полупроводнике как правило не равна эффективной массе дырки, тр. Энергии электрона проводимости и дырки, как и энергия любой квазичастицы, являются периодическими функциями квазиимпульса. В экситон Ванье-Мотта объединяются электрон, имеющий энергию, близкую к минимуму в зоне проводимости, и дырка с энергией, близкой к максимуму в валентной зоне. [16]
Все сказанное об эффективной массе электронов относится и к эффективной массе дырок, поэтому мы не будем повторяться. [17]
Учитывая, что отношение NV / NC ( пропорциональное отношению эффективных масс дырки и электрона) не сильно отличается от единицы, делаем вывод, что энергетический уровень Ферми в собственном полупроводнике расположен практически в середине запрещенной зоны. Это позволяет упрощенно трактовать энергию Ферми как среднюю энер - гию, приходящуюся на один носитель заряда. [18]
Показать, что при учете взаимодействия электронов двух разных энергетических полос эффективная масса дырки, соответствующая нижней полосе, и эффективная масса электрона, соответствующая краю верхней полосы, будут равны по величине. [19]
Сейчас не подлежит уже сомнению недостаточность характеристики полупроводника шириной запрещенной зоны и скалярными значениями эффективных масс дырок и электронов. [20]
Обратим внимание на то, что для всех полупроводников эффективная масса электронов обычно существенно меньше эффективной массы дырок. [21]
Употребляемые здесь обозначения указаны в предыдущих параграфах, кроме Ev-потолка валентной зоны и т г - эффективной массы дырки. Херринг при этом указал авторам настоящей работы, что, строго говоря, эта формула в нашем случае неприменима, так как в пей не принято во внимание, что: 1) валентная зона в кремнии вырождена, 2) при комнатной температуре надо пользоваться не тем значением эффективно ]: массы, которое принято в опытах но циклотронному резонансу, так как kT - порядка энергии спин-орбитального расщепления. [22]
 |
Зависимости дрейфовых скоростей электронов и дырок в Si и электронов в GaAs от напряженности электрического поля. [23] |
В / см, а дрейфовая скорость дырок входит в насыщение при поле свыше 100кВ / см. Поскольку эффективная масса дырок больше, чем у электронов, то и поле, при котором наступает насыщение, у дырок выше. [24]
Формула для примесных уровней энергии по виду совпадает с формулой (3.3), необходимо лишь вместо те подставить mh - эффективную массу дырки. Однако, оказалось, что в кристаллах Ge и Si, где энергетический спектр примесей изучен с наибольшей полнотой, ситуация осложняется вырождением энергии в валентной зоне. Обсуждение эффекта, связанного с влиянием структуры зон на спектр уровней примеси, мы пока отложим и отметим лишь, что, например, в Ge опытные значения Wt для акцепторов почти такие, как и для доноров. В Si при mh0 4 из формулы (3.3) получаем Wn0 04 / raz эв, тогда как опытные значения Wx лежат в пределах от 0 045 эв для В до 0 065 эв для Ga с одним исключением для In, где W10 16 эв ( см. гл. Для акцепторной примеси величина W - f представляет собой энергетический зазор между основным примесным акцепторным уровнем и потолком валентной зоны. [25]
Так как знак заряда дырки противоположен знаку заряда электрона, то для возникновения тока дырок, эквивалентного току, создаваемому коллективным движением электронов, знак эффективной массы дырок должен быть противоположен знаку эффективной массы электронов, располагающихся у вершины валентной зоны. Как известно, такие электроны обладают отрицательной эффективной массой. Поэтому эффективная масса дырок должна быть положительной. [26]
 |
Точечные дефекты в ионном кристалле. О - А -, - i - B -, - С 2. [27] |
Для разорванной параболы вблизи дна зоны центр кривизны лежит внутри параболы т 0, а вблизи верхнего края зоны кривизна меняет знак и, следовательно, эффективная масса дырки отрицательна т 0, что объясняет поведение дырки 1как квазичастицы с положительным зарядом. [28]
Найти положение уровня Ферми в собственном полупроводнике относительно середины запрещенной зоны при комнатной температуре ( Г300 К), если эффективная масса электрона в 2 раза больше эффективной массы дырки. [29]
Так как сила притяжения дырки к отрицательно заряженному центру также равна е27ег2, то ясно, что и энергию ионизации акцептора можно определить по (16.1), понимая под тп эффективную массу дырки. [30]
Страницы: 1 2 3 4