Основная масса - электрон
Cтраница 2
Иная картина наблюдается для вырожденного газа. В таком газе основная масса электронов, энергия которых меньше ферми-евской, не может принимать участия в процессах рассеяния и изменять состояние своего движения под действием внешнего поля, так как это связано с переходом электронов на соседние уровни энергии, которые полностью заняты. Под действием внешнего поля § эти электроны, как показано на рис. 7.1 6, смещаются из левой части распределения в правую. [16]
При повышении температуры электроны постепенно переходят на более высокие состояния, но вначале изменение электронного распределения будет происходить только в месте, где функция Ферми спадает и при этом, как показано на фиг. Повышение температуры не затрагивает основной массы электронов. Следовательно, при не слишком высоких температурах в тепловом движении принимает участие лишь исчезающе малая часть электррнов к так что теплоемкость электронов очень мала. Только-когда температура достигает ххчеыь. С), намного превышающих комнатную, плотная упаковка электронов в глубоких состояниях разрежается, и мы получаем заметный вклад электронов в теплоемкость металлов. [17]
Следующее приближение при рассмотрении убегающих электронов ( диффундирующих из той области пространства скоростей, в которой основную роль играют столкновения в область высоких энергий) заключается в вычислении интегралов I ] и J ] с максвелловским распределением / 0 в подынтегральном выражении. Такое приближение вполне разумно, так как распределение основной массы электронов ( за исключением убегающих) является распределением Максвелла, и мы ищем квазистационарное решение, соответствующее медленному изменению функции распределения во времени. Рассмотрим процесс убегания электронов, принадлежащих хвосту функции распределения и обладающих достаточно высокой энергией, при довольно низких значениях приложенного электрического поля. Электроны со скоростями, близкими к средней скорости, будут рассмотрены позднее с помощью уравнений переноса. [18]
Как видно из рисунка, до седьмого резонатора пульсации скорости имеют практически статический характер, причем амплитуда этих пульсаций существенно больше во внутренних слоях электронного потока. Модуляция в седьмом резонаторе приводит к появлению динамических пульсаций ( поперечного колебательного движения основной массы электронов, вызванного воздействием ВЧ-полей зазора резонатора и пространственного заряда), амплитуда которых увеличивается, а период уменьшается. Из рис. 5.7, на котором представлены траектории центров масс крупных частиц, видно, что имеет место частичное перемешивание всех слоев. После седьмого резонатора за счет роста пульсаций пучок расширяется. [20]
Электроны, ионы и нейтральные атомы непрерывно сталкиваются между собой и обмениваются энергией; при этом некоторые атомы под ударами электронов приходят в возбужденное состояние и испускают избыток энергии в виде светового излучения. Однако электрические силы заставляют основную массу положительных ионов двигаться к катоду, а основную массу электронов - к аноду. При некотором напряжении U3 ( точкаВ), называемом напряжением зажигания, газ загорается и наступает режим тлеющего разряда. Величина напряжения зажигания в основном зависит от физической природы газа, заполняющего междуэлектродное пространство, давления газа, расстояния между электродами и их формы. Участок ВГ называют порогом зажигания. [21]
Электроны, ионы и нейтральные атомы, образующие плазму, непрерывно сталкиваются друг с другом и обмениваются энергией; при этом некоторые атомы под ударами электронов приходят в возбужденное состояние и испускают избыток энергии в виде светового излучения. Однако электрическое поле, действующее между контактами, заставляет основную массу положительных ионов двигаться к катоду, а основную массу электронов - к аноду. [22]
Стадия фрагментации б значительно быстрее для анион-радикалов арилиодида, чем для соответствующих анион-радикалов арихлорида. Следовательно, интермедиаты, полученные из арилиодида, имеют больше шансов вступить в реакции стадий б-д прежде, чем произойдет смешение с основной массой соль-ватированнных электронов. [23]
 |
Эквивалентная схема, показывающая уменьшение проходной емкости с помощью экранирующей сетки. [24] |
Ток экранирующей сетки ig2 образуется электронами, которые попадают на эту сетку. При нормальном режиме работы, когда напряжение анода выше, чем напряжение экранирующей сетки, ток ig2 значительно меньше анодного тока, так как основная масса электронов с большой скоростью пролетает сквозь экранирующую сетку. [25]
В то же время у определяется детальной структурой функции распределения. В частности, если начальная функция имеет вид, изображенный на рис. 6 ( кривая /), то можно сказать, что частота определяется основной массой электронов, в то время как инкремент - формой второго максимума при v и. Ek E0k ехр ( 7ьО - Однако линейное приближение справедливо до тех пор, пока можно пренебрегать членами типа FkdFk / dv в кинетическом уравнении. Учтем эти члены, разлагая возмущение в интеграл Фурье. [26]
При давлении газа менее 1 - f - 2 Па свечение газа в трубке прекращается. Это значит, что соударения электронов с молекулами газа, ионизация последних и обратный процесс рекомбинации происходят относительно редко. Поэтому основная масса электронов, вылетев из катода и разогнавшись в катодном пространстве, летит далее свободно по инерции. [27]
Интересно рассмотреть уравнения (8.157) - (8.164) с более физической точки зрения. Ток в пропускном направлении образуется вследствие инжекции дырок в га-область и электронов в р-область. Потенциальный барьер при наличии равновесия показан сплошной линией. Он удерживает основную массу электронов в га-области и основную массу дырок в р-области. При наложении положительной разности потенциалов F0 высота барьера понижается на величину F0, что на фиг. Теперь больше электронов может перейти из га-области в р-область, образуя электронный ток в пропускном направлении. Аналогично, возросшее число дырок, переходящих из р-области в га-область, образует прямой дырочный ток. С другой стороны, если F00, то высота барьера возрастет, а обратные токи упадут до значений запорных токов. Когда F0 велико и отрицательно, никакого потока электронов из га-области в р-область нет, остается только поток зарядов, обусловленный диффузией электронов из р-области по направлению к потенциальному барьеру, пройдя который они скатываются в га-область, и аналогичный диффузионный поток дырок из га-области. Порядок величины плотности тока насыщения можно легко оценить исходя из величины этих диффузионных токов. [28]
Прибор позволяет также осуществлять разделение электронов по скоростям, измеряя интенсивность каждой порции электронов с данной скоростью. Энергии электронов определялись по их способности про - N, бивать препятствия, поставленные перед входом вторичного электронного умножителя. Из полученных данных ( табл. 2) следует, что первые препятствия незначительной толщины резко снижают интенсивность счета. Отсюда следует, что основная масса электронов обладает энергиями ниже 40 кэв. Увеличение толщины препятствия до 30 мк уже не влияет на интенсивность счета. [29]
В той области значений т, где нет свободного разлета и где в основном сосредоточены частицы, это не приведет к заметному изменению скорости движения волны. Для значений т, при которых между функцией распределения горячих и холодных электронов появляется область значений V, где / 0 ( прит 0 3), установление плато на функции распределения горячих электронов приведет к уменьшению примерно в два раза средней скорости движения группы горячих электронов, разлетающихся свободно. Однако, поскольку свободно разлетающихся частиц очень мало, это не скажется на скорости движения основной массы электронов, а следовательно, и на характере движения волны. [30]
Страницы: 1 2 3