Эффективные массы

Cтраница 1

Эффективные массы в этих соединениях обычно малы, а полупроводники с малой эффективной массой носителей позволяют получить мощные эффективные фотоэлементы и хорошие оптические фильтры. [1]

Изоэнергетическая поверхность вблизи минимумов зоны проводимости в кремнии ( а и германии ( б. [ IMAGE ] а и Ь. [2]

Эффективные массы m и m называют поперечной и продольной соответственно. [3]

Эффективные массы т малы у краев зон и возрастают по мере удаления от них, что связано с малой шириной запрещенной зоны. [4]

Эффективные массы на дне зоны проводимости анизотропны, при этом анизотропия масс оказывается такой же, как и в минимуме X JOO - сфалерита. [5]

Эффективные массы т примерно равны: т 0 03 т0 ( для электронов) и тл () 06 та ( для дырок); т0 - масса покоя свободного электрона. [6]

Эффективные массы учитывают нуклон-нуклонные взаимодействия между нуклонной системой из двух тел и окружающим нуклонным морем - системой многих тел. [7]

Эффективные массы носителей в валентной зоне и зоне проводимости почти равны, так что из значений т можно легко определить непараболичность. [8]

Зона Бриллюэна графита и поверхность Ферми. [9]

Эффективные массы носителей тока определяются непосредственно при наблюдении резонансного поглощения энергии слабого электромагнитного поля кристаллом графита, находящимся в постоянном магнитном поле. Это явление поглощения наблюдается при низких температурах и называется диамагнитным г или циклотронным резонансом. [10]

Эффективные массы носителей заряда изменяются при изменении температуры и концентрации носителей. [11]

Если эффективные массы носителей заряда равны, то Ап Ар А. [12]

Так как эффективные массы те и тр одного порядка величины, то второе слагаемое в (58.6) мало по сравнению с первым, и уровень Ферми с хорошей точностью лежит в середине запрещенной зоны. Условия невырожденности газов электронов и дырок е - / Т 1 и е т 1 становятся совпадающими и приводят к неравенству ед / 2г 1, которое выполняется вплоть до Т и 103 К. [13]

Поверхности постоянной энергии для зон J 3 / 2 ( / s в полупроводниках типа алмаза и цинковой обманки. [14]

В результате эффективные массы этих зон отрицательны. Во многих случаях приходится рассматривать свойства полупроводника, в заполненной валентной зоне которого не хватает нескольких электронов. [15]

Страницы: 1 2 3 4