Напыляемый материал
Cтраница 3
 |
Схема ракетной установки. [31] |
В процессе выгорания связующего частицы напыляемого материала прогреваются до температуры, близкой к температуре размягчения, и распыляются, находясь в вязкотекучем состоянии. [32]
 |
Схема процесса плазменного напыления покрытий. [33] |
Вследствие того, что частицы напыляемого материала находятся в струе плазмы в течение 10 - 10 с, значительного разрушения или изменения состава порошка за счет высокой температуры не происходит. [34]
В методе открытого вакуума источник напыляемого материала помещен в камеры с холодными стенками, а температура подложки значительно ниже температуры источника. В этих условиях упругость паров напыляемого материала в камере невелика Например, по данным [65], для теллурида свинца при температурах источника и подложки соответственно 800 С и 370 С эффективное давление паров у подложки составляет 3 4 - 1 ( Г5 Тор. Отсюда следует, что в методе открытого вакуума длина свободного пробега молекул пара намного больше геометрических размеров напылителъной камеры и поток вещества от испарителя до подложки, так же как и поток вещества, реиспаряющегося с подложки, представляет собой молекулярные пучки, в которых частицы распространяются практически без соударений. При этом конденсация вещества на подложке происходит в существенно неравновесных условиях. [35]
В методе открытого вакуума источник напыляемого материала помещен в камеры с холодными стенками, а температура подложки значительно ниже температуры источника. В этих условиях упругость паров напыляемого материала в камере невелика Например, по данным [65], для теллурида свинца при температурах источника и подложки соответственно 800 С и 370 С эффективное давление паров у подложки составляет 3 4 - 1 ( Г5 Тор. Отсюда следует, что в методе открытого вакуума длина свободного пробега молекул пара намного больше геометрических размеров яапылительной камеры и поток вещества от испарителя до подложки, так же как и поток вещества, реиспаряющегося с подложки, представляет собой молекулярные пучки, в которых частицы распространяются практически без соударений. При этом конденсация вещества на подложке происходит в существенно неравновесных условиях. [36]
В зону плазменной струи непрерывно подают напыляемый материал. Расплавленные плазмой частицы металла увлекаются плазменной струей и с высокой скоростью напыляются на поверхность детали. [37]
 |
Конструкция тонкопленочного конденсатора. [38] |
В табл. 31 приведены основные параметры напыляемых материалов и получаемых на их основе тонкопленочных конденсаторов. [39]
Способ электродуговой металлизации основан на расплавлении напыляемого материала ( только проволоки) электрической дугой и нанесении его на поверхность изделия с помощью газовой струи. При электродуговой металлизации нанесение покрытий осуществляется электродуговыми металлизационнымй аппаратами. [40]
Процесс газовой металлизации основан на расплавлении напыляемого материала газовым пламенем и нанесении его на поверхность изделия струей сжатого воздуха. Напыляемым материалом для нанесения покрытий служат проволока, порошки, стержни. Газопламенное напыление применяют для получения покрытий при восстановлении шеек валов, подшипников скольжения, коленчатых валов, гильз цилиндров и других деталей. [41]
Сущность газопламенного напыления заключается в нагреве напыляемых материалов газовым пламенем и нанесении их на восстанавливаемую поверхность струей сжатого газа. [42]
Перемещение подложек, масок и смена напыляемого материала осуществляются механизмами подколпачного устройства. Подложки из кассеты ( вмещающей 33 подложки) поочередно попадают с помощью механизма транспортировки на позиции напыления. Карусельное устройство, снабженное шестью - различными масками, дает возможность производить напыление слоев на подложку из любого испарителя и в любой последовательности. Подложка, прошедшая полный технологический цикл, возвращается в кассету и вместе с ней перемещается на один шаг. [43]
 |
Данные для расчета коэффициента термического расширения. [44] |
Сущность метода заключается в том, что напыляемый материал нагревается в вакуумной камере ( давление 133 - 10 - - 133 - Ю 6 Па) до температуры, при которой давление металлических паров становится достаточно высоким для их конденсации на холодном образце. Поскольку напыление осуществляется в вакууме, то исключаются многие факторы, влияющие на изменение химического состава подложки, а также наносимого материала. [45]
Страницы: 1 2 3 4