Сегнетоэлектрический материал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если существует искусственный интеллект, значит, должна существовать и искусственная тупость. Законы Мерфи (еще...)

Сегнетоэлектрический материал

Cтраница 1


Сегнетоэлектрические материалы, пригодные для использования в технике СВЧ, - это оксиды типа титаната бария - ВаТЮ3, титаната стронция - SrTiO3 или их твердых растворов - ( Вах, Sri x) TiO3, где х - относительная доля бария в составе материала.  [1]

Сегнетоэлектрический материал можно использовать, чтобы стабилизировать его собственную температуру вблизи его температуры Кюри, а значит, и температуру окружающей среды, если приложить к нему переменное электрическое поле достаточно большой интенсивности.  [2]

Сегнетоэлектрические материалы обладают разнообразными полезными для практики свойствами. В частности, наличие сохраняющейся без поля поляризации делает их потенциальным объектом для записи и считывания информации. При этом из-за существенно меньшей толщины переходного слоя между доменами ( доменной стенки) плотность записи информации в сегнетоэлек-триках оказывается гораздо выше по сравнению с магнитными материалами, что означает предпочтительность их использования с точки зрения этого фактора.  [3]

Сегнетоэлектрические материалы с течением времени стареют; свойства материалов с высокой нелинейностью наиболее чувствительны к изменению температуры окружающей среды.  [4]

Сегнетоэлектрический материал может сохранять электрическую поляризацию при отсутствии воздействия электрического поля.  [5]

Сегнетоэлектрические материалы ЦТСЛ области / / /, находящейся вблизи морфотропной фазовой границы между ромбоэдрической и тетрагональной фазами, обладают низкой коэрцитивной силой и прямоугольной петлей гистерезиса и поэтому применимы в электрооптических запоминающих устройствах. Электрооптический эффект памяти состоит в том, что изменения показателя преломления, вызванные приложением электрического поля, сохраняются и после снятия поля, так как сохраняется остаточная поляризация.  [6]

Многие сегнетоэлектрические материалы при Т б обладают значением е порядка десятков тысяч.  [7]

Перспективность пленочных сегнетоэлектрических материалов способствовала развитию эпитаксиальных методов получения монокристаллических слоев, поскольку именно в этом состоянии сегне-тоэлектрики обладают достаточно высокой диэлектрической проницаемостью и другими классическими сегнетоэлектрическими свойствами. Например, в работе [503] описан способ получения ВаТЮ3, нанесенного из паровой фазы на монокристаллические подложки из LiF или золота при 400 - 700 С.  [8]

К отличительным признакам сегнетоэлектрических материалов относится факт реализации их полярного состояния в виде так называемой доменной структуры. Отдельный домен представляет собой макроскопическую область в кристалле, в пределах которой, в частности, в сегнетоэлектрике все элементарные ячейки поляризованы одинаковым образом. Направление спонтанной поляризации в соседних доменах составляет определенные углы друг с другом. Совокупность доменов с различной ориентацией вектора поляризации и представляет собой доменную структуру.  [9]

Весьма важна для технологии сегнетоэлектрических материалов. Титанаты кальция входят в состав высокоглиноземистых и титановых цементов.  [10]

Возможно, что группу сегнетоэлектрических материалов можно су щественно расширить, замещая ионы А и В в АВО сложннмя ионами.  [11]

Для изготовления нелинейных конденсаторов применяются другие сегнетоэлектрические материалы, обладающие резко выраженными нелинейными свойствами - сильной зависимостью диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля. Такие материалы называются варикондами. Вариконды предназначены для управления параметрами электрических цепей за счет изменения их емкости. Сегнетоэлектрики, петля гистерезиса которых по форме близка к прямоугольной, например, такие, как триглицинсульфат ( ТГС), можно применять в запоминающих устройствах ЭВМ.  [12]

Сегнетоэлектрнческие жидкие кристаллы - новый класс сегнетоэлектрических материалов; Сегнетоэлектричество возможно у смектических ЖК типа С и Н, молекулы которых не накладываются на свои зеркальные отображения. Точка Кюри ЖК сегнетоэлектри-ков является точкой фазового перехода II рода. Параметром перехода является угол наклона молекул относительно нормали к смек-тической плоскости, а не спонтанная поляризация. Сегнетоэлектричество в смектических жидких кристаллах ( СЖК) является следствием возникновения полярной ориентационной структуры, индуцируемой характерными для молекулярных кристаллов силами Ван-дер - Ваальса.  [13]

Система, весьма важная для технологии сегнетоэлектрических материалов. Титанаты кальция входят в состав высокоглиноземистых и титановых цементов.  [14]

Для диэлектриков, обладающих спонтанной поляризацией ( сегнетоэлектрических материалов, электретов), а также для нелинейных диэлектриков, у к-рых восприимчивость зависит от величины электр. В этом случае поляризованность Р апЕ ( а, - поляризуемость каждой частицы; п - число частиц в единице объема; Е - напряженность макроскопического электр.  [15]



Страницы:      1    2    3    4