Сегнетоэлектрический материал

Cтраница 3

При изучении процесса старения сегнетоэлектрика с точки зрения его диэлектрических свойств, которые, как было показано, обусловлены главным образом смещениями доменных границ, естественно рассматривать в первую очередь взаимодействие доменных границ с дефектами кристаллической решетки, контролирующее указанные смещения. В сегнетоэлектрическом материале со свежесформированной доменной структурой решеточные дефекты распределены статистически равномерно по объему материала. [31]

По аналогии с ферромагнетиками сегнетоэлектрические материалы в технической литературе обычно называют ф е р р о-электриками. [32]

Среди диэлектриков есть вещества, обладающие такими эффектами, как контактное электричество, пироэлектрический и пьезоэлектрический эффекты. Кроме того, в последнее время приобретают важнейшее значение сегнетоэлектрические материалы, начало которым положил титанат бария. [33]

Диэлектрические резонаторы, перестраиваемые по частоте. [34]

Способы электрической подстройки частоты основаны на применении нелинейных диэлектриков и ферритовых материалов. Первые попытки электрического управления резонансной частотой ДР были связаны с применением сегнетоэлектрических материалов непосредственно для построения объемных ДР. [35]

Возвращаясь к различиям между у и п, необходимо отметить, что для ряда сегнетоэлектрических материалов при определенных температурах наряду с пироэлектрическим эффектом характерны явления, не связанные с пироэлектричеством, которые мы назвали сопутствующими эффектами. Однако уже сейчас можно утверждать, что сопутствующие эффекты могут проявляться во всех сегнетоэлектрических материалах или, точнее говоря, во всех системах электрод - сег-нетоэлектрик - электрод. Величина и знак сопутствующего напряжения, а также его температурная зависимость определяются в первую очередь соотношением работ выхода материалов электродов и поверхностей сегнетоэлектрика. [36]

Явление усталости проявляется в изменении переключательных характеристик сегнетоэлектрика в процессе длительной работы. Число циклов переключения, начиная с которого проявляется усталость, зависит не только от сегнетоэлектрического материала, но и от материала электродов. [37]

Расширение применения сегнетоэлектрических кристаллов в технике, равно как и ряд фундаментальных задач физики твердого тела, не решенных до сих пор и имеющих отношение к сегнетоэлектричеству, стимулируют значительный интерес к проблеме сегнетоэлектричества в последние годы. В курсах по физике твердого тела сег-нетоэлектричество рассматривается теперь наряду с такими традиционными разделами, как магнетизм, сверхпроводимость, полупроводниковые явления и др. Более того, возникли новые специальности, непосредственно связанные с разработкой и применением сегнетоэлектрических материалов в оптике, акустике, вычислительной технике, конденсаторостроении. В ряде вузов читаются спецкурсы по физике сегнетоэлектриков. [38]

Висмуторганические соединения широко используются в медицине в качестве лекарственных и антисептических средств. Наряду с медициной, органические соединения висмута ( ацетаты, тартраты, цитраты, оксалаты и др.) предложено использовать в процессе получения полимеров, в качестве светочувствительных компонентов фотослоев, предшественников при синтезе мелкокристаллического оксида висмута, высокотемпературных сверхпроводящих материалов, сложных висмутсодержащих оксидов ( BiaWOe, B TisOu, Bi2MoO6 и др.) для сегнетоэлектрических материалов и катализаторов. Использование данных соединений позволяет существенно сократить время термообработки, снизить температуру синтеза материалов и улучшить их качество. Для синтеза висмутсодержащих сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и пьезоэлектрических материалов предложено также использовать алкоголяты и бета-дикетонаты висмута. Методом осаждения данных соединений из газовой фазы получают висмутсодержащие оксидные пленки. В [203] отмечается, что карбоксилаты висмута имеют существенное преимущество перед алкоголятами и другими висмут-органическими соединениями при получении из них оксидных пленок методом осаждения из газовой фазы. [39]

Рассмотрим основные результаты предлагаемого подхода. Будем предполагать, что сегнетоэлектрический материал имеет толщину I /, окружен поверхностным несегнетоэлектрическим слоем с толщиной А и диэлектрической проницаемостью е и помещен, либо ( другой случай) не помещен внутрь закороченного конденсатора. [40]

Особую группу конденсаторов составляют так называемые вари-конды - сегнетокерамические конденсаторы, емкость которых сильно зависит от приложенного напряжения. Однако в силу ряда недостатков на практике сегнетовая соль не используется. Более удачными материалами для варикондов являются титанат бария и сегнетоэлектрические материалы, содержащие титанаты бария и стронция. Наилучшим в настоящее время является материал ВК-1, на базе которого и изготовляются вариконды. [41]

Слой фотопроводника толщиной в несколько микрон формируется с одной или с двух Сторон керамической пластины. Чаще всего в качестве фотопроводника служит органический полупроводник - поливинилкарбозол, в котором хорошая фоточувстви-тельность сочетается с высокими оптико-механическими свойствами. Последнее весьма важно при совместной работе с пьезо-электраками, каковыми являются все сегнетоэлектрические материалы. [42]

Отсутствие достаточно дешевого и практически удобного метода получения сегнетоэлектрических материалов, удовлетворяющих поставленным требованиям, в настоящее время не привело к замене ферритов и электронных ламп сегнетоэлектриками. Однако усилиями многих исследователей эти затруднения преодолеваются все в. Исследовательские организации-в СССР и промышленные фирмы за рубежом применяют сегнето-электрики не только в вычислительных машинах в лабораторных условиях, но и активно ведут инженерные разработки, занимаясь совершенствованием технологии произвэдства известных сегнетоэлектрических материалов, а также изысканием новых сег-нетоэлектрйков. [43]

Причиной этого, как мы видели, является предпочтительность расположения дефектов в границе из-за понижения суммарной энергии рассматриваемой системы в данном случае. Таким образом, из-за диффузии дефектов к границе, со временем следует ожидать увеличения числа точек закрепления доменных стенок дефектами и далее, в соответствии с уже указанным выражением (9.1), понижения значения диэлектрической постоянной сегнетоэлектрического материала. [44]

Ферромагнитные свойства материалов - рассказывает Б. К. Вайнштейн - например железа, кобальта, никеля, известны с древних времен и изучаются несколько столетий кряду. Сегнетоэлектрические же свойства впервые обнаружены всего немногим более полувека назад. Лишь в последние 20 - 30 лет начался бурный рост исследований сегнетоэлектрических материалов. Это вызвано потребностями в них новейших областей техники - оптоэлектроники, электро - и гидроакустики, радиотехники и автоматики. [45]

Страницы: 1 2 3 4