Сегнетоэлектрический материал

Cтраница 2

Отсутствие достаточно дешевого и практически удобного метода получения сегнетоэлектрических материалов, удовлетворяющих поставленным требованиям, в настоящее время не привело к замене ферритов и электронных ламп сегнетоэлектриками. Однако усилиями многих исследователей эти затруднения преодолеваются все в. Исследовательские организации-в СССР и промышленные фирмы за рубежом применяют сегнето-электрики не только в вычислительных машинах в лабораторных условиях, но и активно ведут инженерные разработки, занимаясь совершенствованием технологии произвэдства известных сегнетоэлектрических материалов, а также изысканием новых сег-нетоэлектрйков. [16]

Широкому применению их мешает отсутствие дешевого метода получения сегнетоэлектрических материалов. [17]

Анализ параметров / ( - целесообразно начать с рассмотрения сегнетоэлектрических материалов, в которых они существенно изменяются в зависимости от близости к сегнетоэлектрическому ФП. Основной особенностью ФП в конденсированных средах, в том числе и сегнетоэлектрических ФП, является повышение лабильности структуры по отношению к воздействующим полям. [18]

В настоящее время известно несколько методов получения тонких пленок из керамических сегнетоэлектрических материалов, однако ни один из них не может быть рекомендован как универсальный, так как каждый может использоваться для получения пленок определенных толщин. [19]

Не разрешенные к настоящему времени проблемы создания воспроизводимых методов получения высококачественных диэлектрических и сегнетоэлектрических материалов на основе ниобатов ( танталатов) с использованием традиционного высокотемпературного керамического метода диктуют поиск новых контролируемых и воспроизводимых методов их получения. [20]

В результате исследований, проведенных Г. А. Смоленским и Маттиасом, были открыты новые сегнетоэлектрические материалы. В таблице 8 приводятся данные о температуре Кюри некоторых сегнетоэлектриков. [21]

В настоящее время проводятся работы, направленные на создание СОИ с использованием сегнетоэлектрических материалов, а также материалов с магнитооптическими, электрохимическими и другими свойствами. Весьма перспективны устройства отображения на лазерах, созданию и исследованию которых уже посвящено много работ. [22]

Температурные зависимости пирокоэффи-циента в LiNbOs, полученные при измерениях статическим методом. [23]

Возвращаясь к различиям между у и п, необходимо отметить, что для ряда сегнетоэлектрических материалов при определенных температурах наряду с пироэлектрическим эффектом характерны явления, не связанные с пироэлектричеством, которые мы назвали сопутствующими эффектами. Однако уже сейчас можно утверждать, что сопутствующие эффекты могут проявляться во всех сегнетоэлектрических материалах или, точнее говоря, во всех системах электрод - сег-нетоэлектрик - электрод. Величина и знак сопутствующего напряжения, а также его температурная зависимость определяются в первую очередь соотношением работ выхода материалов электродов и поверхностей сегнетоэлектрика. [24]

В книге приведены характеристики реальных нелинейных резисторов, в том числе термисторов и позисторов, а также характеристики ферромагнитных и сегнетоэлектрических материалов. [25]

Эквивалентность возникающего заряда для равных смещений доменных границ для случаев. первоначально не скомпенсированных ( а и полностью скомпенсированных ( б зарядов спонтанной поляризации. [26]

Как отмечалось выше, смещения доменных стенок в данной задаче предполагаются беспрогибными, поэтому единственным местом расположения зарядов спонтанной поляризации является поверхность сегнетоэлектрического материала. [27]

Схема доменной структуры сегнетоэлектрика. [28]

Вследствие того что в сегнетоэлектриках происходит ориентация целых макроскопических областей - доменов, а не отдельных молекулярных диполей, как в полярных диэлектриках, сегне-тоэлектрики обладают большой диэлектрической проницаемостью. Сегнетоэлектрические материалы, обладающие высокими значениями диэлектрической проницаемости, порядка 103 - 104, применяются для изготовления малогабаритных конденсаторов. [29]

Изучение релаксационных явлений в кристаллах и изменения этих явлений с частотой и т-рой является методом исследования несовершенств кристаллического строения. У сегнетоэлектрических материалов и ферромагнитных материалов наблюдается внутреннее трение, обусловленное необратимым смещением границ доменов при наложении мех. [30]

Страницы: 1 2 3 4