Легированный материал

Cтраница 3

Суммируя сделанные замечания, отметим, что пиролиз в трубчатых аппаратах из легированных материалов может оказаться, по нашему мнению, удовлетворительным только для малогабаритных установок. Для успешного промышленного использования трубчатых печей при рассматриваемых температурах необходима их дальнейшая серьезная конструкторская разработка. [31]

Вторая особенность проявляется в том, что в сильно ( промежуточно) легированном материале взаимодействие электронов и дырок с примесями играет двоякую роль. [32]

Принципиальная схема окисления сульфидов, содержащихся в сточных водах. [33]

Оборудование установки работает в агрессивной среде, поэтому оно должно быть изготовлено из легированных материалов или из обычной стали, но при этом внутренние стенки аппаратов должны быть покрыты защитными лаками. [34]

Зависимость тока от времени для импульсного диода. [35]

Требование малости С и rs приводит к тому, что СВЧ-детекторы изготовляются из сильно легированных материалов. [36]

Скорость окисления малоуглеродистой стали ( 0 15 % С с диффузионным хромовым покрытием при нагреве на воздухе при различных температурах. [37]

Стойкость диффузионных покрытий к указанным воздействиям в некоторой степени отличается от соответствующих свойств чистых легированных материалов. [38]

В газовых турбинах применение интенсивного охлаждения корпуса, ротора и лопаточного аппарата также позволяет применять менее легированные материалы. [39]

На подвески в конвективной секции в местах, где температура металла меньше 650 С, используется менее легированный материал. Боковые и потолочные подвески проходят через футеровку и крепятся к стальному каркасу печи. [40]

Одно из главных преимуществ последних двух способов заключается в том, что для изготовления внешних слоев редко используют легированные материалы. Обычно вполне подходит сравнительно тонкий лист из простой углеродистомарганцевой стали. [41]

Диффузионный резистив-ный компонент полупроводниковой интегральной микросхемы. [42]

Так, например, для высокоом-ного кремния ТКС7000 - 10 6 град 1, а в случае низкоомного сильно легированного материала ТКС имеет отрицательный знак. Номинал таких сопротивлений не превышает 10 ком. [43]

Экспериментальные исследования края поглощения антимо-нида индия, выполненные в начале 50 - х годов, показали, что в сильно легированном материале tt - типа край находится при гораздо больших энергиях, чем в собственном материале. Разница между собственным материалом и материалом р-типа была невелика. Объяснение этого эффекта, предложенное независимо Бурштейном [109] и Моссом [481], заключается в том, что благодаря достаточно низкой плотности состояний в зоне проводимости относительно малое число электронов может заполнить эту зону, что будет влиять на край поглощения. Другими словами, многие состояния вблизи дна зоны проводимости уже заполнены и поэтому не могут принимать электроны, оптически возбуждаемые из валентной зоны ( фиг. [44]

Фридман и др. рассмотрели кремниевый плоскостной диод с р - п-переходом, состоящий из материала базы n - типа с высоким удельным сопротивлением и сильно легированного материала р-типа с низким удельным сопротивлением. Они считают, что вопрос о соответствующем выражении для прямых характеристик при высокой плотности тока остается открытым. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5