Легированный материал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Молоко вдвойне смешней, если после огурцов. Законы Мерфи (еще...)

Легированный материал

Cтраница 4


Полная математическая теория транзисторов с р - га-переходами при низких уровнях инжекции была разработана Шокли [20] для случая, когда, все три секции транзистора состоят из сильно легированных материалов.  [46]

Последним интересным для нас примером служит р - t - гс - диод или, что еще ближе к действительности, р - v - п - или р - л-п - диод, где v и я означают соответственно слабо легированные материалы п - и р-типов. Чтобы провести анализ, рассмотрим р - v-я - диод, изображенный на фиг. Когда к этой структуре приложено обратное напряжение, лавинный пробой может происходить одним из двух способов. Когда прикладывается напряжение, положительный объемный, заряд быстро распространяется от 0 вправо в v-об-ласть. Если эффективная концентрация доноров ( Nd-Na) в v-области достаточно велика а последняя имеет достаточно большую протяженность W, пробой может произойти тем же способом, что и для р - га-перехода. В этом случае объемный заряд в v-области распространяется вправо на заданное выражением (1.130) расстояние, которое меньше Wi. Другой случай, который именно нас сейчас и интересует, встречается тогда, когда объемный заряд при пробое распространяется сквозь v-об-ласть в - область. Проанализируем теперь этот случай, соответствующий фиг.  [47]

В этом выражении, как уже отмечалось, п есть концентрация электронов в зоне проводимости; р - концентрация дырок в валентной зоне; я, - концентрация электронов и дырок в собственном материале; тРо - время жизни дырок в сильно легированном материале л-типа; тЛо - время жизни электронов в сильно легированном материале р-типа; pi - концентрация дырок в валентной зоне, если уровень Ферми совпадает с энергетическим уровнем центров рекомбинации; п - концентрация электронов в зоне проводимости, если уровень Ферми совпадает с энергетическим уровнем центров рекомбинации.  [48]

В этом выражении, как уже отмечалось, п есть концентрация электронов в зоне проводимости; р - концентрация дырок в валентной зоне; я, - концентрация электронов и дырок в собственном материале; тРо - время жизни дырок в сильно легированном материале л-типа; тЛо - время жизни электронов в сильно легированном материале р-типа; pi - концентрация дырок в валентной зоне, если уровень Ферми совпадает с энергетическим уровнем центров рекомбинации; п - концентрация электронов в зоне проводимости, если уровень Ферми совпадает с энергетическим уровнем центров рекомбинации.  [49]

50 Температурная зависимость вклада различных фонон-ных мод в поглощение звука в германии. [50]

Проведенный анализ результатов по поглощению звука в сильнолегированных образцах носит лишь качественный характер. В сильно легированных материалах наблюдалось большое увеличение поглощения звука - эффект, не связанный ни с одним из известных механизмов влияния нейтральной примеси на поглощение.  [51]

Данные термомеханических исследований свидетельствуют, что по мере увеличения содержания ПП в композициях переход образцов в вязкотеку-чее состояние смещается в область более низких температур, что положительно сказывается на условиях переработки материалов. Лучшая перера-батываемость легированных материалов хорошо иллюстрируется результатами реологических исследований. Так, энергия активации вязкого течения ПВЦГ составляет 188 кДж / моль. В то же время значение этого показателя для композиции, состоящей из 99 % ПВЦГ и 1 % ПП, снижается до 134 кДж / моль.  [52]

За последние десять лет в СССР проведены научно-исследовательские работы по замене чугуна в содовой промышленности более коррозионно-стойкими материалами. Однако высокая стоимость титана и легированных материалов ограничивает оснащение содовой промышленности этими конструкционными материалами. Поэтому для производства кальцинированной соды использование диффузионно-легированных металлов является весьма перспективным.  [53]

Практически в транзисторах, работающих в активном режиме, высокий уровень инжекции может наблюдаться только в базе. Действительно, эмиттер транзистора изготавливают из сильно легированного материала, так что получить высокий уровень инжекции в нем довольно трудно.  [54]

Емкость С ( и) состоит из емкости перехода, диффузионной емкости ( в области правее минимума характеристики) и емкости конструкции и монтажа. Так как время жизни носителей в сильно легированных материалах весьма мало, то мала и диффузионная емкость и определяющей компонентой, по-видимому, является емкость перехода.  [55]

Емкость С ( ц) состоит из емкости перехода, диффузионной емкости ( в области правее минимума характеристики) и емкости конструкции и монтажа. Так как время жизни носителей в сильно легированных материалах весьма мало, то мала и диффузионная емкость и определяющей компонентой, по-видимому, является емкость перехода.  [56]

Чтобы при изготовлении деталей и аппаратов на высокие давления исключить ошибку в применении материала, что может привести к опасным последствиям, проводят испытания материала спектроскопическим методом, травлением или проверкой электрических или магнитных свойств материала. Эти испытания проводят только в случае применения легированных материалов.  [57]

Их преимуществом по сравнению с пробками с цилиндрическими насадками является удобство изготовления, а также последующего шлифования после износа вследствие наличия центров. С другой стороны, под конус необходимо снимать значительный слой легированного материала, что удорожает обработку и затраты на материал, поэтому с определенного размера ( - 30 мм) становится выгодным выполнение конструкций с цилиндрическими насадками, которые, несмотря на дополнительные крепежные детали, оказываются более экономичными.  [58]

Чтобы обеспечить низкое значение уровня ij следует отказаться от применения сильно легированного материала, что приведет одновременно к повышению пробивного напряжения на коллекторе.  [59]

60 Секционные и многокамерные трубчатые печи в плане ВСЗ ( а и БСЗ ( б. [60]



Страницы:      1    2    3    4    5