Cтраница 4
Поскольку некоторая часть энергии проходит в оболочку, эффективный коэффициент поглощения ( а) оптического волокна данной длины будет меньше коэффициента поглощения массивного материала жилы эквивалентной толщины, если коэффициент поглощения материала оболочки меньше коэффициента поглощения материала жилы. [46]
Подобные исследования проводились и в 100 - кВ микроскопах, однако ход фазовых превращений и процессы движения дислокаций при пластической деформации могут существенно различаться в массивном материале и в тонких образцах, в основном, из-за влияния поверхности. [47]
Обычно передача тепла к садке определяет производительность печи при тонкостенном нагреваемом материале, в то время как выравнивание температуры в материале определяет производительность печи при массивном материале низкой теплопроводности. [48]
Самоподобие структурных. [49] |
Наличие молекул углерода ( фуллеренов) в чугуне и стали установлено совсем недавно [16] и можно надеяться, что первый полученный еще в древности по нанотехнологии массивный материал - булатная сталь - станет основой для создания нового поколения суперсталей. [50]
Зависимость изменения сопротивления пленок Cr - SiO ( 20 % SiO от времени нагрева при разных температурах.| Изменение сопротивления резисторов при различной удельной мощности луча. [51] |
При интенсивности потока ( 5 - 6) - 103 Вт / см2 наблюдается тенденция к насыщению; при этом величина р приближается к значению для массивного материала. Как показали исследования, такая подгонка резисторов одновременно стабилизирует пленки, уменьшает их ТКС и существенно повышает допустимую мощность рассеивания. [52]
Но применение метода измерения пропускания в мягкой рентгеновской области связано с рядом трудностей: сложностью приготовления тонких слоев исследуемых материалов равномерной толщины, отличием свойств тонких пленок от свойств массивного материала, сложностью точного измерения толщины пленок. Все это значительно осложняет точное определение оптических констант методом пропускания при длинах волн, больших единиц нанометров. Отметим также, что метод измерения пропускания вообще неприемлем для монокристаллов и соединений, из которых не могут быть приготовлены тонкие пленки. [53]
Было обнаружено, что при скорости напыления около 225 А / с и температуре подложки около 275 С сопротивление хрома может быть приблизительно в 2 раза больше, чем для массивного материала. [55]
Появляются аномалии поведения электронов, квазичастиц ( фононов, плазмонов, магнонов) и других элементарных возбуждений, которые влекут за собой изменения физических свойств УД систем, по сравнению с массивными материалами. [56]
Необходимо отметить, что степень взаимного растворения компонентов сплавов, изготовленных в виде тонких пленок в условиях значительного переохлаждения, может быть гораздо выше, чем это следует из диаграмм состояния для массивных материалов. [57]
Возможность исследования более толстых образцов делает метод просвечивающей электронной микроскопии методом анализа реальных материалов, так как при толщинах объекта - 1 мкм его микроструктура ( в частности, дислокационная структура) сохраняет структуру массивного материала. При 1000 - кВ микроскопе толщина исследуемых образцов А1 может быть до 8 - 10, Редо 2 - 2 5, Си до 2 и U до 0 4 мкм. Повышение напряжения свыше 1000 кВ не эффективно. [58]
Приготовление тонких фолы из массивных образцов требует более сложных методик, если необходимо избежать изменений структуры во время приготовления объекта. Массивный материал сначала режется на пластинки химическим или электроискровым методом, а затем утончается электрополировкой. В ходе этой последней операции иногда полезно перемещать образец между катодами для того, чтобы получить одинаковую толщину по всей площади образца. Окончательное утончение может быть произведено способом, описанным выше. [59]