Матрица - память
Cтраница 2
Модуль включает в себя схему выбора ячейки памяти, схему накопителя ( матрицы памяти, NXN элементов), схему ввода данных, схему вывода данных и схему управления, позволяющую осуществлять различные режимы работы. [16]
 |
Степень интеграции ДЗУПВ. [17] |
Динамические ЗУПВ являются наиболее экономичными компонентами для реализации относительно больших по объему матриц памяти с произвольной выборкой, но в эксплуатации они менее удобны. [18]
Структурная схема статического ОЗУ приведена на рис. 17.1. Основой статического ОЗУ является накопитель или матрица памяти, состоящая из отдельных запоминающих ( бистабильных) ячеек. Обычно в качестве этих ячеек используются различного рода триггеры. Двоичная информация, записанная в такую ячейку, может сохраняться в этой ячейке до тех пор, пока не будет заменена другой или не будет снято напряжение питания. [19]
Набор 1 осуществляется прошивкой провода сверху вниз, набор О - снизу вверх относительно лицевой стороны матрицы памяти. [20]
На рис. 156 и 157 даны схемы ячейки памяти и расположения этих ячеек вместе с изолирующими диодами в матрице памяти. [21]
Для реализации функций одной такой ячейки на корпусированных ИМС средней степени интеграции потребовалось бы 1800 корпусов ИМС с логическими кристаллами, 80 корпусов ИМС с матрицами памяти и дополнительные ЭРЭ для оконечных нагрузок линий. Для монтажа и взаимного соединения всех этих ИМС и ЭРЭ пришлось бы использовать 52 печатные платы, объединенные в четыре блока или четыре планшетные панели, и кабельные либо шлейфовые линии их соединения. [22]
 |
Эквивалентная схема формирования динамических параметров. [23] |
Как уже отмечалось, наряду с простыми ЛЭ в состав серий цифровых микросхем вводятся триггеры различных типов и схемы, построенные на их основе: регистры, счетчики, матрицы памяти. [24]
Отдельные элементы памяти, представляющие собой ферритовый сердечник с нанесенной на нем обмоткой, объединяются в единый блок памяти таким образом, что если по вертикальному и горизонтальному проводникам такой матрицы памяти одновременно пропустить импульсы тока, соответствующие каждый напряженности магнитного поля Нт / 2, то в обмотке, находящейся на их пересечении, возникнет суммарное поле. Если присоединить сердечник этой обмотки к катодному осциллографу, то на его экране мы получим петлю гистерезиса, примерно соответствующую приведенной на фиг. Естественно, конечно, что сигналы электрической информации должны подаваться в форме импульсов. [25]
Структурная схема типичного ПЗУ представлена на рис. 10.8. Дешифратором адреса памяти является комбинационная схема, которая по требуемому одному из N возможных адресов открывает доступ к соответствующему Af-разрядному слову в матрице памяти M-N. Содержимое этих М разрядов передается затем в выходной буферный распределитель. [26]
При построении ОЗУ большой емкости необходимо иметь в виду, что емкость нагрузки Сн на выходной разрядной шине прямо пропорциональна числу адресов, и это, учитывая также конечную величину сопротивления выходных транзисторов матрицы памяти, ограничивает быстродействие ЗУ. Из изложенного следует, что для получения быстродействующих ОЗУ большой емкости необходимо использовать модульный принцип построения ЗУ. [27]
Микросхема RAM состоит из двух одинаковых частей, каждая из которых включает усилители и формирователи записи данных AD и BD, дешифраторы адресов АА и ВА, блоки контроля четности адресов АА и ВА ч данных, усилители считывания данных AD и BD регистры данных AD и BD, матрицы памяти А и В и триггеры ошибки. [28]
Микросхема представляет собой программируемое постоянное запоминающее устройство емкостью 4096 бит ( 512 х 8) с открытым коллектором, с однократным электрическим программированием пережиганием перемычек. Включает матрицу памяти 64 х 64, усилители считывания, входной и выходной дешифраторы, схемы программирования. [29]
АХ позволяет довольно компактно смонтировать матрицу памяти. Как можно видеть из рис. 43, элементы связаны да один лист. Монтаж каждого листа производится отдельно, после чего из них набирается матрица. В устройстве пам ( яти на элементах B lAX благодаря расположению проводников опрашивающей обмотки под прямым углом к проводникам снимающей обмотки достигается значительное уменьшение взаимодействия потоков рассеивания. [30]
Страницы: 1 2 3 4