Cтраница 1
Мерва в более комфортные условия университетского города Казани. В июне 1916 года ученый был обменен на высокопоставленного русского военнопленного; обмен состоялся на севере Швеции, в городе Хапаранда. [1]
Ван дер Мерве И. [2]
Ван дер Мерве рассматривает преимущественно линейное несоответствие решеток. [3]
![]() |
Линейная модель дислокаций. [4] |
Модель ван дер Мерве. Рассматривая взаимодействие атомов на противоположных сторонах поверхности раздела бикри-сталла, ван дер Мерве исходит из следующих основополагающих представлений. [5]
Взяв уравнение ван дер Мерве для энергии поверхности раздела, Кабрера [133] провел аналогичные расчеты равновесных упругих напряжений для полусферических зародышей на бесконечной подложке и показал, что упругая деформация таких зародышей обратно пропорциональна их радиусу. Это заключение позволяет сравнительно просто проверить соответствие теоретических выводов экспериментальным данным. [6]
Франк и Ван дер Мерве [503] в 1949 г. постулировали, что при эпитаксиальном росте на поверхности раздела возникают дислокации, если имеется несоответствие между подложкой и растущим кристаллом. [7]
![]() |
Изменение периодов решетки зародышей платины на золоте в зависимости от их размеров. [8] |
В теории ван дер Мерве подложка считается бесконечной по толщине, и ее деформация не учитывается. [9]
Теория Франка и Ван-дер - Мерве была подвергнута критике рядом авторов. Смоллет и Блэкман [54], рассматривая равновесие двумерной решетки с точки зрения ее упругой стабильности по отношению к малым колебаниям, определили эффективные упругие постоянные монослоев и показали, что для ряда случаев ориентированного роста эти значения не удовлетворяют условию стабильности деформированных до соответствия с решеткой подложки монослоев осадка. [10]
Согласно теории Франка и ван дер Мерве [10, 11] первоначальная стадия роста характеризуется образованием неподвижного монослоя, однородною и соответствующего подложке, имеющего ту же геометрию решетки, что и подложка. Этот слой называется псевдоморфным монослоем. После образования этого монослоя продолжается дальнейшее наращивание толстой эпитак-сиальной пленки. Эта псевдоморфная пленка на определенных стадиях роста будет претерпевать некоторые превращения, приводящие к образованию свободного от напряжения объемного эпитаксиального слоя. Принцип псевдоморфного роста получил значительное экспериментальное подтверждение, см. разд. [11]
Экспериментальные возражения против механизма Франка - Ван-дер - Мерве состоят в следующем: 1) ориентированный рост наблюдается не только при значениях А АКрит, но и при существенно большем различии параметров; 2) в большинстве случаев при росте образуются не сплошные слои осадка, а трехмерные зародыши; 3) псевдоморфизм в толстых слоях осадка экспериментально не обнаружен. [12]
Ферми мгд Fermi mechanism - Франка - Ван-дер - Мерве крист. [13]
Следует подчеркнуть, что эти результаты, ни в коей мерв не влияют на исследования пластин или обояочек по теориям пластин и оболочек, обсуждаемым в этой главе и в остальной части книги; при таких исследованиях должным образом учитываются все подлежащие рассмотрению обстоятельства, ког - да используется D Eh Ai2 ( i - vz) J, как показывалось ранее. [14]
Действительно, в соответствии с рассмотренными ранее представлениями ван дер Мерве, псевдоморфизм в толстых слоях можно наблюдать в ограниченном числе случаев, когда несоответствие решеток мало. [15]