Мерва

Cтраница 2

Вероятно, при интерпретации этих результатов необходимо учитывать выводы теории ван дер Мерве. [16]

Увеличение длины линий дислокаций с толщиной согласуется с выводами теории ван дер Мерве о том, что с утолщением пленки уменьшается часть несоответствия, аккомодируемая упругой деформацией. [17]

Это пример так называемого послойного роста пленок по механизму Франка - Ван дер Мерве. Наконец, комбинированный механизм роста пленок по Странскому - Крастанову выявляется при использовании высокоразрешающего ПЭМ, как это видно на примере полупроводниковых гетерострук-тур на основе индий-галлиевого арсенида. Подробнее о квантовых точках и механизмах роста пленок см. подразд. [18]

Микрофотографии дислокационных структур перехода, полученных при различных условиях. [19]

При скорости конденсации-5000 А / мин длинные прямолинейные дислокации перехода располагаются строго в направлениях 110, 112 с периодичностью, необходимой для покрытия разницы параметров Ge и GaAs, согласно модели Вап-дер - Мерве. В настоящее время можно указать две причины отличий дислокационных структур перехода для рассмотренных условий: 1) извилистые линии дислокаций и наличие дислокационных петель могут свидетельствовать о процессах диффузии непосредственно в переходе Ge-GaAs или в топком слое материала, не превышающем нескольких сотен ангстрем. [20]

Бауэр [174], анализируя свои данные по адсорбции серебра на поверхности ( 100) меди и данные Тейлора [196] по осаждению меди на поверхности ( 110) вольфрама, пришел к выводу, что в обоих случаях нет ни деформации монослоев до соответствия с подложкой по ван дер Мерве, ни образования упорядоченных моноатомных слоев с нормальными периодами. По мнению Бауэра, на границе фаз образуются упорядоченные поверхностные сплавы. [21]

Джонс, однако, исходит из того, что несколько первых слоев меди на поверхности вольфрама упруго деформированы до соответствия с подложкой. Мерве в данном случае должны образоваться дислокации несоответствия, Джонс полагает, что первые шесть слоев деформированы до соответствия с подложкой и дислокаций не содержат. Лишь с превышением толщины слоя ( 5 - 6) 9 на нем образуются зародыши с нормальной кристаллической решеткой. Уменьшение энергии десорбции и снижение работы выхода после образования первого монослоя Джонс объясняет деформацией растущего слоя. [22]

Как упоминалось в разд. Франка и ван дер Мерве [.1] псевдоморфизм является необходимым этапом в процессе эпитаксиального роста. [23]

Образованный зародыш может в свою очередь явиться подложкой для следующего слоя, если только сила, действующая между атомами осадка, не меньше силы, возникающей между осадком и подложкой. Франк и Ван-дер - Мерве считают, что указанным путем возможно многократное повторение процесса образования зародышей, которое приводит к возникновению стабильной толстой пленки. Однако значительное утолщение этой пленки будет вызывать появление дислокаций, так как энергия деформации толстой пленки значительно больше, чем тонкой. [24]

Из текинских наилучшими считаются ковры племени Сарык и Салор в Иолатане и Пенде. За ними идут текинские ковры из Мерва и Ашхабада и наконец иомудские и ковры кочующих племен в окрестностях Кызыл-Аяка, Салорские ковры отличаются от прочих туркменских ковров ясно выраженным персидским влиянием. Текинские ковры вообще принадлежат к лучшим туркменским изделиям, но в торговле почти все туркменские ковры называются неправильно текинскими. [25]

Ввиду этого Франк и Ван-дер - Мерве [5] предположили, что когда § О 0 2, можно считать, что поверхность раздела состоит из небольших участков с относительно хорошим соответствием в расположении атомов исходного вещества и продукта, которые разделяются рядом пересекающихся между собой линейных дислокаций. Это предположение недавно было доказано Аме-линксом и соавторами [6] и Метьюзом [7], наблюдавшими такую сетку дислокаций с помощью электронного микроскопа. Важно отметить, что наличие двумерной сетки дислокаций обеспечивает существование на поверхности раздела между исходным веществом и продуктом особых точек, на которых более успешно проходят реакции захвата. [26]

Расширенные в сторону кристаллиты золота, образованные осаждением пара на ( 111 поверхности серебра. [27]

В течение долгого времени преобладала идея о том, что вероятность эпитаксии возникает тогда, когда в данной ориентацион-ной зависимости имеется подобие между точками подложки и решеткой осадка. Этой теории соответствия Франком и Ван-дер - Мерве [229] была дана специфическая формулировка, которая утверждает, что исходной стадией роста ориентированного слоя является образование монослоя осадка, который вынужден иметь атомное расположение, подобное тому, которым обладает подложка при условии, что несоответствие между принудительно сочетаемыми решетками является меньше некоторой критической величины. Предполагается, что по мере утолщения осадка аккумулируемая энергия напряжения, вызванная сжатием границы раздела, будет способствовать возникновению межфазных дислокаций, ослабляющих это напряжение. Теперь становится ясным, что для понимания этих явлений необходимо знать больше о механизме возникновения зародышей и роста, чем это доступно в настоящее время. Опыты Пальмберга, Родена и Тодда [230] выявили, насколько важную роль могут играть условия образования зародышей для эпитаксии. При температурах ниже 200 для роста ориентированных осадков серебра и золота на подложке из КС1 существенную роль играет ее предварительная электронная бомбарди ровка. Тот факт, что эпитаксиальные пленки можно выращивать при более высоких температурах так долго, как это возможно для исходного осадка ниже 200, указывает на то, что дефекты поверхности, которые образуются при электронной бомбардировке, влияют на образование зародышей, а не на процесс роста. [28]

Представляют интерес также другие работы Метыоза и других исследователей, в которых удалось раздельно оценить вклад упругой деформации и дислокаций несоответствия. Метьюз в соответствии с теорией ван дер Мерве приписал этот результат частичному изменению периодов сопрягающихся решеток ( на 0 06 %), направленному на уменьшение величины А. В соответствии с этим 4 % существующей разности периодов решеток PbSe и PbS компенсируется их деформацией, а остальные 96 % образованием дислокаций несоответствия. [29]

Они вызвали недовольство жителей Самарканда, Бухары, Мерва - словом, целого ряда среднеазиатских городов, где население не смогло вынести произвола гулямов. Восстание в Самарканде, например, привело к тому, что тюркский гарнизон был уничтожен, причем тюрок местные жители рвали на части. [30]

Страницы: 1 2 3 4