Мерва

Cтраница 3

На первой стадии конденсации осадок существует в виде маленьких кристаллических островков мо оатомной толщины, имеющих такой же параметр решетки, как и подложка. Такой механизм соответствует представлениям Франка и Ван-дер - Мерве [44], за исключением того, что эти авторы считают возможным сохранение стабильности псевдоморфного слоя до значительно больших толщин. [31]

Мы обратим внимание лишь на принципиальные представления и остановимся на основных выводах теории. В известном смысле развитые Франком и Ван-дер - Мерве представления являются продолжением модели Странского [49, 50] относительного изоморфного роста двух ионных кристаллов ( типа NaCl) с, равными параметрами, но различными зарядами. Странский на упрощенной модели показал, что при малом пересыщении невозможно образование трехмерных кристаллических зародышей критической величины. Рост должен, якобы, осуществляться слоями, причем растворимость Ln этих слоев различна: L2 L - Loo L. Следовательно, даже значительно ниже пересыщения кристалл должен быть покрыт моноатомным слоем второго вещества. [32]

Большое количество сведений, относящихся к закономерным срастаниям различных веществ, еще не обобщено в достаточно полном объеме. Здесь следует указать на обзорные работы Нейхауза [2, 3], Ван-дер - Мерве [4], Зейферта [5] и Лэшли [6], из которых наиболее полным является обзор Пэшли. Но даже в этом обзоре рассматривается лишь часть имеющегося экспериментального материала, главным образом электроногра-фические исследования. Совершенно недостаточно освещены работы наших советских ученых. [33]

Модель ван дер Мерве. Рассматривая взаимодействие атомов на противоположных сторонах поверхности раздела бикри-сталла, ван дер Мерве исходит из следующих основополагающих представлений. [34]

Существует несколько теоретических моделей механизма роста кристаллических слоев на монокристаллической подложке. Впервые теория ориентированного роста на подложке ( теория псевдоморфизма) была предложена Франком и Ван-дер - Мерве в 1949 г. Согласно этой теории, система слой - подложка имеет минимальную энергию при близком соответствии параметров решеток первого моноатомного слоя растущей фазы и подложки. Цредпочтительно более полное совпадение этих параметров, даже если растущий слой в равновесных условиях имеет параметры решетки, значительно отличающиеся от параметров решетки подложки. По мере роста кристалла деформация решетки моноатомных слоев постепенно уменьшается. Образуется псевдоморфная фаза - переходный слой со структурой, искаженной главным образом за счет дислокаций несоответствия. Последующие слои имеют неискаженную решетку, роль подложки нивелируется. При этом эпитаксиальный слой сохраняет ориентацию подложки. [35]

Эти ступеньки играют принципиальную роль в кинетике фазового превращения, так как на них реализуется перестройка элементарной ячейки кристаллической решетки и с ними связано понятие дислокаций превращения. Впервые это было понято и описано применительно к процессу механического двойникования ( Влади-мирс сий, 1947 [84]; Франк и Ван-дер - Мерве, 1949 [85]), поэтому именно Зтат случай мы используем для определения двойникующей дислокации какдримера дислокации превращения. [36]

Анизотропию скорости реакции окисления следует также рассматривать с учетом механических свойств окисной пленки, поскольку от этих свойств зависит, будет ли пленка сплошной и прочно связанной с металлической подкладкой. Несмотря на то, что количественной теории образования окисных пленок на металлах не существует, некоторые теоретические соображения Франка и Ван-дер - Мерве [138] относительно поверхностей раздела с монослоями, структура которых не соответствует структуре подкладки, и ориентированными пленками могут быть использованы при качественной оценке. В отличие от своих предшественников указанные выше авторы при изучении процесса образования ориентированных кристаллических пленок основное внимание уделили не геометрическим факторам, а энергетике этого процесса. [37]

Схема последовательных стадий образования дислокаций несоответствия с вектором Бюргерса, наклоненным к плоскости пленки. [38]

Дислокации несоответствия в эпита-ксиальных пленках полупроводников, насколько нам известно, специально не изучались. Эмик и др. [160], исследуя эпитаксию CaAs на Ge, пришли к выводу, что плотность дислокаций на поверхности германиевой подложки ( 103 см-2) не изменяется после наращивания арсенида галлия и что, следовательно, поверхность подложки не аккомодирует с растущим на ней слоем, как это следовало бы ожидать из теории ван дер Мерве. Однако недостаточность сведений не позволяет считать этот вывод однозначным. [39]

Ирана, Мервский оазис, оазисы юга совр. Афганистана, и области Мерв, вошедшей в Туркменистан, составляет одноим. [40]

ПОЛТОРАЦКИЙ, Павел Герасимович ( 1888 - 1918), деятель революц. Расстрелян эсерами 22 июля во время поднятого ими мятежа в Мерве. [41]

Бэссет [245] наблюдал небольшое вращение зародышей серебра в процессе роста, особенно во время срастания, когда два слегка разориентированных зародыша поворачиваются в направлении к точной ориентации. Подобные наблюдения были сделаны Пэшли [23] в случае золота на молибдените. Механизм этого явления, как полагают дю Плесис и Ван дер Мерве [255] может быть связан с наличием минимума энергии границы раздела. Это дает ответ на вопрос, почему по мере роста эпнтаксиальной пленки улучшается ее ориентация. [42]

Муратова был отправлен в район Мервского оазиса. В Мерв была направлена русская дипломатическая миссия с целью добиться от местных ханов и старейшин согласия не оказывать вооруженного сопротивления и признать власть русского царя. Мерва было решено признать русское подданство. Через четыре месяца русские войска вошли в Мерв, встретив лишь незначительное сопротивление со стороны местных жителей. В течение 1884 - 1886 гг. России подчинились и остальные туркменские племена. [43]

Дислокации, лежащие у поверхности раздела между двумя различными фазами, представляют особый интерес в связи с химическими реакциями в твердом состоянии. Мы можем выделить два важных класса дислокаций: одни, векторы Бургерса которых лежат параллельно поверхности раздела, и другие, для которых это не имеет места. Простейшим примером первого класса являются дислокации между плоской поверхностью кристаллического субстрата и адсорбированным кристаллическим монослоем. Эта концепция была введена Фрэнком и ван-дер - Мерве [28], которые использовали весьма упрощенную модель для рассмотрения эффектов несовпадения между нормальными межплоскостными расстояниями адсорбированного вещества и субстрата. Они нашли, что до некоторой критической величины несовпадения ( скажем, 10 %, хотя на количественные оценки не следует полагаться) монослой будет деформироваться, чтобы прифасоваться к субстрату, тогда как при более значительных несовпадениях он будет стремиться принять типичное для него межатомное расстояние независимо от межатомного расстояния субстрата. В таком случае образуются дислокации упомянутого типа. [44]

Состоит в посещении Мекки и др. св. Мекку, где 7 раз обходит вокруг Каабы, затем совершает ритуальный бег между холмами Сафа п Мерва. За 2 - 3 дня до курбан-байрама большинство паломников покидает Мекку и через долину Мина, где они бросают камешки в трех бывших идолов, и Муздальфу прибывают в долину Арафат. Здесь вечером 9 зу-ль-хиджжа они слушают проповедь меккан-ского имама, после чего возвращаются в Муздальфу. [45]

Страницы: 1 2 3 4