Cтраница 1
![]() |
Зависимость ширины запрещенной зоны Д. соединений типа АзВ5 от среднего атомного номера. [1] |
Металлизация связи в ряду аналогов простых тел и соединений вызывает сужение запрещенной зоны. Этот процесс можно представить себе таким образом: ослабление связи электронов происходит внутри ковалентных мостиков, последние как бы размываются, более или менее сильно, в зависимости от атомного номера. Благодаря ослаблению связи энергия активации валентных электронов ( ширина запрещенной зоны) уменьшается, но не становится равной нулю, что произошло бы в случае перехода части электронов в электронный газ. Последний процесс наступает с увеличением атомного веса в таких группах аналогов и вызывает резкий скачок в свойствах. Вещество перестает кристаллизоваться в той структуре, для которой были характерны свойства полупроводников, так как связи уже перестают быть направленными. Следующий элемент ( свинец) еще более типичный металл, чем белое олово. [2]
![]() |
Зависимость ширины запрещенной зоны Д. соединений типа А3В5 от среднего атомного номера. [3] |
Металлизация связи в ряду аналогов простых тел и соединений вызывает сужение запрещенной зоны. Этот процесс можно представить себе таким образом: ослабление связи электронов происходит внутри ковалентных мостиков, последние как бы размываются, более или менее сильно, в зависимости от атомного номера. Благодаря ослаблению связи энергия активации валентных электронов ( ширина запрещенной зоны) уменьшается, но не становится равной нулю, что произошло бы в случае перехода части электронов в электронный газ. Последний процесс наступает с увеличением атомного веса в таких группах аналогов и вызывает резкий скачок в свойствах. Вещество перестает кристаллизоваться в той структуре, для которой были характерны свойства полупроводников, так как связи уже перестают быть направленными. В группе элементарных полупроводников такой скачок наступает при переходе серого олова в белое. Следующий элемент ( свинец) еще более типичный металл, чем белое олово. [4]
Металлизацию связи в полупроводниках мы понимаем как ослабление связи электронов внутри ковалентных мостиков, размывание последних, более или менее сильное в зависимости от атомного номера. Вследствие этого энергия активации валентных электронов уменьшается, но не исчезает. Переход электронов в состояние электронного газа наступает обязательно во всех кристаллохимических группах полупроводников с увеличением атомного веса элементов, когда вещество кристаллизуется в другой структуре и приобретает свойства металла. При сопоставлении изменения свойств в рядах соединений-аналогов со свойствами атомов, их образующих, мы обратили внимание на то, что при переходе в рядах аналогов от одной кристаллической структуры к другой очень сильно меняются такие энергетические характеристики атомов ( или точнее остовов атомов), как суммарный групповой ионизационный потенциал и константа электросродства. [5]
Однако в некоторых полупроводниках металлизация связи может наступать только при высоких температурах, в жидком состоянии. Этот полупроводник, по нашим данным, не склонен к стеклообразованию, и мы полагаем, что это связано с металлизацией связи в расплаве. Отсюда следует, что при рассмотрении способности к стеклообразованию того или иного вещества необходимо принимать во внимание его свойства, например тип связи, не только в твердо. [6]
Необходимо иметь в виду, что, несмотря на некоторую металлизацию связи, преимущественным типом химической связи в кристаллах всех изоэлектронных соединений остается ионно-ковалентный или ковалентно-ионный. [7]
Предполагают, что атомы внутри слоев связаны ковалент-иыми силами со значительной металлизацией связи. Связь между слоями осуществляется силами Ван-дер - Ваальса. [8]
Предполагают, что атомы внутри слоев связаны ковалент-ными силами со значительной металлизацией связи. Связь между слоями осуществляется силами Ван-дер - Ваальса. [9]
![]() |
Интенсивность рассеяния для расплавов. а - Qe. б - Он. [10] |
Нагревание расплава сопровождается перестройкой ближнего порядка в сторону более плотной структуры и металлизацией связей. Температурный интервал, в котором происходят эти изменения, зависит от прочности сил, обусловливающих рыхлую упаковку атомов в твердом состоянии. Он наибольший у алмаза, кремния и германия. Их электроотрицательность настолько значительна, что при формировании кристаллических структур тенденция к образованию ко-валентных связей путем спаривания электронов в состоянии nsps - гибридизации преобладает над стремлением к отделению электронов. [11]
Сравнение твердости германия, кремния и алмаза позволяет сделать вывод, что в германии уже наблюдается некоторая металлизация связи. Это подтверждается и более низкой температурой плавления германия по сравнению с кремнием и алмазом, а также меньшей шириной запрещенной зоны и большей электрической проводимостью. Тем не менее германий является типичным полупроводником вплоть до температуры плавления. [12]
Наши наблюдения показали, что эти же вещества в стеклообразном состоянии обнаруживают правильное изменение свойств по мере металлизации связи. [13]
![]() |
Кристаллические структуры типа сфалерита ( а и вюрцита ( б. [14] |
Основные сведения о структуре соединений A111 Bv приведены в табл. 20.1. Указанные в таблице средние значения микротвердости отражают процесс металлизации связи в некоторых аналогах по мере возрастания молекулярной массы соединений. [15]