Метод - вакуумное испарение
Cтраница 1
Метод вакуумного испарения позволяет наносить любые пленки - проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые, магнитные, защитные - почти на любые подложки при однотипном, единообразном технологическом цикле. Последнее обстоятельство создает главную предпосылку для автоматизации процесса. [1]
При осаждении InP методом вакуумного испарения образующиеся пленки представляют собой смесь двух фаз - индия и фосфора. Пленки InP с размером зерен более I мкм J45 ], состоящие из одной фазы, могут быть получены при совместном испарении индия и фосфора из двух источников. [2]
На поверхность этого слоя методом вакуумного испарения осаждается слой металла. [3]
Пленки бромистого натрия получались методом вакуумного испарения непосредственно в камере электронографа ЭГ-1 при вакууме примерно 5 - 10 - 4 мм рт. ст.; в качестве подложки использовались аморфные целлулоидные пленки. [4]
Кроме сопротивлений и конденсаторов методом вакуумного испарения получены селеновые выпрямители, тонкопленочные индуктивности и другие детали. [5]
Способ получения пленочных сопротивлений методом вакуумного испарения металла на изоляционную подложку обеспечивает стабильность и высокую надежность сопротивлений. [6]
Катушки индуктивности изготовляет фирма Varo методом вакуумного испарения. Фирмой выпускаются трансформаторы высокой и промежуточной частот. Взаимная индуктивность и полоса пропускания определяются толщиной платы, на которую наносятся с разных сторон первичная и вторичная обмотки. Увеличение добротности достигается применением проводников большой толщины. Метод испарения в вакууме обеспечивает высокую степень воспроизводимости параметров. [7]
В совмещенных схемах пассивные элементы наносятся методом вакуумного испарения на поверхность изоляционного слоя, покрывающего монолитную полупроводниковую структуру с активными элементами. [8]
Легированные бором пленки аморфного кремния, создаваемые методом вакуумного испарения, непосредственно после осаждения содержат большое количество микрополостей и микрокристаллитов. [9]
Как отмечалось ранее, в элементах, создаваемых методом вакуумного испарения в сочетании с мокрым химическим процессом, пленка Cu2S, образующаяся на границах зерен, проникает внутрь слоя CdS, что приводит к значительному увеличению ( более чем в 10 раз) эффективной площади перехода и понижению напряжения холостого хода. Верхняя область вертикального участка перехода освещена значительно сильнее нижней, куда излучение вследствие его поглощения в полупроводнике почти не проникает. Поэтому нижняя область вертикального перехода находится практически в темновых условиях, и, следовательно, в ней наблюдаются меньшие потери носителей заряда. [10]
 |
Характер изменения.| Характер изменения. [11] |
Для каждого металла или сплава, из которого методом вакуумного испарения получают пленочные сопротивления опытным путем, разрабатываются соответствующие режимы технологического процесса. Так, например, при изготовлении стабильных пленочных сопротивлений из нихрома ( 80 % Ni, 20 % Сг) принимается следующий режим: температура источника испарения 1600 С, вакуум в рабочей камере не хуже 1 - 10 - мм рт. ст., температура подложки 300 - 350 С. [12]
В малогабаритных изделиях бортовой аппаратуры иногда МПП изготовляют методом вакуумного испарения материалов, что повышает надежность МПП за счет сокращения общего числа паяных соединений и позволяет получать резистивные, диэлектрические, полупроводниковые и магнитные пленки. [13]
При изготовлении тыльно-барьерных элементов на стеклянную пластину наносят методом вакуумного испарения пленки Мо и Аи ( толщиной 0 3 и 0 5 мкм соответственно), образующие контактную сетку, слой сульфида кадмия ( беспримесного или легированного индием) толщиной 10 мкм, слой Cu2 - xSe толщиной 5 мкм и пленку Аи толщиной 0 5 мкм, которая служит тыльным контактом. Полагают, что при уменьшении удельного сопротивления слоя CdS повысится напряжение холостого хода, а в результате оптимизации химического состава Cu2 xSe увеличится ток короткого замыкания. [14]
При изготовлении солнечных элементов из кремниевых пленок, создаваемых методом вакуумного испарения [23], а также пленок, выращиваемых на керамических [24] и многократно используемых [3] подложках, легирование и формирование р-п-перехода осуществляются с помощью обычной диффузионной технологии. [15]
Страницы: 1 2 3 4