Метод - вакуумное испарение
Cтраница 4
Дас и др. [74] измерили вольт-амперные характеристики солнечных элементов на основе Cu2S - ZnxCd - xS и установили, что при всех возможных значениях х существуют два механизма протекания тока. У элементов обоих типов при любой температуре увеличение концентрации цинка приводит к понижению обратного тока насыщения. У элементов, создаваемых методом вакуумного испарения, возрастание напряжения холостого хода, связанное с повышением концентрации Zn, вызвано уменьшением обратного тока насыщения, которое обусловлено главным образом увеличением ФВ - Авторы [74] отмечают, что несоответствие параметров кристаллических решеток используемых материалов не оказывает существенного влияния на плотность состояний в области границы раздела. Марти-нуцци и др. [22] утверждают, что в исследованных ими элементах возрастание Voc связано непосредственно с увеличением высоты барьера и, следовательно, с уменьшением & ЕС. [46]
Как правило, CdS и ZnS во всем возможном диапазоне их относительных концентраций образуют твердый раствор, и независимо от метода осаждения при концентрации ZnS в пределах до 60 % пленки сплавов кристаллизуются в структуре вюртцита. Если концентрация ZnS превышает 80 %, то пленки имеют кубическую структуру сфалерита. В случае осаждения пленок методом вакуумного испарения при концентрации Zn ниже 60 % образуется кристаллическая решетка вюртцита с осью с, перпендикулярной плоскости подложки. [47]
Зерна столбчатой формы имеют более низкую скорость объемной рекомбинации, что способствует возрастанию фототока. Таким образом, пленки, обладающие столбчатой структурой, обеспечивают более высокие характеристики элементов, причем улучшение характеристик происходит также при. Пленки столбчатой структуры, получаемые методом вакуумного испарения, содержат зерна с ярко выраженной преимущественной ориентацией оси с относительно нормали к поверхности подложки. При небольшой толщине пленки образуются очень мелкие разориентированные зерна. [48]
 |
Внешний вид керамических конденсаторов. [49] |
Конструктивно бумажные конденсаторы выполняются из двух длинных полос алюминиевой или оловянной фольги, разделенных бумажным диэлектриком и свернутых в виде рулона. Диэлектриком служат несколько слоев конденсаторной бумаги толщиной 0 006 - 0 012 мм; число слоев определяется электрической прочностью конденсаторов. В так называемых металлобумажных конденсаторах обкладки наносятся непосредственно на бумажный диэлектрик методом вакуумного испарения. [50]
 |
Классификация многослойных печатных плат. [51] |
Для изготовления таких плат применяются многочисленные методы, основанные на тонко - и толстопленочной технологии. При использовании тонкопленочной технологии диэлектрические и токопроводящие слои наносят с помощью одного из методов вакуумного испарения, которые характеризуются разнообразием применяемых материалов и возможностью создания многослойных структур в одном технологическом цикле. Недостатками метода являются низкая производительность, сложность технологического оборудования, необходимость вакуума. [52]
Регулируя количество испаряемого селена, изменяют тип проводимости пленок. Травление в НС1 необходимо для сенсибилизации структуры. Другой способ изготовления элементов заключается в том, что все входящие в их состав слои осаждают методом вакуумного испарения в едином цикле, без разгерметизации системы. [53]
Еще меньшую температуру кипения имеет кадмий, но он значительно дороже цинка. При использовании цинка для металлизации можно не добиваться особо высокого вакуума; обычно допускается работа при остаточном давлении до 0 15 мм рт. ст., по некоторым данным даже до 0 5 мм рт. ст. В парах цинка можно получать высокую молекулярную интенсивность, затрудняющую проникновение молекул остаточных газов в глубь струи паров цинка и воздействие молекул газов с молекулами цинка. Недостатком цинка является низкое значение критической температуры t, при которой происходит надежное сцепление металла с поверхностью диэлектрика при металлизации методом вакуумного испарения. С, а потому при положительных температурах, при которых приходится вести металлизацию, получить слой цинка удовлетворительного качества на бумаге не удается. [54]
Электрохимическое оксидирование - химический процесс, происходящий в кислой электролитической ванне под воздействием химических реагентов и температуры. Диэлектрик конденсатора, например окись тантала, образуется на аноде электролитической ванны в виде металлической пленки, состоящей из электролита и танталового катода. Толщина диэлектрика из окиси тантала прямо пропорциональна приложенному напряжению. Второй электрод получается методом вакуумного испарения. [55]
Страницы: 1 2 3 4