Метод - вакуумное испарение
Cтраница 2
Рассмотрим теперь несколько подробнее получение пленок-подложек из различных материалов методом вакуумного испарения. [16]
Пленочные датчики изготавливают посредством нанесения тонких пленок на подложку методом вакуумного испарения исходного материала. [17]
Однако авторы отмечают, что, поскольку пленки кремния, осаждаемые методом вакуумного испарения, имеют столбчатую структуру, для получения зерен диаметром 30 мкм потребовалось бы нанести пленку толщиной 50 мкм. Si с размером зерен 5 мкм, осаждаемых с помощью вакуумного испарения), что свидетельствует о существенном влиянии на характеристики элементов несоответствия параметров кристаллических решеток материалов пленки и подложки, степени чистоты поверхности зерен и концентрации легирующей примеси. [18]
Из рассмотренных выше трех основных методов металлизации для органических диэлектриков единственно подходящим является метод вакуумного испарения металла. [19]
Дэр и др. [34, 57] сообщали, что пленки с пониженным удельным сопротивлением, получаемые методом вакуумного испарения, состоят из зерен большего размера и имеют более упорядоченную структуру, чем пленки с повышенным удельным сопротивлением, которые содержат аморфные области. Для низ-коомных пленок непосредственно после осаждения характерно небольшое избыточное количество кадмия которое увеличивается при термообработке, в результате чего концентрация носителей возрастает, а удельное сопротивление пленок уменьшается. Значительное повышение удельного сопротивления пленок, осаждавшихся с высокой скоростью, при выдержке в атмосферных условиях и при термообработке связано с обеднением носителями мелких зерен. Скорость осаждения и температура испарителя существенно влияют на микроструктуру и, следовательно, на электрические свойства пленок. Хамерски [36] провел исследование зависимости свойств испаряемых пленок CdSe от давления остаточного кислорода и температуры подложки и сделал вывод, что при высоких температурах подложки образуются пленки специфической структуры, содержащие включения О2 в виде комплексов. Автором также показано, что удельное сопротивление пленок сильно зависит от парциального давления О2 и в меньшей степени - от температуры подложки и материала испарителя. На кривой, отражающей зависимость удельного сопротивления пленок от скорости осаждения, наблюдаются аномальные минимумы, положение которых для пленок CdSe, полученных при различных парциальных давлениях О2 зависит от отношения количества молекул CdSe ( в паровой фазе) и О2, соударяющихся с подложкой. Установлено, что глубина минимумов определяется парциальным давлением О2 в процессе осаждения пленки. [20]
 |
Усилитель мощности в гибридном исполнении. [21] |
Для получения медных пленок толщиной 6 - 8 мкм с указанной разнотолщинностью наиболее часто используется метод вакуумного испарения из тигля с разогревом электронным потоком и вращением подложек вокруг испарителя. Перед нанесением металлических пленок поверхность подложки может быть подвергнута обработке в тлеющем разряде или ионной обработке непосредственно в вакуумной камере напылительной установки. Часто подложка подвергается термической обработке при температуре до 200 С также в вакуумной камере перед нанесением пленок. [22]
Для покрытия пластмасс, стекол и других материалов тонкими металлическими пленками и вакуумной очистки металлов используется метод вакуумного испарения. В качестве материалов нагревательных элементов нашли применение графит, карбиды и бориды тугоплавких металлов. В некоторых случаях нагреватели изготавливаются из карбида титана, который хорошо удовлетворяет требованиям к материалам нагревательных элементов: хорошая электропроводность, коррозион-но - и окалиностойкость, механическая прочность и сопротивление термоудару, нерастворимость в расплавленном металле и смачиваемость им. [23]
 |
Графики зависимости толщины слоя сульфида меди d от продол жительности окунания при различных составах пленок ZnxCdi - xS. [24] |
В Другой работе Бертон и др. [40] отмечают, что пленки ZnxCdi - xS, осаждаемые методом вакуумного испарения из одного источника, неоднородны по составу в направлении, перпендикулярном подложке, поскольку из порошкообразного Zn Cdi - xS интенсивно испаряется кадмий. [25]
Фельдман и др. [23] измерили вольт-амперные характеристики нескольких солнечных элементов на основе пленок кремния, полученных методом вакуумного испарения при различных температурах подложки и имеющих неодинаковый размер зерен, и установили, что темновые характеристики отвечают уравнению, содержащему два экспоненциальных члена с пред-экспоненциальными множителями / si и / S2 и диодными коэффициентами п и п2 2, соответствующими диффузионному и рекомбинационно-генерационному механизмам протекания тока. Независимые измерения диффузионной длины носителей заряда и размера зерен показали, что / si уменьшается при возрастании диффузионной длины ( что согласуется с теоретическими результатами), a JS2 понижается при увеличении размера зерен вследствие уменьшения количества рекомбинаци-онных центров. [26]
Тонкопленочные солнечные элементы со структурой металл - диэлектрик - полупроводник на основе CdSe [36] получают посредством осаждения методом вакуумного испарения на стеклянную подложку ( с покрытием из хрома толщиной ОД мкм) при температуре 425 С слоя CdSe толщиной 2 мкм со скоростью - 1 ЕМ / С. Слой CdSe имеет поликристаллическую структуру с осью с, ориентированной перпендикулярно подложке. [27]
Дас и др. [74] исследовали влияние температуры на вольт-амперные характеристики тонкопленочных солнечных элементов со структурой Ci S-CdS, изготовляемых методом вакуумного испарения в сочетании с химической реакцией в твердой фазе, и установили, что на графиках зависимости lg ( I IL) от V при всех рассмотренных значениях температуры отчетливо видны два участка с различным наклоном. Для величины Jso получено значение - 8 - Ю8 мА / см2, и с помощью соотношения / s0 - gArcS / ( Nc - эффективная плотность состояний в зоне проводимости CdS, S / - скорость рекомбинации на границе раздела) вычислено значение S /, составившее - 2 - Ю6см / с. При низких напряжениях преобладает рекомбинационно-генерационныи механизм протекания тока в обедненном слое. [28]
Вместо зеркал можно использовать отполированные, строго перпендикулярные к оси кристалла торцовые грани рубина, на которые в этом случае методом вакуумного испарения следует нанести подходящее отражающее покрытие. При этом одна из граней должна также частично пропускать свет. [30]
Страницы: 1 2 3 4