Метод - термокомпрессия
Cтраница 2
Надежное электрическое соединение контактных площадок и выводов обеспечивается обычно методом термокомпрессии. Такое сочетание давления и температуры способствует взаимной диффузии атомов обеих соединяемых деталей. [16]
Гибкие выводы выполняют из проволоки диаметром 30 ч - 40 мкм и методом термокомпрессии присоединяют к полупроводниковой структуре. [17]
Омические контакты обычно изготовляют сплавлением, электрохимическим или химическим осаждением, вакуумным испарением, методом термокомпрессии или с помощью ультразвука. [18]
Соединение контактных площадок пластины интегральной схемы с выводами ножки корпуса осуществляется золотой проволокой диаметром 25 мкм методом термокомпрессии. Коваровый колпачок корпуса соединяется с ножкой методом. [19]
Разновидностью бескорпусной ИМС с шариковыми выводами является ИМС на ленте-носителе ( рис, 6.3), укрепленная методом термокомпрессии на фольгирован-ной полиимидной пленке. По краям и в центре с определенным шагом лента перфорирована и напоминает обычную киноленту с кадрами. Установка ИМС на ленту проводится в окно кадра, куда приходят и привариваются к шариковым выводам паукообразные печатные проводники. Контактные площадки в средней зоне кадра используются для последующей их приварки к контактным площадкам подложки МСБ, печатной платы или внутренним выводам при установке в корпус ИМС. [20]
 |
Структура полупроводниковой микросхемы.| Этапы изготовления изолированных областей ( карманов в кремниевой пластине.| Общий вид кристалла в полупроводниковой микросхеме. [21] |
Соединение микросхемы с внешними выводами осуществляют золотыми или алюминиевыми проводниками диаметром около 10 мкм, Такие проводники присоединяют к золотым или алюминиевым пленкам методом термокомпрессии и приваривают к внешним выводам микросхемы. [22]
Сборочные операции относятся к типу заключительных и включают в себя: разделение пластин на кристаллы, монтаж кристалла на кристаллодержателе методом пайки или ультразвуковой сварки, присоединение выводов к контактным площадкам кристалла и траверсам корпуса методом термокомпрессии или сварки, защиту кристалла компаундом или лаком, герметизацию корпуса. [23]
 |
Схема установки точечной сварки. [24] |
При термокомпрессии происходит атомарное сцепление в тонком поверхностном слое. Метод термокомпрессии отличается от пайки тем, что элементы схемы могут быть быстро соединены на открытом воздухе и без применения флюсов. [25]
 |
Конструкции фотодиодов. а - ФД-2, б - ФД-3. [26] |
При большой площади перехода контакты к диффузионному слою - тина выполняют в виде кольца или сетки напылением алюминия. Электрод подсоединяют к контактам методом термокомпрессии. Если площадь перехода мала, то контакт выполняют термокомпрессией тонкого золотого электрода непосредственно к слою п-типа. [27]
Вполне резонно предположить, что, усовершенствуя технологию, можно уменьшить плотность ловушек и вместе с ней 1 / / - шум. Котани [32] обнаружил, что использование при изготовлении диодов методов термокомпрессии приводит к высокому уровню 1 / / - шума. Такая технология связана с высокими температурами и напряжениями, в результате чего появляются дефекты решетки, которые действуют как центры захвата и, следовательно, увеличивают 1 / / - шум. Согласно Котани, ЧМ-шум значительно увеличивается из-за наличия этих дефектов, влияющих на образование домена и скорость его переноса. [28]
 |
Технология изготовления меза-планарного германиевого транзистора. [29] |
Пластины с готовыми п-р - п структурами режут на кристаллы 1X X1 мм, которые напаивают сплавом золото - сурьма в водородной печи при температуре 450 - 500 С в течение нескольких минут на коллекторный вывод ножки корпуса прибора. Выводы к эмиттерному и базовому электродам и к траверсам ножки присоединяют методом термокомпрессии. [30]
Страницы: 1 2 3 4