Cтраница 4
Исходным материалом, образующим впоследствии коллектор, является сравнительно высокоомный кремний с электронной электропроводностью. Поверхность пластинки кремния покрывают защитным слоем SiO2, в котором создаются кольцевые окна. В центральную часть пластинки путем направленной диффузии вводят акцепторную примесь, образующую диффузионную базу с дырочной электропроводностью. На поверхность базы наносится новый слой Si02 с кольцевыми окнами, через которые методом диффузии вводят доноры, образующие эмиттер с повышенной концентрацией носителей. К контактным кольцам методом термокомпрессии присоединяют выводы коллектора, базы и эмиттера. В кремниевой пластинке диаметром 30 мм создают до 400 планарных транзисторов. [46]
Термокомпрессионная микросварка заключается в одновременном воздействии на свариваемые детали давления и повышенной температуры. Соединяемые металлы разогреваются до определенной температуры ( начало рекристаллизации), при которой начинает появляться заметное сцепление ( диффузия) очищенных от окислов поверхностей металлов при приложении даже небольшой нагрузки. Этим способом можно присоединять электрические выводы толщиной не более нескольких десятков микрон к контактным площадкам кристаллов, размеры которых не превышают 20 - 50 мкм. Соединение проводят следующим образом: микропровод из алюминия или золота прикладывают к кристаллу полупроводника и прижимают нагретым стержнем инструмента. Основными параметрами, определяющими режим термокомпрессионной микросварки, являются удельное давление, температура нагрева и время сварки. Метод термокомпрессии требует тщательного контроля этих параметров. [47]
Высокая функциональная сложность многослойных интегральных схем обусловливает необходимость большого числа контактных площадок на ее поверхности для создания внешних соединений. Например, интегральная схема, показанная на рис, о, имеет 18 контактных площадок. Эти контактные площадки, являясь частью верхнего слоя металлизации, позволяют осуществить внешние соединения. Эти способы принципиально различны. При проволочном монтаже соединение каждой контактной площадки осуществляется по отдельности, вто время как при монтаже методом перевернутого кристалла присоединение всех контактных площадок происходит одновременно. Монтаж интегральных схем с балочными выводами [9] аналогичен монтажу методом перевернутого кристала. Золотые балочные выводы выращиваются электрохимическим способом, и интегральная схема присоединяется к подложке методом термокомпрессии. [48]