Метод - термокомпрессия
Cтраница 3
 |
Полупроводниковая пластина с сформированными рабочими элементами до нанесения соединительных проводников и контактных площадок ( сильно увеличено. [31] |
Если р-п переход образован методом диффузии, то для получения хорошего контакта необходимо на поверхность полупроводниковой пластины нанести слой металла. К металлическим контактам методом термокомпрессии прикрепляются внешние выводы. [32]
Установка кристаллов на плату производится при температуре не более 450 С за время не более 15 сек. Присоединение выводов к контактным плащадкам производится методом термокомпрессии с температурой инструмента не выше 160 С. [33]
Лучше других металлов требованиям, предъявляемым к контактному материалу, удовлетворяет алюминий. Алюминий образует стабильную металлургическую систему с кремнием. К пленкам из алюминия легко приваривать выводы методом термокомпрессии. [34]
На механизированных сборочных установках собирают планарные кремниевые транзисторы, используя трехслойную перфорированную ленту, плакированную золотом. При сборке на перфорированную ленту автоматически монтируются кристаллы с электронно-дырочными переходами, к которым методом термокомпрессии присоединяются электродные выводы, и выполняются другие операции. Кроме того, в полупроводниковом производстве широко используются механизированные агрегаты фотолитографии, травления и финишной отмывки, значительно повышающие производительность труда. [35]
 |
Схема термокомпрессионной ( а и ультразвуковой ( б сварки. [36] |
Приложенные колебания разрушают пленки окислов на соединяемых материалах. Под действием сдавливающих сил очищенные от окислов поверхности образуют прочный металлургический спай. При надлежащем контроле за выполнением технологических режимов этот метод сварки обеспечивает более высокое качество соединений, чем метод термокомпрессии. [37]
Кристал лы бескорпусных дискретных компонентов, применяемых в гибридных микросхемах, могут иметь разную конструкцию выводов. Кристаллы с проволочными выведали, залитые каплей эпоксидной смолы, приклеиваются к подложке, а выводы соединяются с контактными площадками методом термокомпрессии. Такой способ монтажа очень трудоемок, так как не допускает группового соединения выводов кристаллов с контактными площадками. Он плохо поддается автоматизации и при большом числе кристаллов в гибридных микросхемах ведет к большому проценту брака. [38]
На рис. 8.4 показана одна из типичных конструкций бескорпусного прибора ( диодной матрицы) с гибкими выводами. Диаметр проволочных выводов составляет обычно 30 - 40 мкм. Выводы к контактным площадкам подсоединяются различными методами, главными из которых являются термокомпрессионный и ультразвуковой. Метод термокомпрессии основан на одновременном воздействии тепла и давления на область контакта. [39]
 |
Сварка обратной термокомпрессией. [40] |
При термокомпрессионной сварке ( рис. 118) давление на свариваемые поверхности выбирают таким образом, чтобы частичная деформация проводника происходила только после его разогрева, когда материал находится в пластичном состоянии. Давление передается непосредственно через сварочный инструмент, а нагрев точек сварки производится путем разогрева электронагревателем всей подложки. Нежелательному многократному нагреву до высоких температур подвергаются все компоненты микросхем, поэтому метод практически не применяют. Лучшим в этом отношении является метод обратной термокомпрессии ( рис. 119), по которому нагрев зоны сварки осуществляется горячим рабочим инструментом. Метод обеспечивает более точное регулирование температуры точки. При этом меньше нагреваются детали микросхем. [41]
 |
Конструкция многоэлементного светодио-да-цифрового индикатора на основе монокристалла карбида кремния. [42] |
Исходная - область кристалла из-за большой концентрации азота оказывается относительно низкоомной. Перекомпенсированная р-область из-за малой толщины и малой степени перекомпенсации оказывается относительно высокоомной. Поэтому невыпрямляющий контакт к ней создают по всей площади кристалла путем вжигания серебра при его восстановлении из серебряной пасты. К созданным невыпрямляющим контактам присоединяют проволочные выводы методом термокомпрессии. [43]
Дроссели в ПМС создавать трудно, поэтому большинство устройств проектируют без индуктивных элементов. Все элементы ПМС получают в едином технологическом цикле в кристалле полупроводника. Соединения элементов таких схем осуществляются е помощью алюминиевых или золотых пленок, получаемых методом вакуумного напыления. Соединение схемы с внешними выводами производят алюминиевыми или золотыми проводниками диаметром около 10 мкм, которые методом термокомпрессии присоединяют к пленкам, а затем приваривают к внешним выводам микросхемы. [44]
Чтобы использовать микросхему как отдельный прибор, кристалл необходимо поместить в корпус с выводами и загерметизировать. Эту операцию производят по сборочным чертежам, которые оформляются по общим правилам ЕСКД. Эти микросхемы не являются образцами конструкций, но характерны с точки зрения структуры сборочных чертежей. В прессформу закладывают выводную рамку ( рис. 25.35) и кристалл, контактные площадки которого заранее соединены методом термокомпрессии проволочками с концами выводов. Все устройство засыпают прессматериалом и запрессовывают в горячем состоянии, в результате чего образуется корпус и весь прибор. [45]
Страницы: 1 2 3 4