Образовавшаяся дырка
Cтраница 1
 |
Расположение зон. [1] |
Образовавшаяся дырка добавляется к собственным дыркам полупроводника, вызванным термогенерацией, поэтому проводимость полупроводника делается преимущественно дырочной. [2]
Образовавшиеся дырки также будут заполнены ближайшими электронами, перемещающимися против направления внешнего поля. [3]
 |
Схема разрыва валентной связи и появление свободного электрона и дырки как носителей заряда. [4] |
Кроме того, на место образовавшейся дырки () перейдет электрон из какого-либо места соседней связи левее дырки. Таким образом, образуется новая дырка вместо прежней. Перенос заряда электронами валентной зоны называют дырочным. Таким образом, в собственных полупроводниках бывает двоякий механизм проводимости: электронный и дырочный. [5]
Кроме того, на место образовавшейся дырки () перейдет электрон из какого-либо места соседней связи левее дырки. Таким образом, образуется новая дырка вместо прежней. Следовательно, дырка перемещается по направлению поля ( влево) при скачках электронов в валентной зоне, совершающихся слева направо, как показано стрелками на рис. 72, а. Перенос заряда электронами валентной зоны называют дырочным. Таким образом, в собственных полупроводниках бывает двоякий механизм проводимости: электронный и дырочный. [6]
Захват примесным атомом валентного электрона и последующее удаление образовавшейся дырки на бесконечно большое расстояние от отрицательного иона примеси ( переход ее в квазисвободное состояние) требуют преодоления кулоновских сил притяжения. [7]
Электроны валентной зоны эмиттера переходят во внешнюю цепь, а образовавшиеся дырки начинают двигаться в сторону базы. Так как внешнее напряжение приложено в прямом направлении, дырки преодолевают эмиттерный переход и попадают в область базы. База выполнена из n - полупроводника, поэтому дырки являются для нее неосновными носителями заряда. [8]
Если кристалл полупроводника не содержит каких-либо примесей, то количество образовавшихся дырок равно количеству освободившихся электронов. Проводимость, возникшая в этих условиях, называется собственной проводимостью полупроводника. [9]
В этом случае ковалентные связи не будут полностью завершены, и образовавшаяся дырка может перемещаться по кри - - схадлут создавая дырочную проводимость. Электроны в полупроводниках типа п и дырки в полупроводниках типа р принято называть основными носителями тока, а небольшое количество электронов в полупроводниках типа р и дырок в полупроводниках, типа п - неосновными носителями тока. [10]
Если полоска цилиндрическая, удалим ее и вошьем по кружочку в каждую из двух образовавшихся дырок. Чтобы не забыть, как вставить цилиндр обратно, пометим каждый кружок стрелкой. Если полоска представляет ленту Мебиуса, удалим ее и вошьем один кружок. [11]
Неравновесные концентрации можно считать равными - число дополнительных, вызванных светом, электронов равно числу образовавшихся дырок. [12]
 |
Энергетическое отличие металлических. [13] |
В заполненной зоне, откуда ушел электрон, образовалась электронная дырка, а потому в полупроводнике начнется другое эстафетное движение электронов, заполняющих образовавшуюся дырку, причем под воздействием электрического поля дырка будет двигаться в направлении поля как эквивалентный положительный заряд. [14]
В зоне валентных связей ( заполненной), откуда ушел электрон, образовалась электронная дырка, а потому в полупроводнике начнется и другое движение электронов, заполняющих образовавшуюся дырку, причем под воздействием электрического поля дырка будет двигаться в направлении поля, как эквивалентный положительный заряд. Ввиду того, что перемещение дырок осуществляется с большей инерционностью, чем движение свободных электронов при равном их количестве, полупроводники, как правило, показывают электронный характер собственной электропроводности. [15]
Страницы: 1 2 3