Образовавшаяся дырка

Cтраница 3

Как уже было отмечено, при более точном исследовании оказалось, что линия Ка состоит из двух линий. Это объясняется тем, что, строго говоря, существует не один L-уровень, а два, несколько различающихся своей энергией. В зависимости от того, с которого из этих двух уровней электрон перескакивает в образовавшуюся дырку в ЛГ-уровне, образуются Kai или Kaf линии. Только таким образом удается представить все множество рентгеновских линий в виде термов. Точный анализ рентгеновских спектров показывает, что L-уровень может расщепляться до 3, М - уро-вень - до 5, / V-уровень - до 7, О-уровень - до 5 и Р - уровень - до 3 подуровней. [31]

Схема связи атомов кристаллической решетки германия.| Схема связи примесей с германием. [32]

Когда все валентные электроны связаны, материал является диэлектриком. Если же каким-либо образом выбить из кристаллической решетки электрон, то связи нарушаются и на месте выбитого электрона появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома. Этот процесс относится к явлению собственной проводимости, так как число выбитых электронов будет соответствовать числу образовавшихся дырок. [33]

Схема свя. [34]

Когда все валентные электроны - связаны, материал является диэлектриком. Если же каким-либо образом выбить из кристаллической решетки электрон, то связи нарушаются и на месте выбитого электрона появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома. Этот процесс относится к явлению собственной проводимости, так как число выбитых электронов будет соответствовать числу образовавшихся дырок. [35]

Рассмотрим fe 1 экземпляров нашего букета, расположенные один над другим, как показано на рисунке. В первом и втором экземплярах нашего букета ( снизу) вырежем один над другим по маленькому отрезку и концы образовавшихся дырок соединим крест-накрест, очевидным образом продолжив на них проекцию. Затем аналогичным образом соединяем второй лист с третьим, используя вторую букву, третий с четвертым, и так далее. Если в нашем слове подряд идут две одинаковые буквы, то нам придется выкидывать два отрезка из одной и той же окружности. [36]

Ряд авторов в последнее время высказали предположение, что белки могут осуществлять перенос внешних электронов, поступающих от донорной молекулы, присоединенной к белковой молекуле. Предполагают, что если такой электрон попадает в зону проводимости, то он может перемещаться в зоне. Другая возможность перемещения заряда может осуществляться, если акцептор захватывает электрон из валентной зоны. В этом случае образовавшаяся дырка может перемещаться по валентной зоне в виде положительного заряда. [37]

Рассматриваемые процессы особенно интенсивно должны идти с многовалентными L-ионами. Например, при образовании твердого раствора Al - cNi O при 300 С кислород хорошо хемосорби-руется системой. Центрами хемосорбции должны быть атомы алюминия, обладающие малым потенциалом ионизации. На рис. 9 представлены кривые зависимости количества образовавшихся дырок от концентрации алюминия. Пунктирная линия соответст-пует количеству дырок, которое образовалось бы при условии, что один атом алюминия порождает три дырки. С, превышает предельно возможное количество их, обусловленное внедрением алюминия. [38]

Под действием излучений может возникнуть значительное число вакансий. Этот процесс в щелочных галоге-нидах приводит к образованию большого числа анионных вакансий. Вакансии могут захватить один или два электрона, освобождаемые при облучении. С другой стороны, при облучении электроны могут освобождаться из центров со сравнительно низким сродством к электрону. Образовавшаяся дырка в ряде случаев локализуется в том же самом центре благодаря релаксации решетки, наступающей до миграции дырки ( например, F -), или же дырка будет двигаться до тех пор, пока ее не захватит примесный ион или анионная вакансия. Если спектрометр ЭПР оборудован таким образом, что можно получать спектры непосредственно в процессе облучения электронами или любой другой формой ионизирующего излучения, то можно наблюдать образование короткоживущих продуктов. [39]

Дырка - место в атоме ПП, где отсутствует электрон. Дырка может быть заполнена свободным электроном, находящимся вблизи. Это может быть также электрон, оторвавшийся от атома, и у этого атома после этого появляется дырка, а первая, заполненная электроном, исчезает. Так появляется хаотическое движение дырок в ПП. Атом с образовавшейся дыркой имеет положительный заряд и может притягивать другие электроны, оторвавшиеся от соседних атомов. [40]

Как показывают спектры напыленного в вакууме тонкого слоя AgCl или AgBr, а также спектры рассеяния, эти галогениды интенсивно поглощают в УФ-области и мало в видимой области. Вид спектров сильно зависит от температуры ( рис. II. Его появление связывают с экситон-ным процессом. В экситоне электроны галогена не освобождаются, они связаны с образовавшимися дырками. В противоположность галогенидам щелочных металлов поглощение света галогенидами серебра в области прямого экситонного перехода приводит к фотопроводимости с более высоким квантовым выходом. Вероятно, это вызвано тем, что при передаче энергии возбуждения в обычно структурно нарушенную решетку AgX имеет место самоионизация или диссоциация. С повышением температуры спектры поглощения обнаруживают уменьшение экситонной полосы с одновременным красным смещением. [41]

При обратном напряжении на р - n - переходе возрастает потенциальный барьер между р - и n - областью, поэтому уменьшается количество основных носителей, способных преодолеть этот барьер. Под действием электрического поля основные носители будут оттягиваться от приконтактных слоев в глубь полупроводника. В этом случае заполнение рекомбинационных ловушек электронами зоны проводимости уменьшается и одновременно ослабляется процесс рекомбинации. Число свободных центров рекомбинации возрастает, что увеличивает число переходов электронов из валентных связей в рекомбинационные центры и приводит к образованию дырок. Обратный переход ( рекомбинация) электронов в валентную зону затрудняется, так как образовавшиеся дырки уносятся внешним электрическим полем за пределы области объемного заряда. [42]

В разделе 3 было показано, что литийподобные ионы являются центрами внедрения кислорода в окисную решетку; в результате этого образуются дырки в количестве, эквивалентном количеству кислорода, умноженному на его валентность. Незначительное количество А13 может вызывать сильное поглощение кислорода с образованием дырок. В связи с этим явлением очень важно иметь уравнение электропроводности, обусловленной только внедрением кислорода. В таких случаях для расчета желательно исходить не из концентрации внедренного кислорода, а из концентрации образовавшихся дырок ( Т3), так как последняя химически определяется очень просто. [43]

Повышенная электрическая проводимость органических полупроводников объясняется высокой подвижностью я-электро-нов сопряженных двойных связей. Это обусловливает эстафет-пую электронно-дырочную проводимость при состоянии, когда электроны находятся в них на более высоких энергетических уровнях. В результате взаимодействия с поверхностью, ограничивающей объем, электрон может оторваться от молекулы и попасть на поверхность. При этом в молекуле возникает вакансия - дырка. Эффективная масса электронов и дырок много меньше массы молекулы, так что у соседней молекулы, которая не успевает заметно сместиться, один из электронов может перескочить в образовавшуюся дырку. Одновременно мигрируют как-положительные, так и отрицательные заряды. Электрическая проводимость по эстафетному механизму возникает за счет электронных донорно-акцепторных взаимодействий между молекулами и на границе масляной фазы с поверхностью металла. В отличие от ионной или форетической проводимости при эстафетной электрической проводимости не происходит переноса вещества, а значит, последняя не должна зависеть от вязкости среды. [44]

В процессе ксерокопирования ( от греческого xeros - сухой) используются фотопроводящие свойства селена или других стекол на его основе. Для получения копии поверхность стеклообразной пленки толщиной - - 50 мкм, нанесенной на цилиндрический барабан, положительно заряжается до потенциала порядка 1000 В. Затем пленку освещают отраженным от копируемого объекта, например печатного текста, светом. Там, где на оригинале находится буква, свет поглощается, на участках, где изображение отсутствует, свет отражается и падает на стеклообразный материал барабана. Поглощение света является причиной образования в стекле электронно-дырочных пар. Образовавшиеся дырки дрейфуют к подложке из алюминия, на которую нанесен слой стекла, а электроны - к поверхности стекла, где и нейтрализуют положительный заряд. На поверхности создается скрытое электростатическое изображение. Верхняя поверхность стекла становится электронейтральной там, где не было изображения ( букв) и остается заряженной положительно в местах расположения изображения. Для визуализации и переноса изображения пленка стекла обрабатывается отрицательно заряженными частицами красителя, которые закрепляются только на участках, несущих положительный заряд. Краситель затем переносится на лист положительно заряженной коронным разрядом бумаги и закрепляется на нем нагреванием. [45]

Страницы: 1 2 3