Образовавшаяся дырка

Cтраница 2

Подчеркиваем, что ставим такое условие не в самой точке х 0, а в тех точках ее окрестности, которые, во-первых, сами удалены от начала координат настолько, чтобы можно было макроскопически трактовать образовавшуюся дырку, и, во-вторых, расстоянием которых до точки ( х 0) тем не менее можно пренебречь по сравнению с расстоянием до точки лабильного равновесия критической дырки с окружающей пленкой. [16]

Высокое значение энергии активации электропроводности Е при больших концентрациях примесей навело Хайкса и Джонстона [152] на мысль о том, что это вызвано энергией активации подвижности перехода носителя тока от одного иона к соседнему. Образовавшаяся дырка автолокализуется искажением решетки около нее. Число носителей тока в окислах переходных элементов обусловлено исключительно примесями и в отличие от электропроводности не зависит от температуры. [17]

Согласно существующим представлениям [58], это обусловлено тем, что введение указанных элементов способствует образованию дополнительных глубоких электронных ловушек. В процессе тушения образовавшиеся дырки могут захватываться ловушками, рекомбинировать без излучения с электронами. Тем самым возникает препятствие для перехода дырок на уровни активатора. [18]

Примесная проводимость германия.| Энергетические диаграммы и графики распределения Ферми - Дирака для примесных полупроводников. а - n - типа. б -. р-твпа. [19]

Введение в четырехвалентный полупроводник трехвалентного элемента, например индия ( рис. 2.5, в), приводит, наоборот, к избытку дырок над свободными электронами. В этом случае ковалентные связи не будут полностью завершены и образовавшиеся дырки могут перемещаться по кристаллу, создавая дырочную проводимость. [20]

Образование дырки. [21]

Процесс образования пары электрон-дырка называют процессом генерации. Одновременно с ним происходит процесс рекомбинации, при котором электрон занимает свободный валентный уровень образовавшейся дырки, в результате чего образуется нейтральный атом. [22]

При этом исходную полость заменяет новая полость в соседнем положении. Возможен другой механизм, когда тепловое движение перемещает атом из узла в междуузлие, и образовавшаяся дырка и лишний, атом начинают перемещаться по решетке. Передвижение атома заканчивается лишь после того, как он заполняет какой-либо пустующий узел в решетке. Еще Один возможный механизм перемещения атомов в решетке сводится к тому, что два атома, находящихся в соседних узлах решетки, обмениваются местами. С энергетической точки зрения, механизмы дислоцированных атомов и обмена местами в случае простых веществ, какими являются металлы, играют менее существенную роль, чем дырочный механизм. [23]

Пусть электрон из валентной зоны перешел в зону проводимости и имеет энергию Еп, а образовавшаяся дырка характеризуется энергией Ер. Между дыркой и электроном должно существовать притяжение, характеризуемое энергией. [24]

Процесс образования пары электрон-дырка называется процессом генерации. Одновременно с процессом генерации происходит процесс рекомбинации, при котором электрон занимает свободный валентный уровень образовавшейся дырки, в результате чего образуется нейтральный атом. [25]

В этом случае электрон со дна зоны проводимости захватывается так называемыми ловушками - локальными уровнями ( рис. 16.4, 6), иногда называемыми также уровнями прилипания. В дальнейшем электрон, так же как и в первом случае, опускаясь на уровень активатора, рекомбинирует с образовавшейся дыркой в валентной зоне. Возбужденный ион активатора за счет получения энергии рекомбинации становится центром высвечивания. Ввиду задержки электрона на локальных уровнях такое свечение бывает продолжительным. Его длительность определяется также глубиной локальных уровней. Если локальный уровень лежит так далеко от дна зоны проводимости, что тепловая энергия при данной температуре кристалла недостаточна для возвращения электрона обратно в зону проводимости, то он может быть пленен на этом уровне до сообщения ему нужной энергии другим способом, скажем облучением. Электрон из этого пленения можно освободить также путем дальнейшего нагревания кристалла. Подобное свечение называется термовысвечиванием. [26]

До сих пор мы рассматривали поглощение света, приводящее к образованию свободных электронов и дырок. Однако возможен и другой механизм поглощения, при котором электрон валентной зоны переводится в возбужденное состояние, но остается связанным с образовавшейся дыркой в водо-родоподобном состоянии. Энергия образования такого возбужденного состояния, называемого экситоном, меньше ширины запрещенной зоны, поскольку последняя есть не что иное, как минимальная энергия, требуемая для создания разделенной пары. Экситон может перемещаться в кристалле, но фотопроводимость при этом не возникает, так как электрон и дырка движутся вместе. Экситоны могут достаточно легко возникать в диэлектриках, так как в них кулоновское притяжение электрона и дырки значительно. В полупроводниках это притяжение мало и поэтому энергия связи экситона также мала. В металлах экситонное поглощение очень маловероятно. [27]

Эта разность потенциалов будет вытягивать из перехода практически все свободные носители тока. Поэтому ловушки могут захватывать электроны лишь из валентной зоны. Образовавшиеся дырки сразу же подхватываются полем и выводятся из перехода. [28]

ZnS, активированном Си, AJ, и др. веществах, помещенных в диэлектрик между обкладками конденсатора, на к-рый подается перем. При макс, напряжении на обкладках конденсатора на краях частичек люминофора концентрируется сильное электрич. Электроны ионизуют атомы; образовавшиеся дырки захватываются центрами свечения, на к-рых рекомбинируют электроны при изменении направления поля. [29]

Неосновные носители заряда - электроны - в зоне проводимости р-области под действием ускоряющего поля скатываются с потенциального барьера в зону проводимости / г-области. Из-за перехода электронов в полупроводник л-типа концентрация их в полупроводнике р-типа снижается и становится меньше концентрации, определяемой условием термодинамического равновесия. Это приводит к генерации электронно-дырочных пар, причем образовавшиеся дырки диффундируют в я-область, где затем рекомбинируют с электронами. Составляющую электронного тока, обусловленную электронами, скатывающимися с потенциального барьера, называют дрейфовой; она по своей физической природе представляет ток генерации. Природа дырочных токов аналогична. [30]

Страницы: 1 2 3