Избыточная дырка

Cтраница 1

Избыточные дырки диффундируют в глубь i-области и частично рекомбинируют в ней, а часть из них переходит через барьер II в га-область. Аналогично часть электронов не успевает рекомбинировать в i-области и переходит через барьер / в р-область. [1]

Избыточные дырки в - области создают положительный заряд, а так как полупроводник вне p - rt - перехода должен оставаться нейтральным, для компенсации этого заряда с отрицательного полюса источника переходит такое же количество электронов. В р-области появляется избыточный отрицательный заряд за счет продиффун-дировавших из n - области электронов. Для компенсации этого заряда такое же количество электронов уходит к положительному полюсу источника, что равносильно приходу дырок. [2]

Эти избыточные дырки диффундируют вглубь г-области и частично рекомбинируют в ней, а часть из них переходит через барьер II в n - область. Аналогично часть электронов не успевает рекомбиниро-вать в г-области и переходит через барьер / в / - область. [3]

Аналогично этому избыточные дырки, возникшие, в области n - типа, подымаются в материал с проводимостью р-типа. Вследствие этого область с проводимостью р-типа приобретает положительный, а область с проводимостью п-типа - отрицательный заряд. Таким образом, возникает напряжение, приложенное к переходу в прямом направлении. Это напряжение создает прямой ток, который противодействует диффузионному потоку носителей тока в обратном направлении ( фиг. [4]

Распределение концентраций основных и неосновных носителей тока в слоях р-п - р структуры при работе в усилительном режиме. [5]

Далее концентрация избыточных дырок спадает. [6]

O. Зошиле энергетические диаграммы р - n - перехода при освещении в режиме короткого замыкания ( а, холостого хода ( б и включения на сопротивление. [7]

Остающиеся в р-области избыточные дырки заряжают р-область положительно. Полярность Uк соответствует прямому смещению р-и-перехода. [8]

Инжекция электронов и дырок в полупроводниках. [9]

По мере движения избыточные дырки и электроны будут рекомбиниро-вать и их концентрация будет уменьшаться. [10]

По мере движения избыточные дырки и электроны будут ре-комбинировать и их концентрация будет уменьшаться. Поэтому распределение концентраций избыточных электронов и дырок в кристалле существенно зависит от скорости их рекомбинации. [11]

Инжекция электронов и дырок в полупроводниках. [12]

По мере движения избыточные дырки и электроны будут рекомбинировать и их концентрация будет уменьшаться. Поэтому распределение концентраций избыточных электронов и дырок в кристалле существенно зависит от скорости их рекомбинации. [13]

Подсчеты показали также, что число избыточных Дырок, созданных облучением, уменьшается при увеличении степени совершенства структура исходных образцов. [14]

Расширение этой области сопровождается дальнейшим уходом избыточных дырок и электронов из базовых слоев тиристора. Таким образом, накопленный в структуре тиристора заряд неосновных носителей выводится отрицательным анодным током, что в целом улучшает динамические характеристики выключения. Наилучшим быстродействием обладаюттирис-торные структуры, у которых нескомпенсированный заряд первым образуется у высоковольтного анодного перехода. Это достигается снижением уровня легированности р-базы и специальной геометрией структуры. Если первым восстанавливается катодный переход, то его пробой способен вызвать дополнительную генерацию носителей и ухудшить динамику выключения. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5