Избыточная дырка

Cтраница 2

Схема диода и вид распределения равновесных концентраций носителей заряда в р - и и-областях ( а. распределение дырок в различные моменты после переключения ( б. [16]

По мере протекания обратного тока количество избыточных дырок в базе уменьшается как за счет их вытягивания в р-область, так и вследствие непрекращающегося процесса рекомбинации с электронами. [17]

Распределение токов в базе длинного ( а и тонкого ( б вен-тилей при высоких уровнях инжекции. [18]

Ар ( 0) - концентрация избыточных Дырок на границе р-п-пере-хода; по - концентрация равновесных электронов в п-базе. [19]

Когда напряжение на приборе меняет знак, избыточные дырки, имеющиеся в базе / г-типа, движутся через переход Д к анодному контакту, вызывая инжекцию дырок, являющихся избыточными в базе р-типа, через переход / 2 в область базы л-типа. Избыточные электроны в базе n - типа рассасываются за счет рекомбинации и ухода через переход / 2 в область базы р-типа и дальше через переход / 3 к катодному контакту. [20]

К Л / Э и определяется экстракцией избыточных дырок из базы в коллектор ускоряющим полем контактной разности потенциалов перехода коллектор-база. [21]

После прекращения тока эмиттера начинается процесс рассасывания избыточных дырок, накопленных в базе за время действия прямого импулься. Рассасывание дырок происходит за счет их рекомбинации с электронами в объеме и на поверхности базы, а также за счет протекания дырочного тока коллектора и электронных составляющих через оба перехода. Этот процесс характеризуется двумя различными этапами. [22]

К объяснению импульсных сйойств р-л-перехода. [23]

Отрицательный заряд притянутых электронов экранирует положительный заряд избыточных дырок. [24]

При выводе ( 79) предполагалось, что избыточные дырки не достигают внешней границы n - слоя, поэтому эта формула верна лишь в том случае, когда толщина - области значительно превышает диффузионную длину Ьр. Обычно это условие выполняется. [25]

Возникновение броска обратного тока обусловлено тем, что избыточные дырки, находящиеся в базе на расстоянии диффузионной длины от перехода, втягиваются полем перехода обратно в р-область. Лишь после того как концентрация дырок в базе достигает своего равновесного значения за счет рекомбинации с электронами и утечки дырок через р-тг-переход, ток спадает до своего установившегося значения, а обратное сопротивление диода восстанавливается до высокого статического значения. [26]

Накачка обеспечивает поступление избыточных электронов в зону проводимости и избыточных дырок в валентную зону ( напр. [27]

С первого взгляда может показаться, что в результате обычной диффузии избыточные дырки продиффундируют в й-об-ласть, а избыточные электроны - в р-область, что естественно должно было бы привести к исчезновению / ( - - перехода. С другой стороны, мы знаем, что в нормальных условиях этого не происходит, и довольно простое рассмотрение, из которого, однако, вытекают далеко идущие выводы, поможет нам понять причины такого поведения электронов и дырок. [28]

Снижение а объясняется тем, что при высокой частоте значительная часть избыточных дырок, инъекти-рованных эмиттером, при положительном значении переменного напряжения не успевает дойти до коллектора и возвращается обратно при изменении полярности. [29]

Время рассасывания может быть определено либо на основе решения уравнения заряда для избыточных дырок в базе диода Д, либо на основе решения уравнения диффузии. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5