Избыточная дырка

Cтраница 3

Схема переключения и осциллограммы входного напряжения и тока через диод. [31]

В процессе диффузии часть инжектированных дырок рекомбинирует с электронами базы, поэтому концентрация избыточных дырок уменьшается по мере удаления от р-п перехода. При длительном протекании прямого тока процесс рекомбинации дырок в базе уравновешивается их инжекцией р-п переходом. [32]

Но так как / к не может быть больше, чем UJRU, то избыточные дырки ( в случае р-п - р транзистора) задерживаются в коллекторе, смещая его относительно базы в сторону положительных напряжений. [33]

Постоянная тр есть постоянная времени спада, или, упрощенно, среднее время существования избыточных дырок в валентной зоне. Аналогичные соображения полностью применимы к электронам. [34]

Диаграммы распределения зарядов в базах тиристора во времени в период включения ( а и кривые изменения тока и напряжения в период включения тиристора через анод ( б. [35]

Дырочная составляющая собственного тока коллекторного перехода / Кр вносит в базу pz вместе с зарядным током избыточные дырки. [36]

Исходя из предположения, что проводимость является примесной, Ле Блан [93] рассчитал зонную структуру для избыточных дырок или электронов. Однако прежде всего необходимо выяснить, можно ли вообще говорить о зонах в таких твердых телах. Как показали Фрелих и Сьюэлл [53], зонное приближение неправомерно, когда свободный пробег носителей зарядов становится меньше величины одного параметра решетки. С этой точки зрения очень интересен антрацен, так как у него подвижность носителей зарядов составляет величину порядка 1 см2 - в-сек. [37]

При введении примеси, обладающей меньшей валентностью, чем материал кристалла, в его кристаллической решетке образуются избыточные дырки, которые ведут себя подобно положительной частице с единичным зарядом. [38]

Видно, что прита txналичие ловушек приводит к весьма значительному росту фототока и что в этом случае избыточные дырки находятся на уровнях прилипания, гораздо дольше, чем в валентной зоне. [39]

Выражение (34.8) справедливо лишь тогда, когда толщина - области значительно превышает диффузионную длину Lv, так что избыточные дырки, инъектируемые через р - га-переход, не достигают тылового контакта. Это условие обычно выполняется. [40]

Закон уменьшения обратного тока на интервале t2 должен быть близок к экспоненциальному, поскольку он определяется процессом уменьшения избыточных дырок в п базе у перехода Пг, протекающим путем естественной рекомбинации. [41]

Молекулярные волновые функции берутся в приближении ЛКАО с использованием коэффициентов Хюккеля; избыточный электрон размещается на наинизшей разрыхляющей орбитали, а избыточная дырка - на наивысшей связывающей орбитали ( обсуждение волновых функций МО см. в разд. Ле Блан [236] и Такстон и др. [389] пользовались слэтеровскими 2рг - атомными орбита лями для атома углерода, в то время как Катц и др. [197] применяли хартри-фоковские самосогласованные 2 / 7-функции основного состояния атома углерода, что позволяет учесть поведение волновых функций при больших межъядерных расстояниях. Действительно, вычисленная с помощью этих усовершенствованных орбиталей и с учетом трехцентровых интегралов ширина зоны ( - 0 1 эВ) оказалась примерно на порядок выше значения, полученного Ле Блан ом. [42]

Если р -, n - переход находится под напряжением, то при прямом включении под действием внешнего поля образуется поток избыточных дырок, направленный в и-область; их концентрация по мере удаления от границы постепенно понижается за счет рекомбинации. Аналогично - появление избыточных электронов с убывающей по мере удаления от границы концентрацией наблюдается ив р-области. Проникновение неосновных носителей под действием внешнего поля через р-и-переход носит название инжекщш; этот процесс используется в полупроводниковых триодах. [43]

В результате заряд избыточных электронов оказывается как бы запертым в n - базе и может исчезнуть лишь в результате рекомбинации с равным количеством избыточных дырок. Поэтому в процессе восстановления в п-базе должен рекомбинировать весь накопленный заряд дырок. Дырки и электроны из областей рг и п2 прилегающих к переходам П1 и Я3, удаляются главным образом за счет обратного тока. [44]

Тем не менее светлокоричневая окраска края зоны окисления брома в опыте с кристаллом № 1 указывает на протекание реакции между ионами иода и избыточными дырками, поскольку в опыте с кристаллом № 2 эта зона имеет слабую желтую окраску, как в чистом бромистом серебре. При нагревании образца № 1 до 300 коричневая окраска быстро исчезает. Одновременно с этим зона окисления расширяется по направлению к центру кристалла. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5