Эпитаксиальный метод

Cтраница 1

Эпитаксиальный метод можно использовать также для изготовления полностью эпитаксиальных транзисторов путем эпитаксиального выращивания коллекторной, эмиттерной и базовой областей. [1]

Эпитаксиальный метод позволяет создавать структуры пп или рр следующим образом. [2]

Эпитаксиальные структуры. а - типа р - р. б - тийа п-п. в - типа р - п. е - типа п-р. [3]

Эпитаксиальный метод позволяет выращивать монокристаллические слои любого типа проводимости и любого удельного сопротивления на подложке любого типа. [4]

Эпитаксиальный метод заключается в том, что на монокристаллической подложке получают полупроводниковые пленки в таких условиях, когда атомы осаждаемого вещества достраивают кристаллическую решетку подложки. Иными словами, эпитаксиальным называется ориентированный рост одних монокристаллов на поверхности других. Структуры, полученные с помощью эпитаксиального метода, обладают малыми потерями и могут работать при повышенных частотах и напряжениях. [5]

Изменение температурного коэффициента фототока с длиной волны света. [6]

Развитие эпитаксиальных методов создания гетероструктур в системе GaAs - AlAs, варизонных структур на основе ALGai - jAs позволяют создавать УФ фотоприемники на основе этих соединений. Использование более широкозонного, чем GaAs, соединения в качестве прозрачного в коротковолновой области спектра окна, пропускающего высокоэнергетические фотоны в глубоко лежащую область разделяющего носители заряда потенциального барьера, облегчает получение высокой УФ фоточувствительности. [7]

Поверх полученного слоя Si02 эпитаксиальным методом наносится толстый слой кремния. Он наращивается на слое со случайной ориентацией кристаллических осей и имеет поликристаллическую структуру. [8]

При планарной технологии иногда сочетают эпитаксиальный метод наращивания тонких пленок с последующим методом диффузии. Затем в результате окисления этот слой покрывается тонкой пленкой двуокиси кремния 2, почти непроницаемой для атомов при диффузии. На следующем этапе обработки в окисной пленке с помощью фотолитографии и травления создается окно, через которое осуществляют диффузию акцепторов, что приводит к образованию в толще пластины базовой р-области 3 и коллекторного перехода. Затем наносится новая защитная пленка окиси кремния и осуществляется фотолитография с последующим травлением меньшего по размеру окна, в которое производят диффузию доноров. Это приводит к образованию эмиттерной - области 4 и эмиттерного перехода. Далее к соответствующим областям п-р - п структуры припаивают или приваривают выводы. Вывод коллектора осуществляют от основания низкоомной пластины, которую припаивают к герметичному корпусу. [9]

Перспективность пленочных сегнетоэлектрических материалов способствовала развитию эпитаксиальных методов получения монокристаллических слоев, поскольку именно в этом состоянии сегне-тоэлектрики обладают достаточно высокой диэлектрической проницаемостью и другими классическими сегнетоэлектрическими свойствами. Например, в работе [503] описан способ получения ВаТЮ3, нанесенного из паровой фазы на монокристаллические подложки из LiF или золота при 400 - 700 С. [10]

В настоящее время широкое применение находит также эпитаксиальный метод получения р-п переходов, состоящий в наращивании на полупроводниковой подложке с данным типом проводимости слоя полупроводника с противоположным знаком проводимости. [11]

Монокристаллические пленки ( ферриты-гранаты и др.) получают эпитаксиальным методом - путем химического осаждения из паровой фазы на подложку из немагнитного, например гадолиниево-галлиевого, граната. [12]

Технологическая последовательность создания МДП-транзистора. [13]

Изопланарный способ заключается в локальном окислении кремния, выращенного эпитаксиальным методом, на всю глубину слоя. Для маскирования поверхности кремния в этом случае используется нитрид кремния. [14]

Опыты по наращиванию монокристальных пластинок и пленок твердых растворов Ga ( P As x) свидетельствуют о возможности получения эпитаксиальным методом тройных фаз с любым заданным соотношением компонентов во всем диапазоне составов. [15]

Страницы: 1 2 3