Эпитаксиальный метод

Cтраница 2

Настольная установка гидромеха - [ IMAGE ] Настольная установка групповой нической обработки поверхности пластин химической обработки поверхности кремниевых пластин. [16]

Одним из способов создания транзисторных структур, из которых формируются активные и пассивные компоненты, является эпи-таксиальное наращивание пленок. Эпитаксиальный метод наращивания пленок на поверхности полупроводниковых подложек широко используют при производстве интегральных микросхем. Эпитаксиальные слои позволяют существенно улучшить ряд параметров транзисторов и диодов. [17]

Результат внутренней ОЬ. [18]

Гетеропереходы и структуры с постепенным изменением состава приобретают все более возрастающее значение. Они могут быть получены эпитаксиальным методом ( см. гл. [19]

Интенсивное развитие микроэлектроники стимулирует широкое распространение методов эпитаксиального осаждения вещества на ориентированную монокристаллическую затравку из жидкой или газовой фазы. Невысокие рабочие температуры, отсутствие загрязнения материалом контейнера, возможность получения многослойных структур, простота управления процессом роста являются существенными достоинствами эпитаксиальных методов. [20]

Начиная с 1961 г., после появления работ Лайонса и Силь-вестри [10], Хагенлохера [ 111, Уильямса и Руэрвина [12], Ньюмена и Голдсмита [13], Фроша и Фоя [14], Окада и др. [15] число исследований в этой области с каждым годом увеличивалось. За шесть лет опубликовано более пятисот работ, посвященных методике эпитаксиального осаждения соединений ( главным образом типа AniBv), кинетике роста, изучению структуры и свойств монокристальных пленок, а также исследованию свойств полупроводниковых переходов, выращенных эпитаксиальным методом. [21]

При эпитаксиальном методе в качестве исходного монокристалла используют пластинки из почти вырожденного полупроводника р - или n - типа с удельным сопротивлением порядке0 001 - - 0 01 Ом - см. Эти пластинки, являющиеся механическим держателем, должны создавать хороший омический контакт с эпитаксиальной пленкой. На предварительно отшлифованной и отполированной пластинке выращивают слой полупроводника толщиной до 50 мкм и в нем создают необходимую структуру. Эпитаксиальным методом можно получить как германиевые, так и кремниевые приборы. [22]

В настоящее время эпитаксиальным методом получают пленки соединений с лучшими характеристиками, чем при росте из расплава. [23]

В эпитаксиальном транзисторе этот недостаток устранен. При этом эпитаксиальный слой имеет ту же ориентацию кристаллической решетки, какая наблюдается у подложки. Затем в высокоомном Si, полученном эпитаксиальным методом, толщиной около 12 мкм получают слои базы и эмиттера толщиной всего в несколько микрон ( рис. 259 6) методом двойной диффузии акцепторов и доноров. [24]

Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов. [25]

Согласно табл. 8.1, толщина пластинок из ферритов-гранатов должна быть порядка микрометров. Поэтому вместо пластин применяют монокристаллические пленки, получаемые эпитаксиальным методом - путем химического осаждения из паровой фазы на подложку из немагнитного, например, гадолиниево-галлиевого, граната. [26]

Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов. [27]

Одно из основных достоинств арсенида галлия, состоящее в том, что он обладает свойствами и полупроводника и полуизолятора, делает этот материал весьма перспективным в интегрирующих схемах. Рабочую часть соответствующих устройств делают из полупроводникового материала, а индивидуальные компоненты схемы изолируют друг от друга, используя GaAs с высоким удельным сопротивлением. Таким образом, принципиально можно изготовить трехмерные интегрирующие устройства, выращенные эпитаксиальным методом. [29]

Схематическое изобра т / тт т. [30]

Страницы: 1 2 3