Эпитаксиальный метод

Cтраница 3

Вероятно, лучшим методом подготовки поверхности к измерениям является изготовление сколов, при условии, что материал хорошо колется и имеются образцы достаточно больших размеров. Если изготовление сколов невозможно, поверхности можно очистить путем скрайбирования в вакууме с помощью алмазного инструмента. Они также могут быть очищены ионной бомбардировкой с последующим термическим отжигом. Поверхности роста исследуются в образцах, изготовленных с помощью эпитаксиальных методов роста. [31]

Параметры некоторых редкоземельных ферритов-гранатов. [32]

Способ эпитаксии из газовой фазы обеспечивает получение пленок более высокого качества, однако эпитаксия из жидкой фазы не требует сложных установок и более технологична. Промышленное изготовление тонких пленок производят методом изотермической эпитаксии из переохлажденного расплава. Шихту, состоящую из смеси феррита-граната и растворителя ( чаще всего РЬО В2Оз), в платиновом тигле помещают в печь и выдерживают в ней при температуре 1100 - 1150 С в течение суток до полной гомогенизации расплава. После охлаждения расплава до температуры, соответствующей началу кристаллизации ( 800 - 1000 С), в него погружают подложку, предварительно подогретую до той же температуры для исключения неконтролируемого самопроизвольного роста пленки. Подложку вращают в расплаве. При этом происходит диффузионный перенос кристаллизуемого вещества через граничный слой. Толщина образующейся пленки примерно пропорциональна времени выращивания. Частота вращения ( 50 - 250 об / мин) определяет скорость выращивания пленки и ее однородность. Далее подложку с наращенной пленкой заданной толщины медленно вынимают из печи. Эпитаксиальный метод позволяет выращивать пленки с большой полезной площадью при хорошей воспроизводимости. Качество пленок зависит в основном от качества подложки. Подложки изготавливают из немагнитных гранатов, чаще всего из монокристаллических пластин гадолиний-галлиевого граната GdsGasOig. Для этого монокристалл разрезают алмазными дисками перпендикулярно оси [111] на тонкие пластины 0 5 - 1 мм, которые тщательно полируют, ибо структура наращиваемой пленки воспроизводит дефекты подложки. Толщину подложки доводят до 0 3 мм. [33]

Страницы: 1 2 3