Механизм - рассеяние
Cтраница 1
Механизмы рассеяния играют существенную роль при переносе носителей заряда. Поэтому, изучая движение носителей во внешних полях, необходимо учитывать при данных температурах преобладающий механизм рассеяния. Разобранные выше теоретические модели механизмов рассеяния хорошо согласуются с экспериментальными данными: при высоких температурах основную роль играет рассеяние на фононах, при низких - рассеяние на ионах примеси. [2]
Механизм рассеяния на продольных акустических фононах является основным при высоких температурах для ковалентных кристаллов. Для кристаллов со значительной долей ионности в связях ( например, In, Sb, GaAs, Cu2Te) электроны сильнее взаимодействуют с дипольными моментами, возникающими при смещениях разноименно заряженных ионов в ячейке, что соответствует рассеянию электронов на оптических фононах. Для описания рассеяния носителей заряда на оптических фононах используется понятие поляризационного потенциала, аналогичного по форме деформационному. При разделении зарядов ионов в ячейках по кристаллу распространяется плоская волна напряженности электрического поля. [3]
 |
Зависимость подвижности MV - eTN / t1l. [4] |
Механизмы рассеяния играют существенную роль при переносе носителей заряда. Поэтому, изучая движение носителей во внешних полях, необходимо учитывать при данных температурах преобладающий механизм рассеяния. Разобранные выше теоретические модели механизмов рассеяния хорошо согласуются с экспериментальными данными: при высоких температурах основную роль играет рассеяние на фононах, при низких - рассеяние на ионах примеси. [5]
Механизм рассеяния состоит в общем в том, что частицы взвеси отражают световые волны по всем направлениям, превращая тем самым направленный поток лучистой энергии в поток, распространяющийся во все стороны. [6]
Механизм рассеяния зарядов является важным фактором, влияющим на термоэдс. Однако эксперименты, которые будут описаны позже, показали, что замена механизма рассеяния с малым г механизмом рассеяния, у которого величина г предполагалась равной 2, не дает желаемого результата. Это указывает на необходимость более детального изучения механизма рассеяния. [7]
 |
Зависимость теплового сопротивления кристаллической решетки хлористого калия от температуры. [8] |
Механизмы рассеяния фононов, выражаемые формулами ( 182) и ( 183), обычно играют второстепенную роль в процессе теплопроводности. Основной причиной рассеяния тепловых волн в монокристалле или мелкокристаллическом агрегате при температурах, превышающих температуру Дебая 6, является ангармоничность тепловых волн в твердом теле и флуктуации - L. Существует близкое сходство между рассеянием упругих и электронных волн на флуктуациях теплового движения в тех случаях, когда длины волн их одного порядка величины. Основная часть упругих волн, принимающих участие в передаче тепла при температурах, превышающих температуру Дебая, обладает длинами волн порядка межатомных расстояний. [9]
Механизм рассеяния газа рассматривается в разделе метеорологии, известном как микрометеорология или метеорология приземного слоя, в котором изучается поведение воздушных масс на высотах, не превышающих 100 м над поверхностью земли. [10]
Механизмы рассеяния света электронными возбуждениями, которые обсуждались в этом обзоре, в основном хорошо понятны. [11]
Механизм рассеяния избыточной кинетической энергии, которую приобретают молекулы или атомы, перевалив ( см. рис. 68) через горб Ъ и падая в следующую ямку около точки 92, в обоих случаях можно полагать сходным ( см. стр. [12]
Какие механизмы рассеяния имеют место в беспримесных полупроводниках. [13]
Какие механизмы рассеяния могут проявляться в полупроводниках, содержащих различные дефекты. [14]
 |
Теоретически рассчитанные зависимости логарифма концентрации электронов по от 100 / Т.| Экспериментальная зависимость lj о от 1000 / Т для образца из арсенида галлия. [15] |
Страницы: 1 2 3 4