Механизм - рассеяние
Cтраница 3
Рассмотрим основные из механизмов рассеяния - на тепловых колебаниях решетки и ионизированных примесях, учитывая, что первый из них является определяющим при высоких, а второй - при низких температурах. [31]
 |
Теплопроводность плазмы инертных газов при атмосферном давлении и различной температуре, 1 ( Г2 Вт / ( см - К.| Теплопроводность плазмы воздуха. [32] |
Существуют два основных механизма рассеяния: 1) столкновение электронов с локальными неподвижными центрами - примесями, дефектами и пр. [33]
В зависит от механизма рассеяния электронов. [34]
В завиеит от механизма рассеяния электронов. [35]
Как мы видели, механизмы рассеяния достаточно хорошо описываются степенными зависимостями времени релаксации или длины свободного пробега от энергии. [36]
При высоких концентрациях преобладает механизм рассеяния на заряженных примесях и температурная зависимость подвижности совпадает с аналогичной зависимостью для монокристаллов. Однако при низких значениях концентраций свободных электронов, по-видимому, включается барьерный механим, причем высоты потенциальных барьеров в обедненной области вблизи них обратно пропорциональны концентрации электронов. [38]
Ниже мы рассмотрим отдельно механизмы рассеяния электронов тепловыми колебаниями решетки, нейтральными примесями, ионами примесей и дефектами решетки. [39]
Согласно волновой теории, механизм рассеяния рентгеновского излучения объясняется возникновением вторичных электромагнитных волн в результате вынужденных колебаний электронов в атомах вещества под действием переменного электрического поля первичного пучка; при этом частота рассеянного рентгеновского излучения должна совпадать с частотой первичного излучения. Наблюдаемое же различие частот первичного и рассеянного излучения на основе волновой теории объяснить не представляется возможным. [40]
В [1025] для выявления механизма рассеяния и структуры края с-зоны исследовано пьезосопротивление сильно легированного и - Ge. [41]
Рассмотрим случай только второго механизма рассеяния и найдем, как зависят от температуры линии в спектре рассеяния, относящиеся к комбинационным частотам ( суммарным и разностным) и к обертонам. [42]
Хотя теоретическая трактовка этих механизмов рассеяния еще очень сыра, она проясняет некоторые общие тенденции, которые, вероятно, снова будут проявляться в будущих улучшенных теориях. & имеет тенденцию быть более близким к единице для электронов при скользящем падении, чем при нормальном. [43]
Величина А зависит от механизма рассеяния. [44]
Холла не зависит от механизма рассеяния ( А 1), как в вырожденном полупроводнике. [45]
Страницы: 1 2 3 4