Механизм - рассеяние
Cтраница 2
Незнание механизмов рассеяния, зонной структуры и закона дисперсии ведет к возникновению систематических погрешностей при нахождении концентрации носителей зарядов, примесей, их энергии ионизации и других параметров. [16]
Изучением механизма рассеяния в атмосфере твердых частиц и вредных газов из дымовых труб электростанций за последнее время занимаются многие специалисты как в нашей стране, так и за рубежом. Предложены различные методики расчета концентраций газов и пыли в воздухе в зависимости от высоты дымовой трубы, метеорологических условий атмосферы и суммарного выноса вредных примесей. Важные исследования в этой области проведены в Московском энергетическом институте группой сотрудников кафедры тепловых электрических станций под руководством докт. [17]
Рассмотрим третий механизм рассеяния электронов, обусловленный их взаимодействием. Этой же величине пропорционален и интеграл столкновений, соответствующий рассеянию электронов электронами. [18]
Справедливость этого механизма рассеяния превосходно подтверждается объяснением соотношения интенсивностей красных и фиолетовых линий. На первом возбу жденном у ровне с энер гией 3 / 2 / ivKOJI находится меньше молекул. Уже из этого обстоятельства ясно, что интенсивность фиолетовых линий должна быть меньше и, более того, при низких температурах фиолетовые линии должны практически пропасть. [19]
Справедливость этого механизма рассеяния превосходно подтверждается объяснением соотношения интенсивностей красных и фиолетовых линий. На первом возбужденном уровне с энергией 3 / 2 / ivKOJI находится меньше молекул. Уже из этого обстоятельства ясно, что интенсивность фиолетовых линий должна быть меньше и, более того, при низких температурах фиолетовые линии должны практически пропасть. [20]
При рассмотрении механизма рассеяния предполагалось, что фотон сталкивается со свободным электроном. Для легких атомов и периферических, слабо связанных электронов такое допущение вполне оправдано, так как энергия связи электрона ничтожно мала по сравнению с энергией фотона рентгеновских лучей. Но внутренние электроны, особенно в тяжелых атомах, связаны настолько прочно, что их уже нельзя рассматривать как свободные. Поэтому при столкновении фотон обменивается энергией и количеством движения с атомом в целом. Учет этого обстоятельства объясняет ряд особенностей эффекта Комптона и в первую очередь наличие несмещенной линии, а также соотношение интенсивно-стей смещенной и несмещенной линий. [21]
Влияние этих механизмов рассеяния уменьшается с увеличением температуры, в то время как рассеяние кристаллической решеткой становится сильнее. Поэтому должен существовать оптимальный интервал температур, в котором влияние рассеяния ионами примеси проявляется в наибольшей степени, а другие механизмы рассеяния оказывают минимальное воздействие на подвижность носителей заряда. Таким образом, анализ температурной зависимости подвижности носителей заряда с помощью формулы Брукса - Херринга позволяет выявить оптимальный температурный интервал и определить концентрацию ионов примеси. [22]
Существует два механизма рассеяния носителей на дислокациях в Ge и Si. Первый из них, рассмотренный в [1281], связан с полем напряжений вблизи дислокаций. Этот вид рассеяния для хороших кристаллов является весьма несущественным. [23]
При таком механизме рассеяния вблизи резонанса знаменатель сечения рассеяния согласно формуле Брейта - Вигнера имеет структуру ( е - ер) 2 Г2, где е - энергия рассеиваемого электрона, е0 - резонансная энергия электрона, Г - ширина автоионизационного уровня. [24]
Зонная структура и механизм рассеяния в графите обусловливают электрические свойства, которые во многих отношениях являются промежуточными между свойствами-полупроводников и металлов. Кроме того, энергетические поверхности и времена релаксации проявляют большую анизотропию: в чешуйках монокристаллов сопротивление вдоль оси с на 2 или 3 порядка выше, чем вдоль основного плана. По этим двум причинам мы предполагаем, что сопротивление графитных материалов при комнатной температуре очень чувствительно к таким факторам, как содержание примесей, степень предпочтительной ориентации и совершенство кристаллов. Действительно, данные, приведенные на рис. 4, подтверждают это мнение. [25]
 |
Структура зоны проводимости, в которой может возникнуть эффект Ганна.| Зависимость дрейфовой скорости ( тока от электрического поля в эффекте Ганна. [26] |
Каким образом влияет механизм рассеяния на зависимость подвижности от напряженности электрического поля. [27]
Не вполне ясен механизм рассеяния дисков и его роль в потере не только массы, но и избыточного углового момента диска. Может ли рассеяние диска быть обеспечено механизмом фотоиспарения под действием УФ-излучения центральной звезды или его недостаточно, и надо привлекать участие соседних массивных звезд. [28]
Согласно волновой теории механизм рассеяния рентгеновского излучения объясняется возникновением вторичных электромагнитных волн в результате вынужденных колебаний электронов в атомах вещества под действием переменного электрического поля первичного пучка. При этом частота рассеянного рентгеновского излучения должна почти точно совпадать с частотой первичного излучения. [29]
Теплопроводность позволяет выяснить механизмы рассеяния носителей тока и фононов, взаимодействие фононов с примесями и другими дефектами решетки. [30]
Страницы: 1 2 3 4