Микродифракция

Cтраница 1

Микродифракция лежит в основе метода микроэлектронографии, позволяющего провести полный структурный анализ локальных участков тонких слоев. [1]

Электронно-микроскопический снимок и микроднфракция графитовой фазы, выделенной при нагреве до 2800 С из неграфитирующегося вещества, Х25 000. [2]

Микродифракция с частичек неграфитирующейся фазы свидетельствует о ее изотропной структуре. [3]

Применение микродифракции значительно расширяет возможности электронной микроскопии при изучении кристаллических препаратов. Отдельные примеры приведены во второй части на стр. Как у казывает Суито, микр о дифракция дает возможность проводить идентификацию кристаллов, наблюдаемых в микроскопе, определять габитус кристаллов, межплоскостные расстояния и ориентацию кристаллографических с-сей, рассчитывать толщину тонких кристаллов, а также получать важные сведения о механизме роста кристаллов и о полиморфных и других превращениях кристаллов. Однако для интерпретации экспериментальных данных необходимо участие специалиста, хорошо владеющего современными структурными методами исследования. [4]

Применение микродифракции представляет интерес, потому что, во-первых, при этом появляется возможность обнаружить дислокации, которые не пересекают базисную грань и поэтому не образуют ямок травления и, во-вторых, этот метод позволяет наблюдать ход линии дислокации и с точностью до знака находить вектор Бюргерса, не нарушая кристалл. [5]

По данным микродифракции, рентгеновской дифракции и электронной микроскопии установлено, что хризотил представляет собой минерал слоистой структуры с закрученными слоями; при полном закручивании образуются трубчатые цилиндры с внешним диаметром 26 нм и внутренним 11 нм; таким образом, в трубку свернуто не более 10 слоев, свободный изгиб слоя имеет радиус кривизны - 8 8 мм. Для последующих слоев изгиб уменьшается, кремнекислородный слой растягивается, наступает момент, когда энергетически более выгодным становится образование новой трубки. [6]

Поэтому при микродифракции рекомендуется одновременно снимать электронограммы объекта и эталонного вещества, что можно осуществить путем напыления эталонного вещества на реплику исследуемого образца. [7]

Изменение интенсивности проходящего пучка при изменении толщины объекта ( а и схематическое изображение объекта ( б. Период колебаний интенсивности определяется расстоянием экстинкции Т0 по оси абсцисс толщина фольги отложена в числе экстинкционных расстояний ( ЦТа. Штриховкой показаны полосы минимумов интенсивности в изображении матрицы, изображения частиц, отличающихся по структурному фактору от матрицы в случае. когда расстояние экстинкции для частиц T меньше, чем для. [8]

Получить картины микродифракции с двух соседних участков объекта; определить разориентировку этих участков. [9]

Сравнение картин микродифракции на рис. 80, б и 81, б с соответствующими сечениями на рис. 80, а и 81, а, рассчитанными из теоретических соображений, показывает хорошее согласие теории и эксперимента. Оно, по-видимому, подтверждает спинодальный механизм наблюдаемых эффектов. [10]

Уменьшить область микродифракции можно при помощи высоковольтной электронной микроскопии, так как с повышением ускоряющего напряжения увеличивается яркость электронного луча, а также возрастает яркость свечения флюоресцирующего экрана вследствие большей энергии электронов, и, в известных пределах, фотоэффект на пластинке. Это не является пределом, так как дальнейшее уменьшение площади лимитируется пока недостаточной стабилизацией питания, а не дефицитом яркости изображения. Если учесть, что электроны высокой энергии слабо рассеиваются веществом и, следовательно, способны просвечивать сравнительно толстые и малостойкие препараты без их разрушения, то станет ясным, что приборы с повышенной скоростью электронов имеют свои специфические области исследования, в которых они не могут быть заменены обычными микроскопами на 50 - 100 кв или какой-либо иной методикой исследования. [11]

При исследовании микродифракции малую площадь сферолита в тонкой пленке полимера обычно облучают тонко диафрагмированным пучком рентгеновских лучей или, в случае если сферолит находится в сверхтонкой пленке, пучком электронов. Облучаемую поверхность обычно выбирают на некотором расстоянии от центра сферолита, чтобы дифракционная картина получалась от пучка практически параллельных фибрилл. Из такой картины несложно вывести, какие кристаллографические оси решетки лежат преимущественно в направлениях радиусов сферолита и, следовательно, как ориентированы молекулярные цепи. Найдено, что во всех изученных до сих пор сферолитах цепи ориентированы более или менее перпендикулярно радиальному направлению. Таким образом, в направлении любого радиуса молекулы расположены параллельно или почти параллельно соответствующей тангенциальной плоскости, и ориентацию молекул называют поэтому тангенциальной. В частном случае полиэтилена оси b элементарной ячейки лежат параллельно радиальному направлению [55]; соответственно молекулы ориентированы вдоль направлений, перпендикулярных осям фибрилл. [12]

С помощью микродифракции электронов было показано, что оси макромолекул располагаются перпендикулярно плоскости монокристаллической пластины. [13]

В отличие от микродифракции в электронном микроскопе дифракцию электронов исследуют в специальных приборах - электронографах. Неупруго рассеянные электроны можно отфильтровать электронным фильтром с тормозящим полем. Дифракция от тонких пленок происходит в электронографе на просвет, от массивных поверхностей - на отражение. Разрешение электронографа определяется как наименьшая разность межплоскостных расстояний АйШт, при котором разделяются максимумы ( линии) на электронограмме. [14]

Весьма перспективно применение микродифракции, что позволяет не только ограничиваться морфологией, но и устанавливать связь между формой частиц и кристаллической решеткой минералов. Преимущество перед рентгеновским методом проявляется в том, что, если минерал сильно диспергирован, то только при помощи микродифракции можно получить дифракционную картину для отдельных монокристаллов. [15]

Страницы: 1 2 3 4