Микроконтактирование
Cтраница 2
Попадание дефектного участка поверхности ( риски, лунки, трещины, раковины и т.п.) в нагруженную контактную зону вызывает релаксацию давления, что приводит к снижению толщины разделяющей поверхности смазочной пленки, возрастанию вероятности микроконтактирования деталей и, соответственно, значения параметра К. [16]
Попадание дефектного участка поверхности ( риски, лунки, трещины, раковины и т.п.) в нагруженную контактную зону трибосопря-жения вызывает релаксацию давления, что приводит к уменьшению толщины разделяющей поверхности смазочной пленки, возрастанию вероятности микроконтактирования деталей и, соответственно, значения параметра К. [17]
Поскольку в настоящее время имеются принципиальные трудности в создании надежных активных элементов в тонкопленочном исполнении, наиболее широко используются гибридно-пленочные микросхемы, пассивные элементы которых изготавливаются средствами тонкопленочной технологии, а активные дискретные компоненты соединены с ними методами микроконтактирования. В гибридных микросхемах для создания пассивных компонентов могут быть использованы и толстые пленки ( толщиной до 25 - 50 мкм) на керамической подложке. Такие схемы называются гибридными толстопленочными. [18]
Вследствие случайности происходящих в зонах трения процессов флуктуации проводимости объекта при его работе являются случайными, при этом характер закона распределения вероятности проводимости для различных видов смазки соответствует графикам рис. 19, где gn и gK - характерные средние значения проводимости при наличии смазочной пленки в зонах трения и при микроконтактировании. [20]
Вследствие случайности происходящих в зонах трения процессов флуктуации проводимости ОК при его работе являются случайными, при этом характер закона распределения вероятности проводимости для различных видов смазки соответствует графикам на рис. 6.13, где gn и gK - характерные средние значения проводимости при наличии смазочной пленки в зоне трения и при микроконтактировании. [22]
Следует отметить, что паяные соединения недостаточно стабильны по прочности и ненадежны. Метод пайки имеет низкую производительность при его использовании для микроконтактирования. [23]
Микроконтактирование при монтаже гибридно-пленочных микросхем выполняют приклейкой, пайкой и сваркой. Из клеевых соединений, применяемых в микроэлектронике, определенный интерес представляет микроконтактирование с помощью токо-проводящих клеев. Последнее получают восстановлением из азотно-кислого серебра; диаметр частиц мелкодисперсного серебра менее 1 мкм. [24]
Для контроля и диагностики узлов трения, количественной оценки состояния смазки в зонах трения, дефектоскопии рабочих поверхностей широко применяются электроконтактные методы, основанные на анализе параметров импульсов проводимости объекта при микроконтактировании. В качестве диагностических параметров используют предельные и средние значения частоты и длительности микроконтактирований за определенное время или число оборотов подвижной детали. [25]
Для контроля узлов трения, количественной оценки состояния смазки в зонах трения, дефектоскопии рабочих поверхностей широко применяются электроконтактные методы, основанные на анализе параметров импульсов проводимости ОК при микроконтактировании. В качестве контролируемых параметров используют предельные и средние значения частоты и длительности микроконтактирований за определенное время или число оборотов подвижной детали. [26]
Переменное напряжение, однако, не всегда обеспечивает решение поставленных задач контроля. В то же время с увеличением частоты напряжения емкостное сопротивление ОК уменьшается, шунтируя его активное сопротивление, и измерение параметров микроконтактирования становится проблематичным. Поэтому при измерении параметров активного сопротивления, в частности параметров микроконтактирования, рекомендуется использовать постоянное напряжение. [27]
Отработаны и доведены до серийного производства тонкопленочные интегральные микросхемы. Поскольку имеются принципиальные трудности в создании надежных активных элементов в тонкопленочном исполнении, наиболее широко используются гибридно-пленочные микросхемы, пассивные элементы которых изготавливают средствами тонкопленочной технологии, а активные дискретные компоненты соединены с ними методами микроконтактирования. В гибридных микросхемах для создания массивных компонентов могут быть использованы и толстые пленки ( толщиной до 25 - 50 мкм) на керамической подложке. Такие схемы называются гибридными толстопленочными. [28]
Переменное напряжение, однако, не всегда обеспечивает решение поставленных задач контроля. В то же время с увеличением частоты напряжения емкостное сопротивление ОК уменьшается, шунтируя его активное сопротивление, и измерение параметров микроконтактирования становится проблематичным. Поэтому при измерении параметров активного сопротивления, в частности параметров микроконтактирования, рекомендуется использовать постоянное напряжение. [29]
Известны даже методы, в которых контролируемые параметры определяются при нулевом напряжении на ОК. При реализации одного из таких методов контролируемое трибосопряжение, в частности подшипник качения, подключают в измерительную диагональ уравновешенного моста постоянного тока, выполняющего в данном случае роль порогового элемента. При жидкостной смазке трибосопряжение имеет эквивалентную схему замещения, включающую наряду с активным сопротивлением также элемент емкости. При периодическом микроконтактировании в ОК в контурах мостовой схемы, содержащей и реактивные элементы, а также в усилителе, подключенном к этой цепи, возникают переходные процессы. Следствием этих процессов являются соответствующие импульсы напряжения на выходе измерительной схемы, свидетельствующие о микроконтактировании в подшипнике. Эти импульсы подвергаются последующей обработке для измерения требуемых контролируемых параметров. [30]
Страницы: 1 2 3