Cтраница 2
Микроминиатюризация - направление технического прогресса, целью которого является существенное уменьшение габаритов, весов и потребления энергии аппаратурой, главным образом электронной. От обычного объемного монтажа в радиоэлектронике все больше переходят к печатным схемам, а в последние годы появились такие конструкции, как модули, микромодули, пленочные микросхемы, твердые схемы. [16]
Микроминиатюризация является уже качественным скачком создания электронных схем, так как задача решается здесь принципиально новым путем. [17]
Микроминиатюризация аппаратуры, повышение ее быстродействия и точности функциональных параметров требуют особого внимания к неразрушающим методам контроля и управлению качеством продукции. Использование специальных материалов и химической технологии делает актуальным вопрос об охране окружающей среды и людей, занятых в сфере производства РЭА. [18]
Максимальная микроминиатюризация, максимальная компактность, минимальный вес, продолжительное время работы с высокой надежностью, работа в вакууме и другие требования приводят к большой специфике не только схемной, но и конструкторской, и технологической разработок бортовой аппаратуры. [19]
![]() |
Схемы общего ( а и раздельного ( б резервирования. [20] |
Микроминиатюризация РЭА позволяет широко использовать резервирование, также являющееся одним из наиболее действенных средств повышения надежности. При невозможности обеспечить заданные технические требования РЭА для повышения надежности используют методы резервирования входящих в эту аппаратуру элементов. [21]
Микроминиатюризация блокинг-генераторов затруднена из-за необходимости применения импульсного трансформатора со значительной индуктивностью намагничивания. На рис. 6.123 показана схема интегрального блокинг-генератора. Элементы блокинг-генератора, входящие в состав полупроводниковой интегральной схемы, выделены пунктирным контуром. Остальные элементы ( импульсный трансформатор Тр и конденсаторы Ci - Ct) являются навесными. Блокинг-генератор выполнен на транзисторе Та, обмотки импульсного трансформатора Тр, обеспечивающего создание положительной обратной связи, включены в цепи базы и коллектора этого транзистора, как и в схеме рис. 6.112. Коллекторная обмотка трансформатора, как и в схеме рис. 6.118, в, зашунти-рована диодом, в качестве которого использован коллекторный переход транзистора Ti. Для обеспечения надежного запирания транзистора Тя и повышения помехоустойчивости схемы по запуску на эмиттере Ts создается начальное запирающее напряжение. [22]
Микроминиатюризация усилителей позволяет уменьшить габариты, улучшить надежность, повысить экономичность и технологические характеристики. [23]
Микроминиатюризация блокинг-генераторов затруднена из-за необходимости использования импульсного трансформатора со значительной индуктивностью намагничивания. На рис. 5.124 показана схема интегрального блокинг-генератора. Элементы блокинг-генератора, входящие в состав полупроводниковой интегральной схемы, выделены пунктирным контуром. Остальные элементы ( импульсный трансформатор Тр и конденсаторы С ] - С4) являются навесными. [24]
Микроминиатюризация РЭА на современном этапе включает в себя системный подход к ее проектированию с применением ИМС, использование машинных методов выпуска документации, производства и контроля. При этом должно обеспечиваться согласованное взаимосвязанное развитие технологических процессов, разработок микроэлектронных изделий новых типов, микрокомпонентов, совместимых с ИМС, автоматизированного оборудования для проектирования, производства и контроля аппаратуры. [25]
Микроминиатюризация радиотехнических устройств, а вследствие этого увеличение числа элементов в единице объема, рассеивающих теплоту, требует снижения потребляемых мощностей. Для этого необходимо предельно снизить напряжение питания до барьерной величины ( 1 - 1 5 В), что позволит сократить потребляемую мощность в 5 - 10 раз, а переход в режим микротоков ( ток покоя 1000 мкА) для транзисторов позволит снизить потребляемую мощность на 2 - 3 порядка. [26]
Микроминиатюризация электронных приборов зависит от развития теоретических работ по пленочным многослойным полупроводниковым материалам ( поликристаллические и эпитаксиальные пленки, вещества для повышения кпд солнечных батарей), а также oi изучения поверхностных явлений; это поможет разработать методы очистки и стабилизации поверхности полупр ов одник ов. [27]
Микроминиатюризация радиоэлектронной аппаратуры позволяет резко снизить ее себестоимость вследствие массового автоматизированного производства микросхем. Однако разработка различных методов микроминиатюризации стоит очень дорого. [28]
Микроминиатюризация радиоприемной аппаратуры позволяет широко применять гибридные и полупроводниковые микросхемы и микросборки, в частности - балансные схемы с перекрестными связями, которые обладают достаточной стабильностью и высоким коэффициентом усиления. Настройка такого устройства сводится к простым операциям по сопряжению входных и выходных цепей узла. [29]
Микроминиатюризация радиотехнических деталей, использование проводов микронных сечений сделают возможной еще более совершенную приборную реализацию метода магнитной диагностики и, возможно, магнитной терапии сердечно-сосудистой системы. [30]